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- [实用新型]一种半导体薄膜沉积设备-CN202320860217.4有效
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黄明策;吴凤丽
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拓荆科技(上海)有限公司
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2023-04-17
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2023-09-08
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C23C14/22
- 本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体薄膜沉积设备。本实用新型提供的半导体薄膜沉积设备，包括腔体、盖板、连接部件、升降机构、驱动机构和外部抬举机构：所述盖板，设置于腔体上方；所述连接部件，一端连接盖板，另一端连接升降机构；所述升降机构，设置于腔体内部，在驱动机构的驱动力作用下执行升降动作，带动盖板上升或下降；所述驱动机构，与升降机构连接，对升降机构施加驱动力；所述外部抬举机构，设置在腔体外部，与连接部件连接，对连接部件施加抬举力，与升降机构协同作用带动盖板上升。本实用新型可以减小升降机构的摩擦力，提高升降机构的使用寿命，不易损坏。
- 一种半导体薄膜沉积设备
- [实用新型]一种晶圆反应腔结构及反应设备-CN202222963848.7有效
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李旭峰;黄明策;赵怀旭
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拓荆科技股份有限公司
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2022-11-08
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2023-04-07
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H01L21/67
- 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆反应腔结构及反应设备。本实用新型提供的一种晶圆反应腔结构，包括反应底座、加热盘、上盖和检测机构，所述上盖连接于所述反应底座的上表面，所述反应底座内部形成有第一腔体，所述加热盘安装于所述第一腔体内；所述上盖内部形成有贯穿所述上盖的通道腔，所述通道腔为圆柱腔，所述第一腔体为圆柱腔，所述加热盘、通道腔与所述第一腔体的轴线为同一条直线；所述第一腔体的直径大于所述通道腔的直径，所述加热盘的直径小于所述通道腔的直径。能避免了加热盘上移时，晶圆与腔体上盖发生碰撞，从而破片的问题，能实时的检测反应腔内晶圆与加热盘的位置关系，方便操作人员及时调整。
- 一种反应结构设备
- [实用新型]一种加热盘结构及镀膜设备-CN202223397523.3有效
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黄明策;野沢俊久;谈太德;吴凤丽
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拓荆科技股份有限公司
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2022-12-16
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2023-03-21
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C23C16/50
- 本实用新型涉及半导体镀膜设备技术领域，具体涉及一种加热盘结构及镀膜设备。本实用新型提供的一种加热盘结构，包括盘体、多个止挡块和多个支撑块；多个所述止挡块沿着所述盘体上表面的边缘依次设置，多个所述止挡块之间形成与晶圆相适配的放置区；多个所述支撑块设置于所述盘体的上表面，所述支撑块与所述盘体一体成型，多个所述支撑块均位于所述放置区；所述止挡块高于所述支撑块。晶圆下表面与止挡块之间并无缝隙，止挡块限位住晶圆，防止晶圆偏移，以保证晶圆的对中性，支撑块与盘体是一体成型的，两者的膨胀系数相同，这样温度升高时，支撑块和盘体的形变系数相同，使得晶圆下表面与盘体上表面之间的缝隙始终是均匀的。
- 一种加热盘结镀膜设备
- [实用新型]一种喷头组件及气体喷头-CN202222035636.2有效
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黄明策;野沢俊久
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拓荆科技股份有限公司
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2022-08-03
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2022-12-02
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H01J37/32
- 本实用新型涉及半导体薄膜设备技术领域，提供了一种喷头组件及气体喷头，喷头组件包括：喷头上板和隔离环，喷头上板用来加热反应气体；喷头上板安装在隔离环上，在隔离环与喷头上板存在力的作用的一侧绕周设置多个凹坑，凹坑内设置有滚珠，滚珠与喷头上板靠近隔离环的一侧接触；或，在喷头上板与隔离环存在力的作用的一侧绕周设置多个凹坑，凹坑内设置有滚珠，滚珠与隔离环靠近喷头上板的一侧接触；滚珠支撑在喷头上板与隔离环之间，使得喷头上板与隔离环不直接接触，用于减小喷头上板与隔离环之间的摩擦力。通过在喷头上板与隔离环之间设置滚珠，解决了现有技术中存在的喷头上板高温膨胀导致的隔离环受到摩擦力容易碎裂的技术问题。
- 一种喷头组件气体
- [实用新型]射频隔离环-CN202123426469.6有效
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刘振;野沢俊久;吴凤丽;黄明策
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拓荆科技股份有限公司
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2021-12-31
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2022-10-28
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H01J37/32
- 本实用新型提供了一种射频隔离环，设置于喷头上板与上盖板之间，包括：环体，所述环体包括与所述喷头上板接触的环形面、内圈面和外圈面；所述环形面与所述内圈面之间设置有内圈倒角，所述环形面与所述外圈面之间设置有外圈倒角；所述内圈倒角和所述外圈倒角的倒角面与所述喷头上板表面之间形成倒角空间，以补偿所述喷头上板在所述外圈面位置处和所述内圈面位置处产生的外力形变和热膨胀形变，有利于避免所述喷头上板挤压所述射频隔离环造成所述射频隔离环损坏；同时，所述内圈倒角能够避免所述环体的边缘与所述喷头上板之间摩擦产生颗粒影响反应腔内工艺稳定性。
- 射频隔离
- [发明专利]气体混合装置-CN202210780972.1在审
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张亚梅;黄明策
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拓荆科技(北京)有限公司
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2022-07-05
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2022-08-05
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B01F25/452
- 本发明提供了一种气体混合装置，涉及半导体沉积设备的技术领域，包括混合主体和挡板；混合主体内设置有混合通道，挡板位于混合主体内部，挡板与混合通道对应布置，挡板与混合通道的端部形成混合腔，挡板上开设有通孔，通孔与混合通道呈错位布置，通过将混合主体内输送工艺气体和载气，当工艺气体和载气在混合通道输送的过程中，利用挡板对混合通道内的气体进行阻挡，使得工艺气体和载气在受阻的情况下迫使进入至混合腔中进行扩散，最后通过通孔排出，实现了对工艺气体和载气扩散后均匀混合，避免了比较重的工艺气体朝向一个方向流动，从而确保混气更加均匀，缓解了现有技术中存在的被扩散至沉积室内以处理基板的工艺气体混合不均的技术问题。
- 气体混合装置
- [发明专利]对中检测装置和应用于晶圆加热盘的对中装置-CN202111632288.0在审
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黄明策;吴凤丽;谭华强
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拓荆科技股份有限公司
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2021-12-28
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2022-04-12
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H01L21/68
- 本发明提供了一种对中检测装置，应用于待检测装置，所述待检测装置包括第一待检测装置和第二待检测装置，所述对中检测装置包括底座和至少3个位置测量机构，所述位置测量机构包括电连接的测量部和数据读取部，所述底座设置于所述第一待检测装置，所述测量部用于测量所述测量部的测量端部与所述第二待检测装置之间的距离，所述数据读取部用于读取所述测量部测得的所述距离，以根据所述距离调整所述第一待检测装置的位置，使所述第一待检测装置与所述第二待检测装置实现对中，解决了对中装置无法对套设在一起的待检测装置进行对中的问题，且该装置可以在真空条件下对待检测装置进行对中。本发明同时提供了一种应用于晶圆加热盘的对中装置。
- 检测装置应用于加热
- [发明专利]一种钛合金表面改性方法及改性后的钛合金-CN201811523960.0有效
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黄润;刘蕾;秦亮;黄雷;黄明策
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安徽理工大学
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2018-12-13
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2020-07-28
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C23C14/48
- 本发明公开一种钛合金表面改性方法，基于钛合金植入体内后与周围组织的结合仅仅是简单的机械锁合，不能形成良好的化学键合，易松动脱落的问题而提出的，本发明包括以下步骤：(1)将Ti‑Nb‑Zr‑Sn钛合金固定在表面机械研磨处理机的处理腔中进行研磨处理，研磨处理的振动频率为2000Hz；(2)将经表面处理后的Ti‑Nb‑Zr‑Sn钛合金放入离子注入机中进行处理，其以Co靶材为离子源，注入Co离子；本发明还提供由上述方法改性后的钛合金，本发明的有益效果在于：经本发明改性后的Ti‑Nb‑Zr‑Sn钛合金能显著促进干细胞向血管形成方向分化，可以制备出同时具有良好促骨及血管形成能力的钛基种植体。
- 一种钛合金表面改性方法
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