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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体装置-CN202321313457.9有效
发明人：吕孟昇;蔡尚纶;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片，其第一侧电性耦接至第二中介层，以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔，使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。
半导体装置

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202310307699.5在审
发明人：郑心圃;陈宪伟;林孟良;陈英儒;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210563103.3在审
发明人：许宏任;张丰愿;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一半导体管芯。半导体器件包括：再分布结构，设置在第一半导体管芯的第一侧上方并且包括多个层。多个层中的至少第一个包括：第一电源/接地平面，嵌入在介电材料中并且配置为为第一半导体管芯提供第一供给电压。第一电源/接地平面包围每个可操作地耦接至第一半导体管芯的多个第一导电结构以及分散在多个第一导电结构周围的多个第二导电结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202211615779.9在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
形成封装结构方法

[发明专利]半导体装置-CN202210962122.3在审
发明人：吕孟昇;陈硕懋;赖柏颖;蔡尚纶;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置，可包括封装基板与混合中介物。混合中介物可包括有机中介物材料层与非有机中介物材料层位于有机中介物材料层与封装基板之间。半导体装置可进一步包括集成装置位于混合中介物中。集成装置可位于有机中介材料层中。集成装置可位于非有机中介物材料层中。集成装置可位于有机中介物材料层与非有机中介物材料层中。
半导体装置

[发明专利]芯片封装结构的制造方法-CN202211303249.0在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此方法包含在第一表面上方设置第一芯片和第一导电凸块，在第一表面上方形成第一模制层，以及移除载体基底。此方法还包含在第二表面上方设置第二芯片和第二导电凸块，以及在第二表面上方形成第二模制层。
芯片封装结构制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201710450368.1有效
发明人：洪瑞斌;许峰诚;陈硕懋;郑心圃;廖德堆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体封装结构及其制造方法。一种半导体封装结构包含重布层RDL、芯片、多个互连凸块及囊封物。所述重布层具有彼此相对的第一表面及第二表面。所述芯片在多个接点垫面对所述第一表面的情况下放置在所述重布层上方且电连接到所述重布层。所述互连凸块放置在所述第一表面上方且电连接到所述重布层。所述囊封物放置在所述重布层的所述第一表面上方，且所述囊封物封围所述芯片并环绕所述互连凸块的侧向壁。本揭露提供的半导体封装结构及其制造方法能够使半导体封装结构的总体厚度减小。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210041865.7在审
发明人：林孟良;庄博尧;翁得期;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板。金属底板的位置对应于凹穴的位置。金属底板是电性浮置的并被介电材料隔离。半导体管芯设置在凹穴中，且与电路衬底电连接。填充材料设置在半导体管芯和电路衬底之间。填充材料填充凹穴且封装半导体管芯，而连接半导体管芯和电路衬底。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201710664209.1有效
发明人：郑心圃;许峰诚;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本揭露实施例揭露一种半导体封装结构及其制造方法。其中该半导体封装结构包含重布层RDL、第一芯片、至少一个第二芯片、囊封物及第三芯片。所述重布层具有彼此对置的第一表面及第二表面。所述第一芯片位于所述重布层的所述第一表面上方且电连接到所述重布层。所述第二芯片位于所述重布层的所述第一表面上方。所述第二芯片包含多个通孔结构。所述囊封物位于所述重布层的所述第一表面上方，其中所述囊封物包围所述第一芯片及所述第二芯片。所述第三芯片位于所述囊封物上方且透过所述第二芯片的所述通孔结构及所述重布层电连接到所述第一芯片。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210110709.1在审
发明人：林璟伊;陈又豪;张丰愿;黄博祥;李志纯;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体封装体及其制造方法-CN202210232624.0在审
发明人：许佳桂;许峯诚;游明志;林柏尧;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体封装体及其制造方法。一种半导体封装体包括半导体管芯、重布线路结构、支撑结构和保护层。所述重布线路结构位于所述半导体管芯上并电耦合到所述半导体管芯。所述支撑结构位于所述重布线路结构的外表面上，其中所述支撑结构沿着所述重布线路结构与所述支撑结构的堆叠方向在所述重布线路结构上的垂直投影中是与所述半导体管芯的至少一部分交叠或者是具有与所述半导体管芯的侧壁实质上对齐的侧壁。所述保护层位于所述支撑结构上，其中所述支撑结构夹置在所述保护层与所述重布线路结构之间。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法-CN201810344148.5有效
发明人：林柏尧;洪成佾;许峯诚;陈硕懋;郑心圃;叶书伸;李光君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
半导体装置封装以及形成方法

[发明专利]形成芯片封装体的方法-CN201810306349.6有效
发明人：郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;许峯诚;陈硕懋;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供形成芯片封装体的方法。方法包括将芯片置于再布线结构上。再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片。方法亦包括经由导电结构将中介基板接合至再布线结构。芯片位于中介基板与再布线结构之间。中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷。芯片的第一部分位于凹陷中。中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。
形成芯片封装方法

[发明专利]具有双侧金属布线的半导体封装件-CN201810455793.4有效
发明人：郑心圃;陈硕懋;刘献文;庄博尧;许峯诚;林柏尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。
具有金属布线半导体封装

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202110742657.5在审
发明人：郑心圃;林柏尧;陈硕懋;林嘉祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种封装结构及其形成方法，包括形成导电结构于载体基板之中；形成重分布结构于载体基板之上，重分布结构具有含聚合物层及导电部件；接合芯片结构于重分布结构之上；形成保护层于重分布结构之上以包围芯片结构；以及形成导电连接器于载体基板的表面上，载体基板位于重分布结构及导电连接器之间。
封装结构及其形成方法

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