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[发明专利]一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法-CN202310804382.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法，所述方法：将表面具有多孔结构的碳化硅单晶浸泡于溶有所需掺杂的物质的乙醇溶液或水溶液或乙醇水混合溶液中，浸泡完成后，再经烧结处理即得到掺杂碳化硅单晶。采用该方法获得的掺杂碳化硅单晶，其掺杂均匀。
一种溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅方法

[发明专利]一种用有机胶制备耐腐蚀石墨制品的方法-CN202310704095.4在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种用有机胶制备耐腐石墨制品的方法，所述方法：在石墨制品表面均匀涂覆有机胶，待有机胶固化后，得到产物A；产物A先置于一定温度环境下，保温一段时间后降温取出，有机胶初步碳化，再进行烧结，有机胶完全碳化。采用该方法制备的石墨制品，其用在PVT法或液相法生长过程中，能够抑制腐蚀，提高使用寿命。
一种有机制备腐蚀石墨制品方法

[外观设计]智能手表表头-CN202330004313.4有效
发明人：盛英玮;郭洁;唐英嘉;黄宏嘉;曲永丰;蔡代宏 -专利权人：疆域康健创新医疗科技成都有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： 10-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能手表表头。2.本外观设计产品的用途：用于显示时间，手机来电提醒，应用消息提醒，久坐提醒，记录并显示运动数据、睡眠数据和心电数据等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
智能手表表头

[发明专利]一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法-CN202110704001.4有效
发明人：林和;牛崇实;洪学天;黄宏嘉;张维忠 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法。所述方法包括：在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路之后，将含有有源元件和无源元件的集成电路中的辐射敏感级联的晶体管制成复合形式的晶体管；通过α‑粒子对复合形式的晶体管进行辐照，将所述复合形式的晶体管的辐射缺陷引入发射极‑基极结来调节复合晶体管的增益系数；利用γ‑粒子辐照所述集成电路中的所有元件；在γ‑粒子辐照所有元件后，对所述集成电路进行稳定退火处理，所述稳定退火时间与形成所述集成电路过程中的原型退火时间一致。
一种具有增强辐射性能模拟集成电路加工方法

[发明专利]一种双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法-CN202110817741.9有效
发明人：林和;黄宏嘉;牛崇实;洪学天 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：步骤S1：在P型衬底上形成N+型掩埋层；步骤S2：在N+型掩埋层上生长N型外延层；步骤S3：在N型外延层上形成P+深埋层和场氧化物；步骤S4：在场氧化物旁形成栅极氧化层；步骤S5：在栅极氧化层上沉积多晶硅栅极并用磷掺杂；步骤S6：在N型外延层上采用粒子掺杂形成P型基极；步骤S7：在N外延层上方以光刻形成漏极和源极；步骤S8：在漏极上形成漏区金属接触区，在源极上形成源区金属接触区。本发明消除基极的穿孔效应，改善晶体管的电参数：减少漏‑源之间的漏电流，增加击穿电压，并最大程度地减少制造集成电路(I C)中的晶体管的光刻次数，从而降低成本。
一种扩散金属氧化物半导体晶体管制造方法

[发明专利]一种直流电压转换器的平稳启动系统-CN202110686362.0有效
发明人：洪学天;张维忠;林和;牛崇实;黄宏嘉 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种直流电压转换器的平稳启动系统，包括：误差放大器与软启动电路和反馈电路连接，软启动电路与反馈电路和误差放大器连接，反馈电路分别与误差放大器、软启动电路、输入控制电路以及锁定比较电路连接，输入控制电路分别与反馈电路、锁定比较电路和偏置电压源连接，偏置电压源与输入控制电路连接，锁定比较电路与反馈电路和输入控制电路连接。本发明提出的一种直流电压转换器的平稳启动系统，通过在开关稳定器电路中采用了平稳启动系统，消除稳定器输出电压跳变状况，从而达到理想的电路启动效果。
一种直流电压转换器平稳启动系统

[发明专利]一种生产具有吸气剂半导体结构的方法-CN202210781569.0在审
发明人：洪学天;赵大国;林和;王尧林;牛崇实;黄宏嘉;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种用吸气剂制造半导体结构的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S01，在氧化气氛中进行退火；S02，在惰性气氛中进行两阶段退火。本发明的主要优点在于，氧缺陷吸附效率高，工艺过程简单，成本低。本发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的微缺陷含量。
一种生产具有吸气半导体结构方法

[发明专利]一种高压双极晶体管-CN202110791642.8有效
发明人：林和;牛崇实;洪学天;黄宏嘉 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压双极晶体管，包括：N型硅衬底，并在所述N型硅衬底形成有源区和包含N型等电位环的场区；在所述场区的表面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的外表面设置有半绝缘多晶硅层，所述半绝缘多晶硅层的外表面依次设置有第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层；在所述有源区的表面，设置有介电层，所述介电层的表面设置有第三氮化硅层；通过在半绝缘多晶硅层上设置第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层有效保护地半绝缘多晶硅层免受水分，同时，设置适当厚度的氧化硅层，保护硅表面免受这些污染物的侵害，最终，提高高压晶体管的产品良率。
一种高压双极晶体管

[发明专利]一种微波集成电路导电互联的制造方法-CN202210729895.7在审
发明人：林和;王尧林;洪学天;赵大国;牛崇实;黄宏嘉;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波集成电路导电互联的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括形成以铜为主金属层的步骤。通过本发明的方法获得的互金属联具有低电阻，高耐化学(腐蚀)性，易于焊接，并且成本比原型显著降低。本发明中，通过用镍‑金金属体系覆盖铜层的表面和端面来确保耐腐蚀性。用铜层代替原型中由黄金制成的基础层，减小互联的厚度，即减小互连互联的寄生电容，提高了微波集成电路的截止频率。
一种微波集成电路导电制造方法

[发明专利]一种制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法-CN202210785219.1在审
发明人：洪学天;赵大国;林和;王尧林;牛崇实;黄宏嘉;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法，属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法，高效率吸附半导体器件功能区中的金属与氧杂质，显著缩短形成耗尽无缺陷区域的时间。工艺过程简单，成本低。此发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的金属与氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的金属与微缺陷含量以提高器件的抗辐射性能。
一种制造辐射金属氧化物半导体场效应器件及其方法

[发明专利]一种用于制造功率集成电路的方法-CN202210806229.9在审
发明人：林和;王尧林;洪学天;赵大国;牛崇实;黄宏嘉;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于制造功率集成电路的方法，包括：在第一类掺杂半导体的硅衬底上生长浓度不同的第二类掺杂半导体的外延层，并在外延层上生产栅极氧化层；根据元器件与集成电路的设计，针对外延层确定不同功能区的第一类掺杂半导体掺杂浓度，根据掺杂浓度在栅极氧化层上进行光刻与离子注入，在外延层上定义不同浓度的第一类掺杂半导体区并通过退火形成低浓度区和高浓度区，在栅极氧化层上通过光刻与刻蚀形成栅极图案；在栅极氧化层上淀积难溶金属层，并在难溶金属层上进行光刻与刻蚀形成不同功能区的欧姆接触窗口；在硅衬底上形成硅化物，淀积欧姆接触金属层，光刻与刻蚀欧姆接触金属层，形成大功率硅集成电路的元器件与电路互联以及电路隔离。
一种用于制造功率集成电路方法

[发明专利]一种带内外电位保护环的肖特基二极管-CN202110777557.6有效
发明人：牛崇实;林和;洪学天;黄宏嘉 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种带内外电位保护环的肖特基二极管，包括：重掺杂硅衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂区域以及保护介电层；其中，轻掺杂外延层与重掺杂硅衬底具有相同导电性，且在轻掺杂外延层与所述重掺杂硅衬底中通过预设方法生成所述轻掺杂区域；其中，在保护介电层中打开窗口，通过保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阳极金属化，同时，保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阴极金属化；其中，轻掺杂区域包括：内部保护环、外部电势环以及内部保护环平行条纹，且在外部电势环的外延层还包括：附加电势环和N型限制环；基于上述方法使得肖特基二极管的反向电压增加且降低了反向电流值，从而增加了肖特二极管的产品良率。
一种内外电位保护环肖特基二极管

[发明专利]一种具有网格结构的双极功率晶体管-CN202110818413.0有效
发明人： 黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有网格结构的双极功率晶体管，包括：具有第一掺杂第二电阻和第二掺杂第一电阻的N型第一导电类集电极区域；具有网格式结构的N型第一导电类发射极区域；具有第三掺杂第四电阻和第四掺杂第三电阻的P型相反导电类基极区域；发射极区域覆盖连接基极区域多个单个的基极元件，集电极区域通过基极‑集电极p‑n结与基极区域相连接；第一掺杂杂质剂含量高于第二掺杂杂质剂含量，第三掺杂杂质剂含量高于第四掺杂杂质剂含量，第一电阻阻值大于第二电阻阻值，第三电阻阻值大于第四电阻阻值；集电极区域、基极区域和发射极区域分别通过欧姆接触和金属母线相连接；增加二次击穿耐性，降低基极‑发射极饱和电压值，安全工作区域显著扩大。
一种具有网格结构功率晶体管

[发明专利]一种带凹槽结构的肖特基二极管-CN202110843344.9有效
发明人：洪学天;林和;牛崇实;黄宏嘉 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种带凹槽结构的肖特基二极管，包括：半导体衬底；半导体层，设置于半导体衬底上，半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；肖特基势垒层，设置于半导体层上；第一接触层，设置于肖特基势垒层上，分别与肖特基势垒层和第一电极电连接；第二接触层，设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域，与半导体层电连接。本发明的带沟槽结构的肖特基二极管，各凹槽形成肖特基二极管的有源区，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可，无需重新设计并制造出不同的二极管，一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本。
一种凹槽结构肖特基二极管

[发明专利]一种耐二次击穿的功率双极晶体管-CN202110689498.7有效
发明人：牛崇实;林和;黄宏嘉;洪学天;张维忠 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管，包括：集电极欧姆接触区设置在最底部，在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区，在集电极P+区上设置集电极P‑区；在集电极P‑区上设置基极n区，在集电极P‑区与基极n区之间形成集电极‑基极p‑n结区；在基极n区内设置发射极区，在基极n区与发射极区之间形成发射极‑基极p‑n结区；在基极n区上设置介电薄膜，在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极‑集电极p‑n结区、附加掺杂集电极区。增加功率双极晶体管对二次击穿的耐受能力，采用过电压保护阈值可调节的设计，减小器件的输出容量以得到功率双极晶体管结构简化，缩小功率双极晶体管的尺寸。
一种二次击穿功率双极晶体管

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