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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质-CN202210273445.1在审
发明人：吉野晃生;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备：基板处理室，其对基板进行处理；等离子体生成室，其与所述基板处理室连通；气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体；第一线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，并被供给高频电力；以及第二线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202111527706.X在审
发明人：柳泽爱彦;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：提供一种提高排气系统的清洁效率的基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具有：对基板进行处理的处理容器；设于处理容器的内部且在平面上支承多个基板的支承部；向设定于处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；向设定于处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；沿着支承部的外周设置的排气缓冲构造部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第一气体供给部的第一气体的流动下游的第一气体排气部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第二气体供给部的第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及向排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202110293140.2在审
发明人：吉野晃生;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。在具有真空输送室的基板处理装置中，其目的为降低输送室的低温区域的水分量。具有：具有加热器的处理室；加载互锁室；输送室，其设置于上述处理室与上述加载互锁室之间，具有上述处理室侧的第一区域和位于比上述第一区域靠上述加载互锁室侧且温度比上述第一区域低的第二区域；检测部，其检测上述输送室中的水分量；以及惰性气体供给部，其能够在上述输送室的内部朝向上述第二区域供给惰性气体。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序-CN201910871855.4有效
发明人：油谷幸则;广濑义朗;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供能够选择性地对具有槽的基板进行处理的基板处理装置。基板处理装置具备：基板载置部，其被装备在处理室内，且具有载置具有多个槽的基板的基板载置面；气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；排气部，其从上述处理室排出环境气；以及电磁波供给部，其从上述基板的侧方供给电磁波，以对上述槽的表面进行处理。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理系统、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202110297200.8在审
发明人：八幡橘;松井俊;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理系统、半导体装置的制造方法及存储介质，在具有多个处理容器的基板处理系统中，能防止废气堆积在处理容器的排气管且对气体供给管的环境气体进行排气。具有：多个处理容器，收纳基板；气体供给管，分别与多个处理容器连接，供给处理气体；第一排气部，对多个处理容器内的环境进行排气；第二排气部，对气体供给管内的环境进行排气，经由切换阀与气体供给管连接，与第一排气部不同；控制部，构成为能以执行下述步骤的方式对切换阀、第一排气部和第二排气部进行控制：a)从气体供给管向处理容器供给处理气体来处理基板的步骤；及b)在未从气体供给管向处理容器供给处理气体的期间，从气体供给管向第二排气部排出处理气体的步骤。
处理系统半导体装置制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202110301748.5在审
发明人：八幡橘;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，在具备多个处理室的情况下，能够维持较高的生产性。该基板处理装置具备：多个处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其进行向处理室的气体供给；多个处理室排气管，其个别地连接于多个处理室的每一个；共通气体排气管，其在多个处理室排气管的下游侧以使各处理室排气管合流的方式配置；压力检测部，其对处理室排气管的压力的状态进行检测；以及惰性气体供给管，其个别的连接于多个处理室排气管的每一个，且向相应的处理室排气管的管内供给惰性气体。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202111095443.X在审
发明人：大桥直史;菊池俊之;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够降低堆积于旋转工作台的背面的堆积物的量。该基板处理装置具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于处理室内的基板通过以基板外的某点为中心旋转而依次通过多个处理区域；以及旋转机构，其使旋转工作台旋转，多个处理区域具有对基板供给处理气体的第一区域和对基板供给惰性气体的第二区域，以对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间的压力比对应于第一区域的旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质-CN201810022762.X有效
发明人：吉野晃生;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质，尤其提供在将多个基板配置成圆周状的类型的装置中处理效率也较高的技术。基板处理装置具有：具有载置基板的蓄热部的托盘、具有旋转轴和被所述旋转轴支承的旋转板且以所述托盘能够载置于所述旋转板的方式构成的基板搬送部、以所述旋转轴为中心配置成圆周状的多个基台、以及设置于所述基台中的每一个的加热器。
处理装置半导体制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序-CN202010137523.6在审
发明人：中川崇;广濑义朗;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供能够均匀处理基板面内的基板处理装置，其具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于基板载置盘的上方，且配置于从基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含气体供给构造，并控制从气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于基板载置盘的上方，且设于气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含气体排出构造，并控制从气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备气体供给部和气体排出部，并控制针对基板的气体主成分量，气体主成分量控制部能够调节从中心到外周向基板供给的气体的主成分的量。
处理装置半导体器件制造方法记录介质程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202010167389.4在审
发明人：野内英博;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，使在旋转型装置中形成于基板的膜特性的均匀性提高。作为向基板供给处理气体来进行处理的基板处理装置，具有：处理容器，其设有多个对基板进行处理的处理区域；旋转台，其设置于处理容器内，并使所载置的基板在处理容器内以基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个处理区域；以及气体供给喷嘴，其设置于多个处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从处理容器的壁侧朝向旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与往路部连通并从旋转台的中心侧朝向处理容器的壁侧延伸。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质-CN202010760277.X在审
发明人：大桥直史;野内英博;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使旋转型装置中在基板形成的膜特性的面内均匀性提高。基板处理装置具有：对基板进行处理的处理室；设置于处理室内且具有多个载置基板的载置部的基板支撑部；与载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第一无孔部的主喷嘴；以及与载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第二无孔部的辅助喷嘴。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201710123023.5有效
发明人：八幡橘;高野智;丰田一行;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有对衬底进行处理的处理容器；衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面；加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体；和控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202010600098.X在审
发明人：水口靖裕;松井俊;高崎唯史;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质，提高每个基板的处理均匀性。所涉及的技术具有：对基板进行处理的多个基板处理装置；分别设于多个基板处理装置且控制基板处理装置的第1控制部；从第1控制部接收多种数据的中继部；和从中继部接收数据的第2控制部，中继部按数据的种类和第1控制部中的某一方或双方变更向第2控制部发送数据的发送间隔。
处理系统半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010103393.4在审
发明人：八幡橘;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于针对构成为具有振动的膜的半导体器件，提供使该膜对振动的耐受性提高的技术。作为形成可振动绝缘膜的工序，至少具备形成第一硅氧化膜的工序、形成第一硅氮化膜的工序、形成第二硅氧化膜的工序、和形成第二硅氮化膜的工序，使用下述衬底处理装置进行上述各工序，所述衬底处理装置构成为对具有上部电极及下部电极的处理室进行气体供给，并且构成为利用开关切换来选择性地对上部电极和下部电极中的各自供给高频电力或低频电力中的任一者。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910126048.X在审
发明人：佐佐木隆史;盛满和广;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其课题为提高各衬底的处理均匀性。其解决手段为下述衬底处理装置，其具有对衬底进行处理的多个设备、和介由网络而与多个设备进行通信的控制部，其中，多个设备中的各自具备：处理执行部，其基于与控制部所保持的工艺制程相对应的设定参数来对衬底进行处理；发送接收部，其进行将处理执行部的测定值发送至控制部、和从控制部接收更新参数；和更新部，其基于接收到的更新参数，将设定参数更新，控制部具备：学习部，其将测定值作为学习用数据，基于学习用数据进行学习，并生成对设定参数进行更新的更新数据；运算部，其基于更新数据生成更新参数；和发送接收部，其在多个设备之间对测定值和更新参数进行发送接收。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

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