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[发明专利]在化学机械平坦化期间移除杂质的方法-CN202210611469.3在审
发明人：侯德谦;粘博钦;陈志宏;陈盈淙;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。在制程期间，一垫调节件调节上述垫。一杂质去除系统从研磨浆去除碎屑及杂质。
化学机械平坦期间杂质方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710193189.4有效
发明人：蔡腾群;卢永诚;陈盈淙;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括形成第一绝缘层于基板上，第一绝缘层具有非平坦(non‑planar)的顶表面，且第一绝缘层具有第一蚀刻速率。上述方法亦包括形成第二绝缘层于第一绝缘层上，第二绝缘层具有非平坦的顶表面，且第二绝缘层具有第二蚀刻速率，上述第二蚀刻速率大于上述第一蚀刻速率。上述方法亦包括研磨第二绝缘层以移除部分的第二绝缘层，以及非选择性地凹蚀第一绝缘层及第二绝缘层。
半导体装置形成方法

[发明专利]清洁系统-CN202110226125.6在审
发明人：陈思孜;黄俊程;蔡亚庭;陈盈淙;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种清洁系统，包括至少一清洁模块，配置以在一化学机械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清洁溶液去除在基板上的多个污染物。清洁系统还包括一清洁溶液供给系统，配置以将清洁溶液供给到至少一清洁模块。清洁溶液供给系统包括至少一温度控制系统。至少一温度控制系统包括：一加热装置，配置以加热清洁溶液、一冷却装置，配置以冷却清洁溶液、一温度感应器，配置以监测清洁溶液的一温度、以及一温度控制器，配置以控制加热装置及冷却装置。
清洁系统

[发明专利]半导体器件和方法-CN202010824089.9在审
发明人：许书维;沈育仁;郑皓云;吴稚伟;陈盈淙;陈盈和 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。
半导体器件方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201610993734.3有效
发明人：潘婉君;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201610996689.7在审
发明人：粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包含形成鳍状物于基板上；沉积栅极层于鳍状物上，且栅极层具有第一材料；以及沉积牺牲层于栅极层上，且牺牲层具有第二材料。此方法亦包含以第一浆料或蚀刻品移除牺牲层的第一部分，且第一浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第一选择性。此方法亦包含以第二浆料或蚀刻品移除栅极层的第一部分与牺牲层的第二部分以形成平坦化的栅极层，且第二浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第二选择性。第一选择性大于第二选择性。上述方法的优点之一为降低下方的结构密度对栅极层的平坦化工艺的影响，并降低横越晶片的装置结构上的栅极层其厚度差异。
半导体装置形成方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201611009306.9在审
发明人：刘志文;涂哲豪;粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械研磨方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(CMP)工艺至晶圆的一第一侧，以及于CMP工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。该化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。
化学机械研磨方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201611009276.1在审
发明人：粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置的制造方法，此方法包含形成多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于基底中，将栅极电极层沉积于基底上方，其中这些第一半导体鳍的上部和这些第二半导体鳍的上部埋置于栅极电极层中，将反转膜沉积于栅极电极层上方，及实施化学机械研磨工艺于反转膜和栅极电极层，其中在实施化学机械研磨工艺的步骤期间，将研磨液沉积于研磨垫与反转膜之间，且其中栅极电极层和反转膜的研磨液选择比大于1。
半导体装置制造方法

[发明专利]平坦化半导体结构的方法-CN200610007823.2有效
发明人： 陈盈淙;卢永诚;吴振诚;陈笔聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种平坦化半导体结构的方法。提供一半导体基底，具有一第一区域及一第二区域，其中该第二区域的沟槽密度低于该第一区域。在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该第一及该第二区域的该沟槽。以特定的研磨浆进行一第一化学机械研磨，以降低该第一介电层的厚度。接着清洗该第一介电层。以该特定的研磨浆进行一第二化学机械研磨，以移除该沟槽外的该第一介电层，因此降低该第一及该第二区域表面间的高低差。本发明所述平坦化半导体结构的方法，可降低高沟槽密度区及低沟槽密度区间的阶梯高度差。
平坦半导体结构方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200510109276.4有效
发明人：吴振诚;陈盈淙;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包含：一第一层间介电层，覆盖一基底；一第一金属层；多个第二层间介电层，覆盖该第一层间介电层；以及多个第二金属层，每一第二金属层覆盖第二层间介电层其中之一。不烘烤该第一层间介电层，其中该第一层间介电层具有一k值约介于2.5至3.0之间，一孔洞尺寸约小于10，以及一硬度约大于1.5Gpa。烘烤第二层间介电层，因此该第二层间介电层具有一k值约小于2.5，一孔洞尺寸约大于10，以及一硬度约小于1.5Gpa。此半导体结构减少等离子烘烤时的等离子电荷损害。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]金属镶嵌的结构-CN200420088801.X无效
发明人：吴振诚;卢永诚;陈盈淙;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种金属镶嵌的结构，先依序沉积一蚀刻终止层与一介电层于一基础层上方，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本实用新型的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，得以降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。
金属镶嵌结构

[发明专利]金属镶嵌的制造方法及其结构-CN200310103699.6有效
发明人：吴振诚;卢永诚;陈盈淙;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属镶嵌的制造方法及其结构，此制造方法先于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本发明的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，从而降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。
金属镶嵌制造方法及其结构

[发明专利]具有非牛顿流体行为的组合物及其应用-CN98102158.1无效
发明人：蔡明雄;陈丽梅;叶宇钦;谢秋枝;陈盈淙 -专利权人：财团法人工业技术研究院;长春石油化学股份有限公司;中国钢铁股份有限公司;联成石油化学股份有限公司;真茂企业股份有限公司;中国石油化学工业开发股份有限公司;华宏新技股份有限公司;长兴化学工业股份有限公司;中国石油股份有限公司
申请日： 1998-05-19 - 公布日： 1999-11-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种具有非牛顿流体行为的组合物,该组合物包括以重量计,100份水,0.5—20份A100H水合物,1—50份三氧化二铝及0.1—20份酸性溶液。该组合物为一种触变性流体。由于在静止状态下颗粒之间存在着相互牵制的力量,使得在静止时浆体中的颗粒能稳定悬浮,而当浆体受到切率开始流动后,由于颗粒间的引力被流动时所产生的剪应力降服,而此被降服的引力并不会立即恢复,所以浆体在流动时粘度变小,适合作为研磨液应用。
具有牛顿流体行为组合及其应用

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