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[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310960178.X在审
发明人：卢敬娟;高守帅;李晓茜;张东炎;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的上表面，第一电极位于台面上并电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层，半导体叠层具有一第一倾斜侧壁，第一倾斜侧壁的两端分别连接第二半导体层的上表面和台面，第一倾斜侧壁与台面的夹角范围为110～135°，第一电极到发光层的间距范围为2.5‑13um。借此设置，能够提升该发光二极管的可靠性，提升发光二极管的ESD防护性能。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种易脱模的模具-CN202221827377.0有效
发明人： 高守帅;景帅帅;赵桂云;陆军 -专利权人：天元建设集团有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B28B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及模具领域，具体为一种易脱模的模具，包括第一模具和脱模装置，第一模具的一侧滑动连接有第二模具，脱模装置设置在第一模具的一侧，脱模装置包括刮片，刮片设置在第一模具的内壁，刮片的一侧固定连接有伸缩杆，伸缩杆远离刮片的一侧贯通第一模具并与第一模具滑动连接，刮片的一侧固定连接有卡块，第一模具靠近卡块的一侧开设有孔一，卡块与第一模具一侧的孔一卡合连接，第一模具的一侧开设有槽一，第一模具一侧的槽一的内壁滑动连接有挡块，通过设置脱模装置，有效对模具的内部进行清理，方便模具脱模，增加了设备的易用性，便于清理，减少了模具的磨损，便于进行使用。
一种脱模模具

[发明专利]一种薄膜太阳能电池制备方法-CN201811333138.8有效
发明人：张毅;王东潇;姜振武;陈江涛;高守帅;吴建宇;武莉;敖建平;孙云 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成背电极；在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；形成缓冲层；形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明通过采用NaF溶液对金属预制层进行处理，使得薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。
一种薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法-CN201811331966.8在审
发明人：张毅;王东潇;高守帅;武莉 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：背电极形成步骤，在衬底上形成背电极；吸收层形成步骤，在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在Na₃PO₄溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；缓冲层形成步骤，在吸收层上形成缓冲层；窗口层形成步骤，在缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及顶电极形成步骤，在所述窗口层上形成顶电极。本发明通过采用Na₃PO₄溶液对金属预制层进行处理，使得化合物半导体薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。
金属预制层化合物半导体薄膜背电极吸收层太阳能电池制备窗口层顶电极缓冲层烘干缓冲层形成步骤本征氧化锌层太阳能电池开路电压器件效率硒化处理氧化锌层衬底浸泡掺杂应用

[发明专利]一种化合物半导体-铁电耦合的太阳电池-CN201711360879.0在审
发明人：张毅;王东潇;李秀玲;高守帅;曾玉;武莉 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种化合物半导体‑铁电耦合的太阳电池，是以BaTiO₃铁电纳米颗粒为纳米偶极子，CZTSe为吸收层。本发明的特点是：(1)提出将光伏介质CZTSe和铁电纳米极化颗粒BaTiO₃耦合生长在一起形成化合物半导体‑铁电耦合的薄膜，利用CZTSe较高的光吸收系数和BaTiO₃铁电纳米颗粒自发极化构建的内建电场分离光生电子和空穴。提高太阳电池的开路电压和效率。(2)通过简单的溶胶凝胶方法，制备出了立方相的BaTiO₃。所制备的BaTiO₃纳米颗粒的平均粒径为25nm。(3)通过溶液法制备了BaTiO₃/CZTSe化合物半导体‑铁电耦合的太阳电池。
化合物半导体耦合的铁电铁电纳米颗粒制备空穴光吸收系数溶液法制备光生电子极化颗粒开路电压纳米颗粒内建电场平均粒径溶胶凝胶铁电纳米自发极化耦合立方相偶极子吸收层构建光伏薄膜生长