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[发明专利]基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器-CN202310893513.9在审
发明人：王浩;李振东;饶毅恒;吕琳;韩伟;冯辰胤;桃李 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，具体公开了一种基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器；其由匹配电感、级间变压器以及通过匹配电感级联的第一级放大结构和第二级放大结构构成；级间变压器由第一电感和第二电感反向耦合而成，第一级放大结构与第一电感的线圈异名端相连，第二级放大结构与第二电感的线圈异名端相连；第一电感的线圈同名端、第二电感的线圈同名端均连接偏置电压。本发明适用于改善低噪声放大器的性能，能够拓展电路带宽、降低电路面积、优化电路噪声。
基于对称变压器宽带功耗紧凑型低噪声放大器

[发明专利]基于硅掺杂碲化锗的选通管器件及其制备方法-CN202310371857.3在审
发明人： 饶毅恒;苏锦;王浩;马国坤;万厚钊;余明珠 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于选通管器件技术领域，公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，从下至上依次为：底电极，转换层，顶电极；底电极的材料为Pt，转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜，顶电极的材料为Ti；转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50；本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性，由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
基于掺杂碲化锗选通管器件及其制备方法

[发明专利]变压器及基于变压器的磁耦合增强型压控振荡器-CN202211550976.7在审
发明人：王浩;王晶晶;饶毅恒;李振东;万厚钊;马国坤;吕琳;余明珠;刘长江;任朝阳 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明属于无线通信技术领域，公开了一种变压器，包括相同的第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3和第四电感L4，所述第一电感L1和第二电感L2相对，第一电感L1和第三电感L3相邻，第三电感L3和第四电感L4相对，第二电感L2和第四电感L4相邻；本发明还公开了基于上述变压器的磁耦合增强型压控振荡器。本发明的变压器具有较强的磁耦合性能、轴对称性，且结构紧凑，适用于通过变压器实现压控振荡器的宽调谐范围。
变压器基于耦合增强压控振荡器

[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法-CN202110170101.3有效
发明人：王浩;余志颖;季杰;檀秋阳;潘希彦;马国坤;饶毅恒;万厚钊;桃李;彭小牛;段金霞;汪汉斌;汪宝元 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
一种基于氧化 s1r 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法-CN202110395190.1有效
发明人：马国坤;桃李;万厚钊;段金霞;饶毅恒;董文静;刘能帆;陈傲;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
一种基于掺杂氧化器件及其制备方法

[实用新型]一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型-CN202222444769.5有效
发明人： 饶毅恒;韩旭;成炳麟;王浩;任朝阳;马国坤;万厚钊 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01P3/10 文献下载
摘要：本实用新型属于微波、毫米波频段无源电路设计领域，公开了一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型，包括介质层、上参考地平面、下参考地平面，信号线位于介质层上表面的中心，上参考地平面包括两个顶层金属接地板，两个顶层金属接地板分别位于信号线的两侧，与信号线之间留有缝隙，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边均刻蚀有上缺陷地结构，下参考地平面与上参考地平面上的上缺陷地结构相对应的位置刻蚀有下缺陷地结构，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边设置有第一通孔，第一通孔贯穿上参考地平面、介质层和下参考地平面。本实用新型避免了引入非理想高阶模响应。本实用新型适用于接地共面波导中抑制缺陷地非理想谐振。
一种基于接地波导结构抑制缺陷理想谐振模型

[发明专利]基于缺陷地的多频宽带化PIFA天线-CN202210734078.0在审
发明人： 饶毅恒;王思远;王浩;马国坤;万厚钊 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明属于天线技术领域，公开了一种基于缺陷地的多频宽带化PIFA天线，包括由上向下依次排列的辐射单元、介质层、接地平面，以及短路壁和同轴馈线；短路壁一端与辐射单元连接，另一端穿过介质层和接地平面连接；同轴馈线一端与辐射单元连接，另一端穿过介质层和接地平面后与馈源连接进行馈电；辐射单元、接地平面平行设置，辐射单元中心处刻蚀有缝隙加载结构，接地平面上刻蚀有缺陷地结构。本发明用于实现PIFA天线的多频及小型化，具有结构简单，加工方便，易于集成的优势。
基于缺陷频宽 pifa 天线

[发明专利]一种忆阻器的状态检测方法及其读写装置-CN202210674740.8在审
发明人：王浩;郑卓成;沈谅平;马国坤;万厚钊;饶毅恒;桃李 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
一种忆阻器状态检测方法及其读写装置

[发明专利]一种基于文氏桥振荡器结构的真随机数发生器-CN202010911073.1有效
发明人：马国坤;赵亚红;王浩;饶毅恒;郑精 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有忆阻器(RRAM)的基于文氏桥振荡器结构的真随机数发生器，属于信息安全领域；本发明提供的随机数发生器包括：忆阻器分压供电模块、混沌电路模块、单片机数据采集模块；所述忆阻器分压供电模块为所述混沌电路模块进行供电，由于所述忆阻器分压供电模块提供的工作电压具有随机性，使得所述混沌电路模块产生的随机数具有随机性；所述单片机数据采集模块对所述随机数进行数据采集。实现整体混沌系统的不可预测性和不可复制，对要求较高的加密安全系统起到了重大贡献。
一种基于文氏桥振荡器结构随机数发生器

[发明专利]基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法-CN201911277481.X有效
发明人：金立川;李之仪;张岱南;饶毅恒;钟智勇;李明明;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法，属于高频电子信息设备技术领域。所述自旋电子天线阵列包括多个阵列排布的自旋电子天线单元以及单元间的电连接导体，所述自旋电子天线单元包括衬底，以及依次形成于衬底之上的低损耗磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，所述磁性薄膜应施加外偏置磁场进行磁化，或者具有自偏置特性，以调节天线的工作频率。本发明自旋电子天线阵列，结构简单，集成度高，易于在多种介质基板上加工制作，接收电磁波频率范围很宽，可通过改变磁性材料种类实现MHz，数GHz至数百GHz频段的电磁波接收，响应速度在ns至ps量级，可广泛应用于5G通信，无线传感网络等电子信息系统中。
基于自旋霍尔效应电子天线阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法-CN202110939199.4在审
发明人：王浩;赵晓虎;万经树;余志颖;马国坤;陈傲;陈大磊;饶毅恒 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
一种基于 s1r 逻辑运算单元运算方法

[发明专利]一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法-CN202110373948.1在审
发明人：王浩;湛飞;马国坤;饶毅恒;桃李;段金霞;彭小牛;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
一种基于临界二氧化碳流体处理 mos 方法

[发明专利]一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法-CN202110395182.7在审
发明人：王浩;桃李;万厚钊;段金霞;饶毅恒;董文静;马国坤;陈傲;刘能帆 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
一种基于掺杂氧化抗串扰阻变器件及其制备方法

[发明专利]一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法-CN202110308197.5在审
发明人：马国坤;夏雅馨;桃李;饶毅恒;段金霞;董文静;万厚钊;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
一种基于掺杂氧化多功能存储器件及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法-CN202110149898.9在审
发明人：马国坤;余志颖;檀秋阳;王聪;季杰;万厚钊;桃李;饶毅恒;段金霞;彭小牛;张军;沈谅平;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能，在一定次数的直流耐受性测试中，有稳定的操作电压，也有明显的存储窗口。
一种基于氧化铌选通管 s1r 器件及其制备方法

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