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[发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的电子系统-CN202310413995.3在审
发明人：金恩知;黄允照;朴绪真;方俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器件和包括其的电子系统。该器件可以包括阵列区、延伸区和垫区，并且可以包括包含源极板的基板。该器件还可以包括：模结构，在基板的前表面上并包括在延伸区中交替地堆叠成阶梯形状的栅电极和模绝缘膜；延伸穿过模结构的沟道结构；延伸穿过模结构的单元接触；在模结构上的第一绝缘体；在基板的后表面上的第二绝缘体；在第二绝缘体上的垫；延伸穿过第一绝缘体的接触；以及在垫区中通过蚀刻第二绝缘体和基板而形成的通路。源极板在垂直方向上不与单元接触和接触重叠。
非易失性存储器包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统-CN202211104229.0在审
发明人： 黄允照;金志泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一衬底结构，该第一衬底结构包括衬底、电路器件、以及电路器件上的第一接合金属层；以及第二衬底结构，在第一衬底结构上连接到第一衬底结构，其中，第二衬底结构包括：板层，具有第一区和第二区；栅电极，堆叠在板层下方并在第二区中沿第二方向延伸不同的长度；沟道结构，在第一区中，穿透栅电极并且各自包括沟道层；输入/输出接触结构，在第二区中，穿透板层和栅电极并且各自包括接触导电层；以及第二接合金属层，连接到第一接合金属层，其中输入/输出接触结构的上表面的高度高于沟道结构的上表面的高度。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]三维半导体存储器器件以及包括三维半导体存储器器件的电子系统-CN202210146681.7在审
发明人：崔茂林;黄允照 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器器件包括：第一衬底；外围电路结构，在第一衬底上；单元阵列结构，在外围电路结构上，单元阵列结构包括具有交替的层间介电层和栅电极的堆叠结构、覆盖堆叠结构的第一绝缘层、以及在堆叠结构和第一绝缘层上的第二衬底，堆叠结构在第二衬底的底表面与外围电路结构之间；第二绝缘层，在单元阵列结构上；第一贯穿接触部，贯穿第一绝缘层、第二衬底和第二绝缘层；以及第二贯穿接触部，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二贯穿接触部与第二衬底间隔开，并且第一贯穿接触部和第二贯穿接触部两者的宽度随着距第一衬底的距离的增加而减小。
三维半导体存储器器件以及包括电子系统

[发明专利]非易失性存储器装置和包括其的存储器系统-CN202111305802.X在审
发明人：崔茂林;成政泰;尹尚希;全祐用;崔峻荣;黄允照 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。
非易失性存储器装置包括存储器系统

[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统-CN202111260065.6在审
发明人： 黄允照;金志泳;成政泰;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层，第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层，接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面，第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层，虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。
半导体装置包括数据存储系统