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[发明专利]2.5维光子晶体面发射激光器-CN200510084050.3无效
发明人： 陈弘达;孙增辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种2.5维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源层上；一p⁺型包层，该p⁺型包层制作在上包层上；一第二DBR层，该第二DBR层制作在p⁺型包层上；一上电极，该上电极制作在第二DBR层上，该上电极上有一出光孔；一下电极，该下电极制作在晶片的底面上，并覆盖晶片的底面。
2.5 光子晶体发射激光器

[发明专利]光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法-CN200510076327.8有效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波长激光器作为光源，将短波长激光器激光用扩束透镜扩束，扩束后的光再经会聚透镜聚焦，然后照射在光子微结构模板上，光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离Z_T，该模板采用电子束曝光技术制作的模板，其上图形为光子微结构；激光通过光子微结构模板后，将带有光子微结构模板映像在与其距离为Z_T处的GaN样品上，将光子微结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，通过干法刻蚀，将光子微结构可以刻蚀到GaN材料上。
光子微结构 gan 基蓝光发光二极管制作方法

[发明专利]光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法-CN200510011901.1无效
发明人：许兴胜;陈弘达;马勇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一N型GaN层，该N型GaN层直接生长在蓝宝石衬底上，该N型GaN层的一侧的平面上刻蚀有一台阶，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上的大平面上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在有源层上；一P型电极和P型焊盘，该P型电极和P型焊盘铺设在P型GaN层上；一N型电极和N型焊盘，该N型电极和N型焊盘铺设在N型GaN层上的小平面上；一光子晶体区，该光子晶体区刻蚀形成在有源层和P型GaN层内，甚至直到N型GaN层内，即刻蚀周期性圆孔结构；在该光子晶体区的中心形成一光子晶体空白区。
光子晶体结构 gan 基蓝光发光二极管结构制作方法

[发明专利]脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构-CN200510011900.7无效
发明人：许兴胜;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构，包括：一SOI材料；一脊形波导，该脊形波导做在SOI材料上；一P型硅，该P型硅制作在脊形波导的一侧边；一N型硅，该N型硅制作在脊形波导的另一侧边；一光子晶体后端反射镜，该光子晶体后端反射镜位于脊形波导的后端，刻蚀在SOI材料上；一光子晶体前端反射镜，该光子晶体前端反射镜位于脊形波导的输入端，刻蚀在SOI材料上；该光子晶体前端反射镜和光子晶体后端反射镜和脊形波导组成激光器的谐振腔，光子晶体对光起到全反射镜的作用。
脊形波导二维光子晶体相结合硅基拉曼激光器结构

[发明专利]光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法-CN200510075408.6无效
发明人：赵致民;许兴胜;陈弘达;李芳;刘育梁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，其中包括：一衬底；一过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上；一InGaAsP下势垒层生长在过渡层上；一多量子阱有源区生长在InGaAsP下势垒层上；一InGaAsP上势垒层生长在多量子阱有源区上；该下势垒层、量子阱有源区、上势垒层三层构成激光器的波导区；一一维λ/4相移光栅用电子束曝光和反应离子刻蚀的方法刻蚀在InGaAsP上势垒层上；一InP包层生长在一维λ/4相移光栅上；一InGaAs欧姆接触层生长在InP包层上；一二维光子晶体制作在InGaAs欧姆接触层上面的两侧；一电极制作在InGaAs欧姆接触层的中间；解理成单个管芯。
光子晶体波导分布反馈激光器制作方法

[发明专利]全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法-CN200510066898.3无效
发明人：许兴胜;杜伟;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种全角度反射镜结构GaN基发光二极管，包括：一衬底；一全角度反射镜，该全角度反射镜生长在衬底上，其是由高折射率层和低折射率层堆叠排列成的；一GaN LED芯片，该GaN LED芯片制作在全角度反射镜上；该GaN LED芯片包括：一蓝宝石衬底；一N型GaN层，该N型GaN层制作在蓝宝石衬底上；一有源区量子阱层，该有源区量子阱层制作在N型GaN层上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在有源区量子阱层上；一P型电极，该P型电极铺设在P型GaN层上；一P型焊盘，该P型焊盘制作在P型电极上；一N型电极，该N型电极铺设在N型GaN层上；以及一N型焊盘，该N型焊盘制作在N型电极上。
角度反射结构 gan 发光二极管制作方法

[发明专利]用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法-CN200510011606.6无效
发明人： 陈弘达;顾明;高鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：在硅衬底上的中间生长二氧化硅层；步骤2：在硅衬底上、二氧化硅层的两端，分别制作阱和有源区，一端形成光源，另一端形成探测器；步骤3：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导，该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合；步骤4：在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层；光源发出的光直接耦合进光波导，通过光波导传送到光探测器，并由光探测器转换成电信号。
标准工艺制作硅酸玻璃波导集成方法

[发明专利]半导体薄片材料的横向研磨方法-CN200510006190.9无效
发明人： 陈弘达;裴为华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体薄片材料的横向研磨方法，包括一用于研磨的研磨机，该研磨机包括：一升降平台，一电机，该电机置于升降平台上，电机的轴端有一夹具，夹具的前端安装有一磨具，一磨盘置于升降平台的一侧，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：用蜡将薄片粘贴在磨具的圆形平台上；步骤2：将磨具的把柄嵌在电机上的夹具中，夹紧；步骤3：摆放好磨盘，将带有磨具及薄片的电机装载在升降平台上；调节旋钮使薄片和磨盘间的距离适当；步骤4：启动电机，使磨具及薄片1运行起来，调节旋钮，使薄片缓慢接近磨盘；步骤5：重复步骤四，使薄片的边缘逐渐磨去，直到薄片的边缘和台面的边缘相齐；步骤6：加热熔化作粘合剂的蜡，从磨具上取下薄片，清洗除去薄片上残余的蜡。
半导体薄片材料横向研磨方法

[发明专利]12路并行10Gb/s甚短距离传输系统-CN200410098997.5无效
发明人： 陈弘达;周毅;左超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H04B10/13 文献下载
摘要：一种12路并行10Gb/s甚短距离传输系统，包括：一个OC－192成帧器，生成16路STM－4信号，通过分路转换器变为10路信号，生成1路奇偶校验信号和1路CRC校验信号，然后传入一个传输控制器中调整，使每路信道上都传输数据，然后传入一个8B/10B编码器编码后进入一个并/串转换器，变为串行信号，接收控制器把12路混合信号恢复成10路数据信号和1路奇偶校验信号1路CRC校验信号，同时实现线缆对称交叉检测和帧同步功能，通过检错&纠错器进行检错和纠错后变为16路STM－4信号传给一个OC－192成帧器；12路并行10Gb/s甚短距离传输系统把10路数据信道、1路纠错信道和1路检错信道变为12路同时传输数据和纠错检错信号的混合信道，并行传输数据。
12 并行 10 gb 短距离传输系统

[发明专利]应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块及制作方法-CN200410007709.0无效
发明人： 陈弘达;申荣铉;毛陆虹;唐君;裴为华;高鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：一种应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块，其中包括：一高频印制电路板，在该高频印制电路板的一端形成有一信号输入端口，该信号输入端口采用镀金的插板结构；一垂直腔面发射激光器阵列，该垂直腔面发射激光器阵列以倒装焊工艺直接集成在高频印制电路板上面；一自聚焦透镜阵列，能够将激光器的出射光线平滑且连续的汇聚到特制的光纤阵列接入点，该透镜阵列与垂直腔面发射激光器阵列经有源对准之后直接粘结在一起；一驱动电路芯片，该驱动电路芯片以裸片的形式通过倒装焊工艺直接集成在高频印制电路板上面；将该垂直腔面发射激光器阵列与驱动电路芯片通过高频电路板上的微带线连接，采用小型可插拔封装工艺，构成可插拔的并行光发射模块。
应用自聚焦透镜阵列并行发射模块制作方法

[发明专利]利用光掩模板作无源对准的方法-CN200410006726.2无效
发明人： 陈弘达;裴为华;唐君;申荣铉;孙增辉;贾九春 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种利用光掩模板作无源对准的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a)采用光刻工艺中广泛使用的光掩模板作对准标尺，利用光掩模板上精细、精确的标记图形作对准标记；b)将所需对准的两个器件分别与事先作在同一块光掩模板上的标记图形对准，并相对于光掩模板作固定；c)然后将相对位置已作固定的两个器件转移到装配底座或电路板上固定好，移去光掩模板，完成对准。
利用模板无源对准方法

[发明专利]与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法-CN200310101069.5无效
发明人：毛陆虹;李伟;陈弘达;高鹏;孙增辉;陈永权 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的硅光电探测器，其特征在于，其中包括：一个p^－型半导体衬底；一个n型阱，该n型阱制作在衬底上；一个6条叉指状的P⁺型扩散区，该6条叉指状的P⁺型扩散区设置在n型阱上；一个P⁺型保护环，该P⁺型保护环制作在n型阱中并且形成在6条叉指状的P⁺型扩散区的周围；一个增透膜层，该增透膜层淀积在6条叉指状的P⁺型扩散区的上面；由叉指状的P⁺型扩散区与n型阱构成光电二级管的pn结，由n型阱与P⁺型保护环构成屏蔽二级管。
cmos 工艺兼容光电探测器制作方法

[发明专利]与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器-CN200310122068.9无效
发明人：毛陆虹;李炜;陈弘达;陈永权;张晓潇 -专利权人：天津大学
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是，p^－型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于n型阱中，四条叉指状的P⁺型扩散区设置在n型阱上；所述四条叉指状的P⁺型扩散区上设置有增透膜层由叉指状的P⁺型扩散区与n型阱构成光电二极管的pn结，由n型阱与P⁺型保护环构成屏蔽二极管。本发明可以应用在很多领域中，例如CD－ROM，数字化视频光盘(DVD)，波长在630－850nm通过塑料光纤传送的数字系统。
微米射频工艺兼容光电探测器

[发明专利]垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法-CN03120596.8无效
发明人： 陈弘达;申荣铉;毛陆虹;唐君;裴为华;高鹏;崔增文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明一种垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块，其中包括：一高频印制电路板，在该高频印制电路板的一端形成有一信号输入端口，该信号输入端口采用镀金的插板结构；一垂直腔面发射激光器列阵，该垂直腔面发射激光器列阵以裸片的形式直接集成在一硅片底座上，再用粘接的方式粘接在高频印制电路板上面；一驱动电路芯片，该驱动电路芯片以裸片的形式直接集成在高频印制电路板上面；该垂直腔面发射激光器列阵与驱动电路芯片用金丝连接，该驱动电路芯片与高频印制电路板用金丝连接，构成并行光发射模块。
垂直发射激光器列阵并行模块制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的光收发一体模块-CN03120595.X无效
发明人： 陈弘达;申荣铉;毛陆虹;吴荣汉;杜云;唐君;梁琨 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明一种垂直腔面发射激光器的的光收发一体模块，包括：一用于集成发射和接收组件的高频印制电路板；一光发射组件，包括垂直腔面发射激光器及驱动电路，该垂直腔面发射激光器与驱动电路连接；一光接收组件，包括探测器及接收电路，该探测器与接收电路连接；该光发射组件和光接收组件固定在高频印制电路板上；该上述各部件封装在同一个管壳内，形成收发一体的光传输模块。
垂直发射激光器收发一体模块

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