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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910167454.7有效
发明人： 陈建豪;连浩明;李思毅;李启弘;陈建良;费中豪;杨文志;黄仁安;张启新;林俊铭;庄学理;叶俊林;林纲正;黄国泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一半导体基材及一形成于该基材中的晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属栅极的栅极堆叠，一密封层形成于该栅极堆叠的侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该栅极堆叠相接合，一间隔物形成于该密封层的外部边缘上，及一源/漏极区形成于该栅极堆叠的两侧上，该源/漏极区包含一沿着该密封层的外部边缘的轻掺杂源/漏极区。本发明提供了简单且具有经济效益的密封结构及方法，以维持金属栅极高介电常数介电质的完整性，并因此改善了装置效能及可靠度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200910129867.6有效
发明人：侯永田;陈建豪;赵元舜;洪正隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明可有效控制栅极结构的等效氧化层厚度，还降低了栅极介电层的氧空位。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]空调器室外机组防盗器-CN200820058563.6无效
发明人：许慧华;孔利明;施凯悦;胡逸民;裘宗导;陈建豪 -专利权人：宝钢发展有限公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： F24F11/02 文献下载
摘要：本实用新型一种空调器室外机组防盗器，涉及监测监控技术领域，具体指一种利用红外元件和振动元件用于空调器室外机组的监控技术装置。其设置于空调器室外机组内，由红外元件1，振动元件2，驱动电路3及与其作电连结的报警器4组成，其中，红外元件1和振动元件2分别为一人体热释红外传感器和为一振动传感器，两者作电连结。本实用新型具有结构简单，成本低，易于推广的特点，在寻常百姓家使用本装置后，居民家里的空调器特别是室外机组就能得到有效的保护，居民的财产有了可靠的保障，可显著减少社会上日益严重的空调器室外机组盗窃现象。
空调器室外机组防盗器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710186918.X有效
发明人：游明华;黄泰钧;陈建豪;顾克强;李志鸿;叶凌彦;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含：半导体衬底；开口，位于上述半导体衬底中；半导体层，位于上述开口中，并覆盖上述开口的底部与侧壁，其中上述半导体层与上述半导体衬底包含不同的材料；以及介电材料，位于上述半导体层上，并填入上述开口的剩余部分。本发明能够提高作用于金属氧化物半导体装置的沟道区的应力并减少应力松弛效应。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]网络封包分类器与其方法-CN200710006400.3有效
发明人：欧孟鑫;吴政勋;王博民;陈建豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-02-05 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：一种网络封包分类器与其方法。网络封包分类器包括至少一内容定位器与一数据比对器。每一上述内容定位器进行至少一次定位运算，每一上述定位运算为输出至少一迭加项目的总和作为输出偏移量，而每一迭加项目为根据至少一定位器系统参数且/或网络封包的内容数据而产生。上述迭加项目其中之一为基底值，基底值为系统参数设定的偏移量或上述内容定位器其中之一所进行的定位运算的输出偏移量。上述内容定位器其中之一的最后一次定位运算的输出偏移量为网络封包其中比对字段的位置，这个位置会提供给数据比对器作数据比对。
网络封包分类与其方法

[实用新型]一种可识别的可抛弃式杯-CN200720000682.1无效
发明人： 陈建豪 -专利权人： 陈建豪
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可识别的可抛弃式杯，其包括一杯体部分及一识别符部分，该杯体部分包含一杯身及一杯底，该杯身具有一下缘，该杯底具有一周缘，该周缘与该杯身的下缘密合相接。该识别符部分形成于该杯身上，并包含复数个不同的可扳折识别符，且该等识别符可被独立扳折。一使用者以其指定的识别符部分扳折方式对其杯做识别设定，以令其本身及其它使用者得以识别而无混淆使用杯的情形。该杯也可在外环被套设以一套筒，此时该识别符部分是设于该套筒上。
一种识别抛弃

[发明专利]将视频数据及音频数据同步的方法及系统-CN200710109131.3有效
发明人：张北辰;陈建豪 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H04N7/60 文献下载
摘要：本发明揭露一种将视频数据及音频数据同步的方法及系统。该系统包括：一解多工器，用以将一数据串流分为一音频数据及一视频数据，其中该音频数据具有内嵌/关联的一音频播放时间信息，且该视频数据具有内嵌/关联的一视频播放时间信息；一音频译码模块，至少具有一快速播放功能或一慢速播放功能，用以译码该音频数据并输出已译码的该音频数据；一视频译码模块，至少具有该快速播放功能或该慢速播放功能，用以译码该视频数据并输出已译码的该视频数据；以及一决定模块，用以送出至少一调整信号，其中该调整信号用以指示该视频译码模块或该音频译码模块以执行该快速播放功能或该慢速播放功能。本发明可以个别地调整数据串流中的视频串流及音频串流。
视频数据音频同步方法系统

[发明专利]半导体元件的形成方法-CN200710101185.5有效
发明人：聂俊峰;陈建豪;顾克强;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的形成方法。此方法包括提供半导体基板，形成栅极介电层于半导体基板上，形成栅极于栅极介电层之上，形成应力源于邻近栅极边缘的半导体基板中，且在形成应力源程序后布植杂质。此杂质较佳选自下列组成的组：IV族元素、惰性元素、氟、氮及上述的组合。
半导体元件形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN200710110251.5有效
发明人：顾克强;聂俊峰;黄立平;王志强;陈建豪;张绚;王立廷;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体元件具有半导体衬底；栅极堆叠，位于半导体衬底上；n型轻掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中n型轻掺杂源/漏极区包括n型杂质；n型重掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中该n型重掺杂源/漏极区包括n型杂质；预先非晶态注入区，位于半导体衬底中，其中预先非晶态注入区包括后注入区；以及间隙阻挡区，位于半导体衬底中，其中间隙阻挡区的深度大于n型轻掺杂源/漏极区的深度，但小于后注入区的深度。由于本发明的间隙阻挡区位于后注入区与轻掺杂源/漏极区之间，可降低轻掺杂源/漏极区中磷扩散的问题。此外，因为磷具有高活化率，因此MOS元件具有低片电阻。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200610137649.3无效
发明人： 陈建豪;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件的制造方法。首先，在基材上形成金氧半导体元件。接着，在金氧半导体元件上形成一应力层。最后，选择性蚀刻位于闸电极上的应力层，以改变金氧半导体元件的通道区中的应变条件。NMOS晶体管可以包含一拉伸应力层，而PMOS晶体管则可包含挤压应力层。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200610008692.X有效
发明人： 陈建豪;聂俊峰;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件的制造方法，该半导体元件具有浅型以及高掺杂浓度的源极/漏极区域。其制造方法包括：在基板上制造栅极电极；借由注入离子将该基板的源极/漏极区域转换为非晶状态；在上述源极/漏极区域注入离子，以执行同步注入工艺；注入一个或多个注入物，以制造低掺杂漏极(LDD)以及源极/漏极区域；以及将该基板再结晶。其中，用来形成LDD以及源极/漏极区域的离子的扩散被非晶化区域与同步注入区域有效地限制或降低。
半导体元件制造方法

[发明专利]形成半导体结构或元件的方法-CN200510136575.7有效
发明人： 陈建豪;聂俊峰;李资良;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体结构或元件的方法。先提供一基底。一栅电极接着形成于该基底上。一源/漏极区形成于该基底。一非晶区形成于该栅电极与该源/漏极区的一上部分。一应力盖层形成于该非晶区上。对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶。该应力盖层大致全部移除。本发明所述形成半导体结构或元件的方法，可提供金属氧化物半导体元件的沟道区适当的应力。
形成半导体结构元件方法

[发明专利]半导体元件及形成半导体元件的方法-CN200510132490.1有效
发明人： 陈建豪;聂俊峰;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，具体涉及一种具有降低源极或漏极区域中掺杂物扩散的PMOS晶体管及其形成方法。PMOS晶体管包括掺杂P型杂质及扩散延迟材料的源极或漏极区域。PMOS晶体管更包括一栅极介电层，位于半导体基板的沟道上、一栅极电极，位于栅极介电层之上以及一轻掺杂源极或漏极区域对齐栅极电极的边缘。其中扩散延迟材料较佳包括碳、氟、氮或上述材料的组合。本发明由于扩散延迟材料减少了源极或漏极区域的扩散，因此源极或漏极区域的片电阻降低，可形成较陡峭的接面以及改善短沟道效应。
半导体元件形成方法

[发明专利]半导体结构以及形成半导体晶体管的方法-CN200510124043.1有效
发明人：梁孟松;陈建豪;聂俊峰;蔡邦彦;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构以及形成半导体晶体管的方法，该半导体结构包含有一基底、以及一应力层。该基底具有一第一元件区与一第二元件区。该应力层于该第一元件区与该第二元件区上。该应力层在该第一元件区内有一第一部分，具有一第一应力。该应力层在该第二元件区内有一第二部分，具有一第二应力。该第一跟该第二应力大致上不同。该第一跟该第二应力其中之一是由被一极速退火制程所产生，且该极速退火制程的热处理时间少于一秒。本发明所述的半导体结构以及形成半导体晶体管的方法，利用对于不同元件进行极速退火制程，就可以依照元件的需求，给予不同的应力。而且，以低温形成的侧壁子所带有的缺点也被克服了。
半导体结构以及形成晶体管方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200610001683.8无效
发明人： 陈建豪;聂俊峰;麦凯玲;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法。一P型带形/环形区是较佳沿着重掺杂源极/漏极区的沟道侧边缘形成，以中和N型态物质的扩散。一扩散阻滞区是通过至少实质上重叠或延伸出P型带形/环形区和N+源极/漏极区的沟道侧，以阻滞N型和P型掺杂物。本发明所述半导体元件及其制造方法可降低片电阻，亦可减少多晶硅栅极空乏效应，且导致较佳的栅极氧化膜耐压和起始电压控制。另外，扩散阻滞可达成高浓度的栅极、LDD区和N+源极/漏极区，且因此增加饱和电流。
半导体元件及其制造方法