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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器的制作方法-CN200910195860.4无效
发明人：韩永召;张宏;徐美玲;陈自凡;蔡信裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器的制作方法：在半导体衬底上形成三层堆叠结构；在三层堆叠结构的表面依次形成第一多晶硅层和无机硬掩膜；在无机硬掩膜的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，曝光显影后的光阻胶层的开口为要在半导体衬底上制作STI的位置；以曝光显影后的光阻胶层和无机硬掩膜为掩膜，依次刻蚀第一多晶硅层、三层堆叠结构及半导体衬底，形成STI；去除无机硬掩膜后，在第一多晶硅层和STI的表面沉积第二多晶硅层；沿字线方向依次刻蚀第二多晶硅层、第一多晶硅层和三层堆叠结构，露出半导体衬底。该方法有效解决存储单元间的漏电和相邻存储单元之间的干扰问题，而且工艺制程简单易实现，提高了存储器的生产效率。
存储器制作方法

[发明专利]提高经过多次擦写周期后电荷保持能力的存储单元结构-CN200910055762.0有效
发明人：徐美玲;司伟;韩永召;陈自凡;蔡信裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高经过多次擦写周期后电荷保持能力的存储单元结构，包括：在半导体衬底上形成的氧化层-氮化层-氧化层ONO电荷存储层；在所述ONO电荷存储层上形成的位线多晶硅栅；在所述位线多晶硅栅的两侧形成的位线侧壁层；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行口袋(PKT)注入，形成的PKT区；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行位线注入，形成的位线注入区；所述位线多晶硅栅和位线注入区在半导体衬底内有重叠，重叠部分长度为27～33纳米。该结构能够有效提高存储装置的电荷保持能力。
提高经过多次擦写周期电荷保持能力存储单元结构

[发明专利]提高存储装置耐擦写能力的方法-CN200910055760.1无效
发明人：徐美玲;司伟;韩永召;陈自凡;蔡信裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高存储装置耐擦写能力的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成氧化层-氮化层-氧化层ONO电荷存储层；在所述ONO电荷存储层上形成位线多晶硅栅；在所述位线多晶硅栅的两侧形成位线侧壁层；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行口袋(PKT)注入，形成PKT区；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行位线注入，形成位线注入区；其特征在于，所述PKT注入为沿指向位线多晶硅栅的方向的倾斜注入。采用该方法能够有效提高存储装置耐擦写能力。
提高存储装置擦写能力方法

[发明专利]提高电荷存储层表面均匀性的方法-CN200910083468.0无效
发明人：徐美玲;韩永召;陈自凡;蔡信裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；在电荷存储区的电荷存储层结构上形成保护层；预清洗外围电路区上残留的电荷存储层结构；去除所述保护层。采用该方法有效地提高了电荷存储层结构的均匀性，进一步提高了器件的电学特性。
提高电荷存储表面均匀方法

[发明专利]用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统-CN200810040571.2无效
发明人：傅君豪;陈自凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统，根据实施例，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法。作为一个实例，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括使用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形，作为一个实例，每一个图形和一个聚焦参考数值相关联(例如，聚焦距离、聚焦角度等)；所述方法还包括确定多个偏移轮廓，每个偏移轮廓和每一个图形相关联。
用于集成电路制造曝光系统校正方法

[发明专利]消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法-CN200510027096.1有效
发明人： 陈自凡;蔡奇澄;姚欣;林爱钦;庄晓辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法，本发明方法的特征是，在对形成光刻胶图形的显影工艺步骤之后增加了用溶剂清洗半导体晶片边缘的工艺步骤。消除了半导体晶片边缘区中的收缩变形图形，防止了在随后进行的工艺过程中半导体晶片边缘区中的收缩变形图形剥离而在半导体晶片上的其他合格图形上造成出现缺陷，提高了产品合格率。
消除半导体晶片边缘图形缺陷方法

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