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[发明专利]应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法-CN201010162492.6无效
发明人： 陈弘达;陈进;张旭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G08C17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法。在植入式神经信号记录微系统中，神经信号记录微电极，神经信号预处理电路和发射机集成在一起，并植入到人的体内。神经信号记录微电极提取神经信号，经过预处理电路的处理，由发射机通过微电极将信号传递到人体，利用人体自身作为信号传输媒介，通过这种体信道传输的方式将神经信号传输到体外。在外界通过微电极探测信号，然后通过接收机将信号传递给外部设备。本发明可以实现高传输速率的同时，还可以实现低功耗的信号传输。
应用于植入神经信号记录高速功耗传输方法

[发明专利]一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置-CN201010139176.7有效
发明人：刘宏伟;阚强;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置，包括：耦合棱镜；在耦合棱镜表面蒸镀的金属层；在金属层表面涂覆的传感介质层；形变布拉格反射镜；CCD传感器；以及在CCD传感器表面涂覆的荧光物质层。宽谱传感光束通过耦合棱镜后，特定波长与棱镜表面金属层发生表面等离子体模式共振，金属层表面介质折射率会对表面等离子体共振波长调制，不同介质折射率对应不同的波长表面等离子体耦合，通过棱镜的传感光束反射光谱由形变布拉格反射镜分光反射至CCD探测器上，利用CCD探测器不同位置对应波长光谱强度变化探测特定波长的表面等离子体共振光吸收，达到探测棱镜上金属表面介质折射率变化的目的。
一种利用光谱强度变化检测介质折射率装置

[发明专利]一种制作纳米压印印章的方法-CN201010139179.0无效
发明人：刘宏伟;阚强;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的金属纳米压印印章具有高硬度和良好的延展性能，同时制作成本较低，工艺实现简单，在微纳图形加工技术领域可以得到广泛应用。
一种制作纳米压印印章方法

[发明专利]一种硅基正向注入发光器件及其制作方法-CN200910076949.9无效
发明人： 陈弘达;王伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。
一种正向注入发光器件及其制作方法

[发明专利]利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法-CN200810240936.6无效
发明人：於丰;阚强;许兴胜;王春霞;刘宏伟;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法，该方法包括：光从折射率为N的材料入射至折射率为n1的传感物质时，测出在不同入射角时的反射率，得到反射数据与曲线，其中N＞n1；对反射率求角度微分，得到反射率角度微分数据与曲线，从反射率角度微分数据与曲线中提取出全反射角θ1；光从折射率为N的材料入射至折射率为n1+Δn的传感物质时，测出不同入射角时的反射率，得到反射数据与曲线，其中N＞n1+Δn；对反射率求角度微分，得到反射率角度微分数据与曲线，从反射率角度微分数据与曲线中提取出全反射角θ2；根据公式Δn＝N(sin(θ1)-sin(θ2))计算出折射率的变化。本发明实现起来简单，测试容易；能精确定出全反射角，提高了传感精度和灵敏度。
利用反射角改变进行传感折射率方法

[发明专利]光子晶体微腔缺陷模气体传感方法-CN201010034102.7无效
发明人：许兴胜;陈率;於丰;杜伟;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：一种光子晶体微腔激光器进行气体折射率传感的方法，包括如下步骤：步骤1：取一光子晶体激光器，将激光器F置于恒温箱中；步骤2：搭建传感所需的光路系统，该光路系统包括：一光源，在光源的入射光路上有一偏振片、一半反半透镜及一置放有光子晶体激光器的恒温箱，在与入射光路垂直的半反半透镜的反射光路上依次置放有探测器和光谱仪；步骤3：通过光源发出的光照射在光子晶体激光器上，激发出激光经半反半透镜，由探测器收集；步骤4：光谱仪将探测器收集的激光光谱进行分析，得到激射峰数据，完成折射率的传感。
光子晶体缺陷气体传感方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器-CN200910242353.1无效
发明人： 陈弘达;关宁;张旭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03B39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路，其中：像素阵列包含多个像素点，每个像素点由多个子像素组成，各像素点中相对位置相同的子像素的复位控制和信号保持控制线连接在一起，信号线按行列方式共享或独立拥有信号输出线；曝光控制电路用于控制各个子像素的曝光按照预设的时间差依次开始和结束；行列选通电路用于依次选通各个子像素，将信号输出到信号线上；信号输出电路用于缓冲或放大子像素的输出信号，驱动与该CMOS图像传感器的输出连接的模数转换器。本发明能够突破CMOS图像传感器的曝光时间存在物理下限，也可以解决过短的积分时间引起的信号质量下降问题。
一种 cmos 图像传感器

[发明专利]长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件-CN200910242338.7无效
发明人：裴为华;王宇;郭凯;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： A61B5/04 文献下载
摘要：一种长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件，包括：一电极基座，该电极基座为圆形、椭圆或多边形；多个微针体，该微针体分为前端和下端，所述微针体呈一预定角度固定在电极基座上，呈螺旋状矩阵分布。该结构改变了原来直插式针状干电极结构，增加了电极和皮肤的接触面积，可以降低接触阻抗，提高提取的生理电信号的质量。该结构可以采用旋进的方式插入，有利于控制插入深度，不会使表皮比较薄的被试者产生疼痛感。该结构的微针阵列有一定的角度，不影响插入，但可以防止皮肤干电极脱出。
长期记录生理电信号侵入式斜针无痛皮肤电极器件

[发明专利]实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法-CN200810223302.X无效
发明人：陈海峰;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G01N33/483 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法，该方法包括：制作PCB接口板；将弹簧针插座焊接在该PCB接口板上，并将弹簧针针体插在插座上构成弹性针床；将弹簧针针体的头部对准微电极阵列接口电极，通过紧固螺丝压缩弹簧针，将弹簧针针体的头部与电极形成接触连接；将弹簧针插座端的引线与电生理信号放大器和刺激器进行连接，引线端与中心部分微电极一一对应，实现微电极阵列和外围电路的电气连接。本发明缩短了微电极阵列接口板的制作周期，节约了制作成本，针床与电极接触良好而不磨损电极表面金属层，电极的导电性能不受影响，延长了微电极阵列寿命。
实现微电极阵列 pcb 电路柔性连接方法

[发明专利]外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200910087714.X无效
发明人：沈光地;徐晨;解意洋;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
外腔式多有源光子晶体垂直发射半导体激光器

[发明专利]内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200910087713.5无效
发明人：徐晨;解意洋;沈光地;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
内腔式多有源光子晶体垂直发射半导体激光器

[发明专利]使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法-CN200810102800.9无效
发明人： 陈弘达;朱琳;裴为华;张旭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： A61B5/0478 文献下载
摘要：本发明涉及微丝电极阵列的装配技术，特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法，能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔，通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装，阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。
使用阵列装配电极方法

[发明专利]一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器-CN200710179892.6无效
发明人： 陈弘达;黄北举;张旭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提出一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正中央；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第一层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第二层金属(13)将这三个扩散区连在一起。
一种采用 cmos 工艺制作差分硅光电探测器

[发明专利]SOI衬底CMOS工艺电光调制器-CN200710179413.0无效
发明人： 陈弘达;黄北举;董赞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程，其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成，无需更改标准CMOS工艺流程，可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。
soi 衬底 cmos 工艺电光调制器

[发明专利]一种制作皮肤干电极的方法-CN200710118867.7有效
发明人：裴为华;陈海峰;崔世钢;张若昕;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： A61B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于生理信号检测的电极传感器加工技术领域，公开了一种制作皮肤干电极的方法，该方法包括：A.选择一定厚度的金属板材，将选择的金属板材切割成块，然后对金属板材块的表面进行抛光；B.加工抛光后的金属板材块，在金属板材块上形成底座和电极柱阵列，电极柱阵列位于底座上；C.在电极柱阵列的每个电极柱的顶端加工形成电极头部；D.在电极柱阵列表面镀金或镀钛；E.将电极底座粘接在放大器上；F.在电极头部与底座之间放置一层嵌套电极柱阵列的导电硅橡胶。利用本发明，可以快速有效的制作皮肤干电极阵列，用于脑电、肌电等生理信号检测，满足科研和临床需求。
一种制作皮肤电极方法

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