“马可军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果92个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]适用于半导体材料的拉丝式切割机-CN202110690422.6有效
发明人：郑律;孟庆党;俞振中;马可军 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种适用于半导体材料的拉丝式切割机，包括：工作台；转动台，以第一轴线为轴转动连接在工作台的上方；夹装组件，包含一个夹装座和一个夹装块以用于夹装待切割的半导体材料；龙门架，固定安装在工作台的上方；滑动块，滑动连接至龙门架以使其能沿第一方向往复运动；切割丝，安装至滑动块以使其随着滑动块往沿第一方向往复滑动；驱动电机，固定安装至龙门架以驱动滑动块的往复运动；其中，转动台包括：台座和滑台，它们构成滑动连接；夹装座固定连接至滑台，夹装块与夹装座构成活动连接。本申请的有益之处在于提供了一种结构简洁可靠且能够根据具体需求进行个性化加工的适用于半导体材料的拉丝式切割机。
适用于半导体材料拉丝切割机

[实用新型]适用于半导体材料的拉丝式切割机-CN202121386622.4有效
发明人：郑律;孟庆党;俞振中;马可军 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种适用于半导体材料的拉丝式切割机，包括：工作台；转动台，以第一轴线为轴转动连接在工作台的上方；夹装组件，包含一个夹装座和一个夹装块以用于装夹待切割的半导体材料；龙门架，固定安装在工作台的上方；滑动块，滑动连接至龙门架以使其能沿第一方向往复运动；切割丝，安装至滑动块以使其随着滑动块往沿第一方向往复滑动；驱动电机，固定安装至龙门架以驱动滑动块的往复运动；其中，转动台的第一轴线垂直于第一方向；装夹座固定连接至转动台，装夹块与装夹座构成活动连接。本申请的有益之处在于提供了一种结构简洁可靠且能够根据具体需求进行个性化加工的适用于半导体材料的拉丝式切割机。
适用于半导体材料拉丝切割机

[发明专利]MENS芯片制造方法-CN202110690393.3在审
发明人：郑律;陈江;夏凌辉;陈志明;陈明法;马可军;俞振中 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：为了解决现有技术的不足之处，本申请提供了一种MENS芯片制造方法,包括如下步骤:利用第一胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层的第一侧；利用第二胶层将一个基板粘贴至所述牺牲层的第二侧；加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔；加工所述功能层以形成芯片图形；沿所述预制腔加工所述牺牲层以形成贯穿所述基板、第二胶层和牺牲层的终制腔。本申请的有益之处在于提供了一种步骤合理且又能保证支撑强度的MENS芯片制造方法。
mens 芯片制造方法

[发明专利]锑化铟芯片的制备方法-CN202011383350.2在审
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。
锑化铟芯片制备方法

[实用新型]一种气相生长ZnTe单晶体的装置-CN201920733278.8有效
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时，主舟与长晶套管由石英磨砂连接，主舟内形成密闭空间，加热料舟至目标温度，控制加热炉以一个与晶体生长速率相匹配的恒定速度沿炉腔轴向移动，从而使在长晶过程中ZnTe晶体的固气界面始终保持恒定的生长温场环境，实现ZnTe单晶的稳定生长。
一种相生 znte 单晶体装置

[发明专利]一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法-CN201910425527.1在审
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10^‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时，主舟与长晶套管由石英磨砂连接，主舟内形成密闭空间，加热料舟至目标温度，控制加热炉以一个与晶体生长速率相匹配的恒定速度沿炉腔轴向移动，从而使在长晶过程中ZnTe晶体的固气界面始终保持恒定的生长温场环境，实现ZnTe单晶的稳定生长。
加热炉炉腔套管单晶体石英管生长轴向相对移动恒定晶体生长密闭空间生长温场轴向移动氩气恒定的恒温区加热料降温区晶体的石英舟单晶固气料舟磨砂石英温区轴向气压匹配贯通安置

[发明专利]一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件-CN201611115868.1有效
发明人：俞振中;马可军;郑律 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10¹⁷/cm³。一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，采用In源、Sb源、In‑Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜，所述In‑Te合金中Te的含量为1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。
一种掺杂 insb 薄膜制备方法器件

[发明专利]一种高性能磁阻器件及制造工艺-CN201511028560.9有效
发明人： 马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能磁阻器件及制造工艺，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。
一种性能磁阻器件制造工艺

[发明专利]大功率高温白光LED封装及其制作方法-CN201480000542.7有效
发明人：梁月山;曹顿华;马可军 -专利权人：上海富迪照明电器有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明公开了大功率高温白光LED封装，包括蓝光芯片、CeYAG固态荧光材料，以及包围所述蓝光芯片和CeYAG固态荧光材料的封装支架；所述CeYAG固态荧光材料覆盖贴合于蓝光芯片上。本发明还公开了大功率高温白光LED封装的制作方法。采用上述技术方案制成的大功率高温白光LED封装通过支架结构直接贴合固态荧光材料与大功率蓝光芯片，利用透镜原理将芯片的蓝光和晶片转化发出的黄绿光并予以混合，得到白光。该大功率高温白光LED封装结构无需使用黏合剂，具有高荧光效率，可以在大于150度的温度下工作，节能环保并且大幅提高LED照明设备的使用寿命。
大功率高温白光 led 封装及其制作方法

[发明专利]基于固态荧光材料的嵌入式白光LED封装结构及其制作方法-CN201480000543.1有效
发明人：梁月山;曹顿华;马可军 -专利权人：上海富迪照明电器有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了基于固态荧光材料的嵌入式白光LED封装结构，包括蓝光芯片和CeYAG固态荧光材料，CeYAG固态荧光材料上设有与蓝光芯片相匹配的凹槽，蓝光芯片嵌入凹槽内。本发明的大功率蓝光芯片直接嵌入贴合于固态荧光材料的凹槽内，利用透镜原理将芯片发出的蓝光和固态荧光材料转化发出的黄绿光并予以混合，得到白光。该基于固态荧光材料的嵌入式白光LED封装结构工艺简单、成本低；具有高荧光效率，蓝光不泄露；可以直接通过固态荧光材料散热，散热性能好；节能环保并且大幅提高LED照明设备的使用寿命。
基于固态荧光材料嵌入式白光 led 封装结构及其制作方法

[发明专利]一种白光LED封装结构及封装方法-CN201410105225.3有效
发明人：曹顿华;梁月山;马可军 -专利权人：昆山开威电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光LED封装结构及封装方法，将荧光晶片通过掺杂红色荧光粉的贴合层贴合在蓝光芯片上，工艺简单，所得到的LED器件荧光效率高、显色性能可调。
一种白光 led 封装结构方法

[实用新型]一种具有InSb磁阻元件的磁头-CN201621337255.8有效
发明人：郑律;马可军;俞振中 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适合大批量生产的具有InSb磁阻元件的磁头。一种具有InSb磁阻元件的磁头，包括外壳、设置在所述外壳内的InSb磁阻元件以及磁钢，所述磁头还包括PCB板组件，所述PCB板组件包括第一PCB板和第二PCB板，所述磁钢和所述磁阻元件分别位于所述第一PCB板的相对两侧且所述InSb磁阻元件超声或热压焊接在所述第一PCB板上，所述第二PCB板上设置信号处理电路，所述第一PCB板和第二PCB板电连接。所述PCB板组件还包括具有结构支撑作用及用于设置电路的第三PCB板，所述第一PCB板、第二PCB板、第三PCB板依次层叠设置，所述第三PCB板与所述第二PCB板或与所述第二PCB板及所述第三PCB板电连接。
一种具有 insb 磁阻元件磁头

[实用新型]用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构-CN201521137521.8有效
发明人： 马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过渡层设置，避免了陶瓷上孔洞对薄膜层的影响；而过渡层与薄膜层均为导电层，二者之间增加绝缘层起到了绝缘的作用。
用于 insb 器件薄膜材料结构

[发明专利]一种InSb光导器件及其制备方法-CN201610122190.3在审
发明人： 马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种InSb光导器件及其制备方法。InSb光导器件包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。P型杂质为Zn或Cd。InSb光导器件制备过程包括：取InSb高纯晶体材料，通过切割、研磨、抛光、光刻成型制得厚度为5~15μm的高纯InSb光敏元件，然后采用扩散法向高纯InSb光敏元件内扩散掺杂P型杂质。具体地，将高纯InSb光敏元件和P型杂质：Sb源置于双温区真空石英管内，高纯InSb光敏元件区的温度为400~500℃，P型杂质：Sb源区的温度稍低。由于掺杂P型杂质，InSb光导器件为一种高性能的室温InSb光导器件，响应率较高，相比掺杂生长晶体具有较高产率。
一种 insb 器件及其制备方法

[实用新型]一种高性能磁阻器件-CN201521137507.8有效
发明人： 马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能磁阻器件，包括第一电极、第二电极以及多个连接电极，设InSb薄膜圆盘为n个，连接电极为n+1个，第1个连接电极的一端与第一电极相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第1个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第x个连接电极的一端与第x-1个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端跨过位于第x个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第x个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第n+1个连接电极的一端与第n个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端与第二电极相连接。多个科比诺圆盘串联结构，取代传统长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应同时，又具备较大输入阻抗。
一种性能磁阻器件

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 92 条