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[发明专利]功率整流器件-CN201810797114.1有效
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种功率整流器件，包括：包括n‑型导电性的碳化硅的漂移层；设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触。所述功率整理器件还可以包括设置在所述肖特基电极下面的p‑型区域阵列。
功率整流器件

[发明专利]功率器件及其制造方法-CN201811294910.X有效
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯托夫·L·雷克塞尔;马克·L·赖尼希默;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;李在吉;哈姆扎·耶尔马兹;尹钟晩;德韦恩·S·赖希尔;潘南西;罗德尼·S·里德利;哈罗德·海登赖希 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。
功率器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅(SiC)器件及其制造方法-CN201610183536.0有效
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫 -专利权人： 飞兆半导体公司;快捷半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在至少一个一般方面，本发明提供了一种SiC器件及其制造方法，所述SiC器件可包括第一导电类型的漂移区、屏蔽体和肖特基区。所述SiC器件可包括至少部分地围绕所述屏蔽体和所述肖特基区的具有第二导电类型的边缘。所述SiC器件可包括至少部分地围绕所述边缘并且具有所述第二导电类型的掺杂的终端区。所述终端区可具有设置在第一区带和第二区带之间的过渡区带，其中所述第一区带的顶表面的深度小于所述第二区带的顶表面的深度，并且所述过渡区带具有凹陷部。
碳化硅 sic 器件及其制造方法

[发明专利]与半导体器件的端接区相关的装置-CN201911293868.4在审
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;理查德·斯托克斯;金洙丘;杰森·希格斯;弗雷德·塞西诺;陈晖;史蒂文·P·萨普;杰森·普雷切;M·L·莱因海默 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一个总的方面，本发明提供了一种装置，该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分，并可具有包括在所述半导体区的有源区中的长度的第二部分。
半导体器件端接相关装置

[发明专利]箝位电路及箝位电压的方法-CN201710482741.1有效
发明人：黄雷;李永亮 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H03K5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种箝位电路及箝位电压的方法，该箝位电路包括：第一开关控制单元，包括控制端以及第一开关端和第二开关端，其中，控制端和第一开关端耦接至比较器的第一级输出的高电势端，并且其中，第一开关控制单元被配置为在高电势端的电压低于第一预定值时，将高电势端的电压箝位至第一电压；以及第二开关控制单元，包括控制端以及第一开关端和第二开关端，其中，控制端和第一开关端耦接至比较器的第一级输出的低电势端，并且其中，第二开关控制单元被配置为在低电势端的电压高于第二预定值时，将低电势端的电压箝位至第二电压。
箝位电路电压方法

[发明专利]与半导体器件的端接区相关的装置-CN201410099242.0有效
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;理查德·斯托克斯;金洙丘;杰森·希格斯;弗雷德·塞西诺;陈晖;史蒂文·P·萨普;杰森·普雷切;M·L·莱因海默 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一个总的方面，本发明提供了一种装置，该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分，并可具有包括在所述半导体区的有源区中的长度的第二部分。
半导体器件端接相关装置

[发明专利]半导体组件-CN201310269385.7有效
发明人：杜安·A·休斯 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组件，尤其公开了一种电源模块半导体组件，其包括柔性电路板以及制造这样的组件的方法。半导体组件包含柔性电路板，在柔性电路板的上表面的第一部分上的导电薄膜，在柔性电路板的上表面的第二部分上的焊盘，在柔性电路板的底面的一部分上的散热器、无源元件、分离设备，或连接到导电薄膜的一部分的IC设备，和连接到焊盘的引线框架的引线。这些组件可以具有高度设计灵活性的组件布置和简便的布线设计，减少了设计组件的时间并且降低了组件的成本。也描述了其他的实施例。
半导体组件

[发明专利]无结绝缘栅电流限制器装置-CN201410392478.3有效
发明人：提尔塔伊约蒂·萨卡尔;阿德里安·米科拉杰克扎克;何宜修;阿肖克·沙拉 -专利权人： 飞兆半导体公司;快捷半导体（苏州）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种无结绝缘栅电流限制器装置。在一个总体方面，设备可包括半导体衬底，以及限定在所述半导体衬底内并具有沿着垂直轴对齐的深度、沿着纵轴对齐的长度和沿着水平轴对齐的宽度的沟槽。所述设备包括设置在所述沟槽内的电介质，以及设置在所述电介质内的并且通过所述电介质与所述半导体衬底绝缘的电极。所述半导体衬底可具有垂直对齐并且邻近所述沟槽的部分，并且所述半导体衬底的部分可具有沿着所述沟槽的整个深度连续的导电类型。将所述设备偏置为常导通状态。
绝缘电流限制器装置

[发明专利]屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质-CN201210072092.5有效
发明人：迪安·E·普罗布斯特 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质。在一个总体方面中，装置可以包括设置在沿半导体的外延层内的轴排列的沟槽内的屏蔽电介质以及设置在所述屏蔽电介质内且沿所述轴排列的屏蔽电极。所述装置可以包括第一多晶硅层间电介质和第二多晶硅层间电介质，其中所述第一多晶硅层间电介质具有与垂直于所述轴的面交叉的部分，其中所述面与所述屏蔽电极交叉，所述第二多晶硅层间电介质具有与所述面交叉且设置在所述第一多晶硅层间电介质和所述屏蔽电极之间的部分。所述装置还可以包括具有设置在所述第一多晶硅层间电介质上的部分的栅极电介质。
屏蔽栅极 mosfet 器件中的多晶硅层间电介质

[发明专利]半导体结构和包括场效应晶体管区和肖特基区的装置-CN201410005313.6有效
发明人：潘南西;克里斯托弗·劳伦斯·雷克塞尔 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构以及涉及包括场效应晶体管区和肖特基区的装置，该半导体结构包括屏蔽栅FET，所述半导体结构包括：在半导体区中的多个沟槽；在每个沟槽的底部中的屏蔽电极；位于屏蔽电极之上的栅电极；衬在每个沟槽的下侧壁上的屏蔽电介质；以及衬在每个沟槽底部上的厚的底部电介质(TBD)，其中TBD的厚度不同于屏蔽电介质的厚度。
形成用于沟槽器件底部电介质 tbd 结构方法

[发明专利]输入电力保护设备-CN201410090918.X有效
发明人：克里斯托弗·纳萨尔;威廉·R·纽伯里;阿德里安·米科拉杰克扎克;耶姆·布拉沃 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及输入电力保护。在一个总体方面，提供一种设备，该设备可包括输入端、输出端和接地端。所述设备还可包括耦接在所述输入端与所述输出端之间的过电流保护器件。所述设备还可包括耦接在所述输出端与所述接地端之间的热分流器件，所述热分流器件被配置为在阈值温度以热致低阻抗状态工作。
输入电力保护

[发明专利]开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置-CN201310251209.0有效
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了用于功率变换应用的开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置的新设计。用于功率变换应用的开关电路，所述开关电路包括第一基于硅的双极型开关装置和包括宽带隙半导体的第二开关装置，所述第一和第二开关装置是并联连接的。将主硅双极型开关并联连接于由宽带隙材料形成的缓冲开关（snubber switch）。在主硅开关的接通和/或关闭期间启动缓冲开关以便最大限度地减少开关损耗和分路安全操作区域限制。
开关电路开关系统控制器电路以及电功率转换装置

[发明专利]具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件-CN201811146571.0在审
发明人：朴赞毫;阿肖克·沙拉;瑞图·索迪 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。披露了一种装置，包括基板；位于基板上且具有第一导电类型的外延层；位于外延层中的第一沟槽；位于第一沟槽中的沟槽氧化物，具有位于沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物部分；位于第一沟槽旁侧的第二沟槽，沟槽底部氧化物部分具有大于在外延层中第一沟槽与第二沟槽之间的距离的厚度，外延层具有位于第一沟槽的底部表面和基板之间的部分；本体区，位于外延层上方且位于第一沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分和第二沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分之间，本体区具有不同于第一导电性类型的第二导电性类型，沟槽底部氧化物部分的厚度大于第一沟槽与第二沟槽之间的台面的宽度的两倍且小于台面的宽度的三倍。
底部氧化物外延层沟槽氧化物基板导电性类型第一导电类型底部表面

[发明专利]分立器件中的负载平衡-CN201410373503.3有效
发明人：艾哈迈德·R·阿什拉夫扎德 -专利权人： 飞兆半导体公司;快捷半导体（苏州）有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本申请涉及分立器件中的负载平衡。在一般方面，本发明公开了一种设备，所述设备可包括温度测量电路和温度比较电路，所述温度测量电路被配置成生成指示第一半导体器件的第一操作温度的第一信号，所述温度比较电路可操作地与所述温度测量电路联接。所述温度比较电路可被配置成将所述第一信号与第二信号作比较并且生成比较信号，所述第二信号指示至少第二半导体器件的第二操作温度，所述比较信号指示所述指示的第一操作温度是否高于、低于或等于所述指示的第二操作温度。所述设备还可包括调节电路，所述调节电路被配置成基于所述比较信号调节所述第一半导体器件的操作。
分立器件中的负载平衡

[发明专利]包括电流限制器的方法和设备-CN201410098911.2有效
发明人：提尔塔伊约蒂·萨卡尔;阿德里安·米科拉杰克扎克;何宜修;阿肖克·沙拉 -专利权人： 飞兆半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及包括电流限制器的方法和设备。在一个总体方面，所述设备可包括负载端和电源端。所述设备可包括耦接至所述负载端并耦接至所述电源端的电流限制器。所述电流限制器可被配置为使用响应于在所述电源端与所述负载端之间的电压差所激活的电场，限制从所述电源端流至所述负载端的电流。
包括电流限制器方法设备

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