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[发明专利]一种CCGA器件的视觉对位植柱装置及方法-CN202011045075.3有效
发明人：南旭惊;刘晓艳;陈雷达;刘建军;薛宇航 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种CCGA器件的视觉对位植柱装置及方法，包括底座、焊柱承载板和双光学对准系统；焊柱承载板上加工有固定焊柱的通孔阵列，在焊柱承载板的空白区域内设有若干个焊柱承载板对位参考点；若干个焊柱承载板对位参考点在焊柱承载板上沿通孔阵列的边缘设置；底座上加工设置有焊柱承载板容纳凹腔，在焊柱承载板容纳凹腔内设有待植柱器件定位凹腔，且在待植柱器件定位凹腔的边缘对应焊柱承载板对位参考点的位置处分别设有底座对位参考点；通孔阵列的位置与放置在待植柱器件定位凹腔内的待植柱器件对应设置；焊柱承载板的形状与焊柱承载板容纳凹腔对应设置；加工要求较低，操作方便，可实现高精度、低损伤的植柱工艺，提高了CCGA器件的成品率和质量。
一种 ccga 器件视觉对位装置方法

[发明专利]一种键合片多功能补胶装置及方法-CN202310232128.X在审
发明人：王宝成;陈雷达;姚华 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合片多功能补胶装置，包括上料台、补胶模块、供胶模块和传送模块，所述补胶模块和供胶模块连接设置，所述补胶模块和上料台之间通过传送模块连接，所述供胶模块的内部设置加热装置，所述补胶模块上设置检控系统，实现补胶监控。该补胶方法包括以下步骤：取待加工键合片放置于补胶模块上；对待加工键合片进行加热，并提前对供胶模块进行预热；对待加工键合片分析并确定补胶量；在待加工键合片温度达到要求后开始补胶，直至补胶完成。采用补胶装置替代手动补胶，有效减少键合片在补胶过程中发生的溢胶现象。
一种键合片多功能装置方法

[发明专利]一种CCGA器件焊柱无损磨平方法及装置-CN202110663163.8有效
发明人：王宝成;陈雷达;刘晓艳;牛昊;孙青峰 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种CCGA器件焊柱无损磨平方法及装置，通过采用注塑树脂对待修整CCGA器件的焊柱进行灌封的方法对待修整CCGA器件的焊柱端进行灌封，然后将灌封后的待修整CCGA器件的焊柱端进行研磨直至焊柱剩余高度达到设计要求，采用注塑的方法进行焊柱磨平前的固定，可以确保焊柱在研磨的过程中侧壁不会受到损伤，焊柱的垂直度不会变差，最后完成磨平后采用化学溶解的方式实现焊柱灌封的注塑树脂的去除，整个过程无机械应力，实现焊柱的无损磨平，可大幅减少机械夹持引起的焊柱变形和损伤，对于制作高可靠的CCGA具有重要应用价值，具有良好的应用前景和经济效益。经检测，可以实现垂直度3°以内，侧壁无机械损伤的高质量焊柱磨平，优于目前业内的植柱磨平方法。
一种 ccga 器件无损磨平方法装置

[发明专利]一种预制垂直模通孔模封互连基板结构及制造方法-CN202310003789.5在审
发明人： 陈雷达;武洋;周少明 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种预制垂直模通孔模封互连基板结构及制造方法，属于微电子制造技术领域，通过在两个外金属键合垫上均设若干个金属球，并将若干个金属球自下而上依次堆叠设置，形成预制垂直堆叠金属球模通孔，取代现有的激光打孔再填空或掩模光刻后电镀制备垂直模通孔，不容易产生翘曲；对内金属键合垫、重布线路及芯片结构之间注塑，形成基板结构，再将若干个基板结构自下而上依次设置，在最下边一个基板结构的感性树脂胶黏层下表面上植钎料焊球，得到互联基板，能够解决制备模通孔可靠性低的问题。因此，本发明提出的互连基板能够解决现有技术中铜柱过高容易产生翘曲，可靠性低的问题，在微电子制造技术领域具有较好的应用前景。
一种预制垂直模通孔模封互连板结制造方法

[发明专利]一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法-CN202210178297.5在审
发明人：霍瑞霞;陈雷达;刘建军;陈新鹏;蒲晓龙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。
一种降低晶圆级胶键合气泡 pad 晶圆级制备方法

[发明专利]一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法-CN202210152399.X在审
发明人：何亨洋;陈雷达 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法，包括基片、嵌入金属、金属布线层、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和微凸点结构；所述基片为来料芯片，基片的顶层有基片钝化层，并开有窗口将基片pad露出；嵌入金属设置在基片钝化层的上方，嵌入金属嵌入到第一绝缘介质层内，金属布线层位于第一绝缘介质层和嵌入金属的上方，金属布线层与基片pad金属互连；第二绝缘介质层位于金属布线层上方，微凸点结构位于第二绝缘介质层上方，微凸点结构与金属布线层金属互连。解决了金属布线层与绝缘介质层结合力较差时，系统组装强度弱、可靠性差的问题。
一种提高结合金属布线结构制备方法

[发明专利]一种芯片倒装封装的方法-CN202110137108.5在审
发明人：周少明;陈雷达;但汉武 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片倒装封装的方法，包括：对芯片开窗焊盘上的每个圆弧状凸点施加向下的压力，使每个圆弧状凸点变形为腰鼓状凸点，且使得每个腰鼓状凸点的上端面位于同一水平面；提供一基板，所述基板上设置有与芯片开窗焊盘一一对应的基板开窗焊盘；将带有腰鼓状凸点的芯片倒扣在基板上，使芯片开窗焊盘上的腰鼓状凸点与基板开窗焊盘一一对应；将一一对应的腰鼓状凸点与基板开窗焊盘进行回流，通过回流使每个腰鼓状凸点与对应的基板开窗焊盘连接，实现芯片与基板相连。本发明能够控制凸点高度的均匀性好，凸点高度可精准控制，改善超大规模集成电路倒装封装控制稳定性差、一致性不好、间隙精确控制困难和I/O输出端口密度低的问题。
一种芯片倒装封装方法

[发明专利]一种CCGA器件锡膏印刷脱模装置及方法-CN202011057817.4在审
发明人：刘晓艳;陈雷达;南旭惊;刘建军;薛宇航 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B41F15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种CCGA器件锡膏印刷脱模装置及方法，包括固定基台和升降台；所述固定基台的顶部台面设有凹槽，凹槽内放置印刷工装真空吸附平台；印刷工装真空吸附平台上放置印刷底座，所述印刷底座上设有钢网；凹槽和印刷工装真空吸附平台上对应设有若干个升降顶针预留孔；所述升降台包括顶针固定平台、驱动单元和若干个顶针；顶针固定平台在固定基台的台底下方设置，顶针固定平台的底面设有传动件；驱动单元与传动件传动连接设置；若干个所述顶针固定设置在顶针固定平台的顶面上，且顶针穿过升降顶针预留孔设置；若干个所述顶针的顶部分别沿钢网的边框支撑设置；结构简单，设计合理，操作简单，避免了手动脱模中的不平稳性，显著提升印刷锡膏的成形质量。
一种 ccga 器件印刷脱模装置方法

[发明专利]一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法-CN201710114388.1在审
发明人：王超;陈雷达;张欲欣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，将除油后的半导体裸芯片表面或晶圆放入到硫酸与双氧水的混合溶液中，在30‑40℃下反应60‑90s后水，进行一次锌活化后酸腐蚀再进行二次锌活化，在经过二次锌活化后的裸芯片或晶圆表面进行沉积形成Ni层；在Ni层上沉积Pd层；在Pd层上沉积Au层。本发明使用化学镀镍钯浸金工艺，在半导体裸芯片表面制备兼容金线键合的镍钯金三层金属化层，膜层附着力及稳定性满足封装工艺的应用需求，改性后的芯片各项电参数与改性前对比无明显差异，在改性后的镍钯金层表面进行的金线键合可以满足高温环境应用及器件长寿命使用的可靠性需求。
一种半导体芯片实现金属化改性方法

[发明专利]锡铜锑无铅钎料-CN200810063957.5无效
发明人：孟工戈;陈雷达;李正平 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：锡铜锑无铅钎料，在近20年的时间里，全世界还没有找到可以完全替代锡铅合金的封装钎料。但是已经公认，在众多无铅钎料中，Sn-Cu系合金已经开始用于波峰焊等电子封装的焊接制造工程当中。然而该合金熔点高于传统锡铅钎料，润湿性能也有所下降，焊点接头的力学性能、可靠性也还需要改善与提高。同时还存在另一个潜在的问题，即Sn-Cu系合金低温下会发生β-Sn向α-Sn的同素异形转变，即通常所说的锡瘟现象。本发明组成包括：铜、锑、锡，所述的锡铜锑无铅钎料为锡铜锑系合金，所述铜的重量百分数为0.7，所述锑的重量百分数为0.1～1.2，所述锡的重量百分数为98.1～99.2。本发明应用于电子封装领域。
锡铜锑无铅钎料

[发明专利]锡银铜锗无铅钎料-CN200710072460.5无效
发明人：孟工戈;杨拓宇;陈雷达;李财富;王世珍 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：锡银铜锗无铅钎料，全世界还没有找到可以完全替代锡铅合金的封装钎料。但是已经公认，在众多锡银铜锗无铅钎料中，Sn－Ag－Cu系被认为最有可能成为Sn－Pb钎料的替代品之一。Sn－Ag－Cu钎料是Sn－Ag、Sn－Cu钎料的延伸体，具有近共晶的成分。然而该合金熔点高于传统锡铅钎料，润湿性能也有所下降，焊点接头可靠性等都有待于进行深入地探讨。本发明组成包括：银、铜、锗、锡，所述的锡银铜锗无铅钎料为锡银铜锗系合金，所述的银的重量份数比为2～3，所述的铜的重量份数比为0.5～1，所述的锗的重量份数比为0.2～1，所述的锡的重量份数比为95～97.3。本发明属于冶金、焊接、信息、电子等领域。
锡银铜锗无铅钎料

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