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[发明专利]一种集成电路设计中插入时钟门控的方法-CN202211613425.0在审
发明人：董森华;雍晓;刘毅 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路设计中插入时钟门控的方法，包括以下步骤：1）将目标设计被抽象历程处理转换成以操作为基底的通用网表，所述目标设计，包括，寄存器传输级；2）设定部分时钟门控约束；3）识别所有时序器件并将其转换成相对更通用的时序器件；4）选取时序器件，寻找选定时序器件的反馈回路，制作反馈回路签名，所述反馈回路签名，包括，反馈回路中的所有的实例类型、每个实例的控制信号与每个实例的反馈位置；5）检查当前的时序器件是否存在可能与其他的时序器件共享激源逻辑电路并产生时钟门控群组；6）对时序器件进行分组；7）生成时序器件的激源逻辑和载入逻辑；8）基于激源逻辑生成时钟门控逻辑。本发明可以自动推导出集成电路设计中的时钟门控（Clock Gating）的电路。
一种集成电路设计插入时钟门控方法

[发明专利]一种集成电路设计网表中插入扫描链的方法-CN202211627123.9在审
发明人：董森华;雍晓;刘毅 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路设计网表中插入扫描链的方法，包括以下步骤：1）确定初始逻辑网表；2）访问设计资料库，确定网表中用于扫描单元的顺序元素；3）确定并用扫描单元更换顺序单元；4）抽取、切断已经存在的扫描链；5）对扫描单元进行分组以及排序；6）访问时序资料库中的定时信息，将功能单元之间的连线长度与时序关系作为权重成本函数进行整体的实体优化布局；7）串连、拼接扫描单元，生成扫描链；8）进行局部再加强实体优化；9）输出更新的逻辑网表结果。本发明可以降低保留时间的时序违反。
一种集成电路设计网表中插入扫描方法

[发明专利]一种以旁路电路形式插入扫描单元的方法-CN202211561912.7在审
发明人：董森华;雍晓;刘毅 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/333 文献下载
摘要：本发明提供了一种以旁路电路形式插入扫描单元的方法，包括以下步骤：1）输入HDL电路设计，获得硬件描述语言电路设计信息。2）确定需要提升可测试性的接口端，以及需要插入扫描电路的相邻集成电路模块之间的端口；3）根据需要提升可测试性的接口端，在所述接口端的两个相邻集成电路模块之间插入测试点及逻辑电路；4）确定需要提升可测试性的存储器模块与黑盒电路，并导出指定的输入输出端口对；5）设定扫描单元的个数并根据扫描单元的个数将扫描单元或多任务器插入所述输入输出端口对。本发明可以提升电路的可控制性与可观察性。
一种旁路电路形式插入扫描单元方法

[发明专利]一种考虑标准单元老化效应的仿真分析方法-CN202211387039.4在审
发明人：刘毅;陈彬;雍晓;都长鑫 -专利权人：成都华大九天科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明提供了一种考虑标准单元老化效应的仿真分析方法，包括以下步骤：1）读入一种工艺条件下的标准单元库；2）根据仿真需要，选取所需类型的标准单元Cell，按照FON电路结构，搭建测试电路；3）采用FON电路结构作为测试电路，根据网表实例化信息以及连接关系，生成对应的SPICE仿真网表；4）调整更新单元的晶体管模型参数，确定老化时间后的单元时序表现，得到时序仿真延迟值；5）确定仿真单元的静态时序库信息；6）计算仿真单元的老化时序退化率，其中，老化时序退化率=（时序仿真延迟值/静态时序库信息）*100%。本发明模拟老化时间之后的单元时序行为，获得单元的老化时序退化率，优化设计策略。
一种考虑标准单元老化效应仿真分析方法

[发明专利]SV运行时的表达式求值方法-CN202211036281.7在审
发明人：陈彬;杨晓东;董森华;雍晓 -专利权人：成都华大九天科技有限公司
申请日： 2022-08-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F40/253 文献下载
摘要：一种SV运行时的表达式求值方法，其包括：对输入的SV表达式字符串进行语法分析，以将SV表达式字符串转换为AST，AST包括节点以及节点间依赖关系，节点包括操作节点、变量节点；基于SV语义检测规则，对AST进行语义分析，以通过变量查询推导AST中各个变量节点的表达式类型，以及通过操作数合法化核查来确定各个操作节点的表达式类型，并基于表达式类型进行表达式类型传播以对AST进行合法化；判断合法化的AST是否需要优化，如果不需要，则按照自底向上的方向进行遍历，以对合法化后的AST进行求值操作得到SV表达式字符串的求值结果；如果需要，则对合法化后的AST进行优化，按照自底向上的方向进行遍历以对优化后的AST进行求值操作得到SV表达式字符串的求值结果。
sv 运行表达式求值方法

[发明专利]一种筛选带老化效应关键时序路径集的方法-CN202210601606.5在审
发明人：江荣贵;陈彬;郭超;雍晓;余涵 -专利权人：南京华大九天科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F30/3315 文献下载
摘要：本发明提供一种筛选带老化效应关键时序路径集的方法，包括：利用STA和SPICE单元时序特征库查找表，获取带老化效应的时序特征数据；利用计分排序机制对所述带老化效应的时序特征数据排序，得到带老化效应的时序特征数据的计分排序顺位；基于所述带老化效应的时序特征数据的计分排序顺位，兼顾时序路径的时序松弛量和时序退化量进行关键路径筛选，获取关键时序路径集合。本发明的筛选带老化效应关键时序路径集的方法，在数据筛选过程中无需复杂计算，可快速收敛得到可靠唯一的关键时序路径集合。
一种筛选老化效应关键时序路径方法

[发明专利]一种基于电路信息的半张量积SAT求解装置及方法-CN202210398898.7在审
发明人：储著飞;潘鸿洋;雍晓;董森华 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：一种基于电路信息的半张量积SAT求解装置，包括，输入解析模块、结构转换模块、冲突驱动的电路子句学习算法模块和赋值求解模块，其中，所述输入解析模块，用于将输入的电路信息文件解析所述结构转换模块需要的数据；所述结构转换模块，用于将所述输入解析模块解析的数据转换成基本单元，并发送到所述冲突驱动的电路子句学习算法模块进行求解；所述冲突驱动的电路子句学习算法模块，用于求解电路的SAT，得到满足整体电路的可满足解；所述的赋值求解模块，用于进行各布尔变量的SAT求解赋值。本发明的基于电路信息的半张量积SAT求解装置及方法，既能降低计算时间，又可以取消编码过程。
一种基于电路信息张量积 sat 求解装置方法

[发明专利]一种基于合取范式的半张量积SAT求解方法及装置-CN202210397830.7在审
发明人：储著飞;潘鸿洋;雍晓;董森华 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：一种基于合取范式的半张量积SAT求解方法，包括，解析合取范式子句；根据解析得到的合取范式子句，将每个子句Cx表示转换成对应的逻辑矩阵表示Mx，并将得到的Mx通过逻辑关系组合成一组矩阵表达式；根据半张量积SAT求解计算逻辑矩阵表示；根据得到每个Cx的可满足赋值，将每组可满足赋值取交集，得到一组满足所有独立子句C的可满足布尔赋值。本发明的基于合取范式的半张量积SAT求解方法及装置，既能降低计算时间，提高计算效率，又可以提高可满足解的紧致性。
一种基于范式张量积 sat 求解方法装置

[发明专利]多比特寄存器的仿真方法、装置和电子设备-CN202110893478.1有效
发明人：杨自锋;陈彬;郭超;雍晓 -专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本申请公开了一种多比特寄存器的仿真方法、装置和电子设备，所述方法包括：对至少两比特寄存器的管脚状态信息进行扩展处理；根据扩展处理后的管脚状态信息，确定多个状态转移路径；遍历所述多个状态转移路径，确定符合预定要求的目标路径；基于所述目标路径，确定对应的输入信息，能够解决手动根据功能表进行分析比较耗时耗力，也容易出错的问题。
比特寄存器仿真方法装置电子设备

[发明专利]一种快速的老化仿真分析方法-CN202111480765.6在审
发明人：郭超;雍晓;陈彬;江荣贵;石华俊 -专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种快速的老化仿真分析方法，包括以下步骤：基于MOSFET建立宏模型；建立宏模型的SPICE网表，设置表征MOSFET特征参数受BTI效应和/或HCI效应的时间积累效果的节点参数；通过SPICE仿真得到时序电路随着老化时间推移的特征变化。该发明在不需要提供包含老化效应的SPICE模型的情况下，基于MOSFET建立宏模型，用电容的电荷积累效应，模拟MOSFET特征参数在BTI效应和HCI效应的影响下，随老化时间而退化的趋势，从而在单次仿真中观察到时序电路随着老化时间推移的特征变化，为包含老化分析的时序验证提供依据。
一种快速老化仿真分析方法

[发明专利]一种SPICE电压或温度扫描仿真筛选瓶颈单元的方法-CN202111417780.6在审
发明人：江荣贵;雍晓;陈彬;郭超;杨晓东 -专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种SPICE电压或温度扫描仿真筛选瓶颈单元的方法，包括以下步骤：1）从原始时序路径数据集中筛选出STA时序违例的时序路径数据子集；2）对所述时序路径数据子集的每一路径进行SPICE仿真，筛选出关键路径集；3）对所述关键路径集的元素进行降序排列；4）从元素进行降序排列的关键路径集中获取时序分析对象集；5）从所述时序分析对象集中获取实例单元集合；6）获取Instance Cells的趋势特征综合指标；7）根据趋势特征综合指标，构建时序敏感的时序单元集。本发明的方法，结合STA和SPICE仿真，筛选出关键路径中随着实际电压或温度工作条件变化更敏感的时序单元，有效地缩短了ASIC设计周期。
一种 spice 电压温度扫描仿真筛选瓶颈单元方法

[发明专利]电路元器件单元的映射方法、装置和电子设备-CN202110815777.3在审
发明人：刘毅;陈彬;雍晓;董森华;杨晓东 -专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请公开了一种电路元器件单元的映射方法、装置和电子设备，该方法包括：获取第一电路元器件单元库中的多个第一单元和第二电路元器件单元库中的多个第二单元；根据所述第一单元在所述第一电路元器件单元库中的第一标识信息和所述第二单元在所述第二电路元器件单元库中的第二标识信息，确定备选单元；根据所述第一单元和所述第二单元的属性信息，在所述备选单元中确定属性匹配的第一目标单元和第二目标单元；建立所述第一目标单元和所述第二目标单元之间的映射关系，解决人工从至少两套标准单元库挑选出单元进行配对比较的问题。
电路元器件单元映射方法装置电子设备

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