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[发明专利]存储器装置-CN202110375096.X有效
发明人：孙文堂;许家荣;陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，包括第一阱、第二阱、第三阱、浮动栅极层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、沟槽隔离层及字线接点。所述第二阱位于所述第一阱上，且包括第一部分及第二部分。所述第三阱包括第一部分及第二部分，分别位于所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分上。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区及所述第三掺杂区位于所述第三阱的所述第一部分。所述沟槽隔离层用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分。所述字线接点设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。
存储器装置

[发明专利]具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器-CN202011203285.0有效
发明人： 陈学威;陈纬仁;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开一种具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器，其中非挥发性存储器的存储单元包括一基板区域、一障壁层、一N型阱区、一隔离结构、一第一栅极结构、一第一侧壁绝缘层、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区与一N型掺杂区。隔离结构围绕于N型阱区且位于障壁层上方。隔离结构与障壁层包围N型阱区，使得该N型阱区为隔离阱区。第一栅极结构形成于N型阱区的一表面上方且第一侧壁绝缘层形成于第一栅极结构的周围。第一P型掺杂区、第二P型掺杂区与N型掺杂区位于N型阱区的表面下方。
隔离存储单元及其相关挥发性存储器

[发明专利]非易失性存储单元及其相关阵列结构-CN202211208843.1在审
发明人： 陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开一种非易失性存储单元及其相关阵列结构。存储单元包括一选择晶体管与一浮动栅晶体管。浮动栅晶体管的浮动栅极与辅助栅极区域形成一电容器。浮动栅极与抹除栅极区域形成另一电容器。选择晶体管、浮动栅晶体管与两个电容器组成四端点存储单元，使得存储单元具备尺寸(size)较小且易于操作的优点。
非易失性存储单元及其相关阵列结构

[发明专利]单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构-CN202210712472.4在审
发明人： 陈学威;萧婉匀;陈纬仁;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明为一种具可编程可抹除的单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构。在阵列结构的存储单元中，辅助栅极区域由至少两个平板电容器所组成，且至少两个平板电容器其中之一为多晶硅/多晶硅平板电容器，另一则为金属/多晶硅平板电容器。由于平板电容器的构造简单、制作工艺容易，还可以有效地降低存储单元的尺寸(size)。
单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构

[外观设计]儿童卫衣-CN202030747661.7有效
发明人： 陈学威;苏澄 -专利权人：南京工业职业技术大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：儿童卫衣。2.本外观设计产品的用途：儿童卫衣穿着使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.本外观设计产品为薄型产品，省略左右视图、俯仰视图。
儿童

[发明专利]可编程可抹除的非易失性存储器-CN202010081712.6有效
发明人：孙文堂;陈学威;黎俊霄;陈纬仁;廖弘毅 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种可编程可抹除的非易失性存储器，包括存储单元阵列与感测电路。存储单元阵列中包括通用存储单元与参考存储单元皆连接至字线。该感测电路包括电流比较器。该通用存储单元的编程效率与抹除效率大于该参考存储单元的该编程效率与该抹除效率。于读取动作且该字线动作时，该通用存储单元产生读取电流至该电流比较器，该参考存储单元产生参考电流至该电流比较器。该电流比较器根据该参考电流以及该读取电流来输出数据信号用以指出该通用存储单元的储存状态。
可编程非易失性存储器

[发明专利]非挥发性存储器的存储单元-CN202110917690.7在审
发明人：陈英哲;孙文堂;黎俊霄;陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括一存储元件。存储元件为一晶体管，且存储元件具有不对称的间隙壁。在存储元件中，较宽间隙壁的下方具有较长的沟道。当存储元件进行编程动作时，将有更多的载流子(carrier)经由较长沟道注入间隙壁的电荷抓取层。因此，本发明的存储单元可更有效率的进行编程动作，并缩短编程动作的时间。
挥发性存储器存储单元

[发明专利]单层多晶硅非挥发性内存单元-CN201811602274.2有效
发明人： 陈学威;陈纬仁;孙文堂;郭瑞旻 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层多晶硅非挥发性内存单元，包含：一半导体衬底，具有一第一导电型；第一、第二、第三OD区域，设于半导体衬底上，且由一隔离区域彼此分离，其中第一OD区域和第二OD区域形成在一第一离子井内，且第一离子井具有一第二导电型；一第一记忆胞，设于第一OD区域上；一第二记忆胞，设于第二OD区域上，其中第一记忆胞和第二记忆胞相对于一轴线呈现不对称的记忆胞布局结构；以及一抹除闸极，设于第三OD区域内。
单层多晶挥发性内存单元

[发明专利]电阻式存储器胞及其相关的阵列结构-CN202011536677.9在审
发明人：赖宗沐;张纬宸;陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种电阻式存储器胞及其相关的阵列结构，电阻式存储器胞包括一井区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一栅极结构、第二栅极结构与第三栅极结构。第一栅极结构形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的井区的该表面上方。第二栅极结构形成于第二掺杂区上方。第三栅极结构形成于第二掺杂区与第三掺杂区之间的井区的表面上方。第一金属层连接至第一掺杂区以及第三掺杂区。第二金属层，连接至第一栅极结构的导电层与第三栅极结构的导电层。
电阻存储器及其相关阵列结构

[发明专利]可编程可抹除的非挥发性存储器-CN201710521061.6有效
发明人：黎俊霄;陈纬仁;陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/11558 文献下载
摘要：本发明公开一种可编程可抹除的非挥发性存储器，包括：一第一晶体管，一第二晶体管，一抹除栅区域与一金属层。第一晶体管包括：一选择栅极，一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域。选择栅极连接至一字符线。第一掺杂区域连接至一源极线。第二晶体管包括：该第二掺杂区域，一第三掺杂区域以及一浮动栅极。第三掺杂区域连接至一位线。抹除栅区域连接至一抹除线。该浮动栅极延伸至抹除栅区域上方，且相邻于该抹除栅区域。金属层位于该浮动栅极上方，且该金属层连接至该位线。
可编程挥发性存储器

[实用新型]一种电容器-CN201922088142.9有效
发明人：卢东亮;蔡东方;齐水冰;李春丽;李可;王逸飞;陆俞辰;陈龙;张蕾蕾;江婵;李保庆;杨帆;黄荣源;陈学威;宋泽洵;游锦民;陈嘉丽;杨冰如;萧锐驰 -专利权人：广东环境保护工程职业学院
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01G11/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容器，包括由固态电解质制成的固态电解质层，由活性炭制成的工作电极，由Au、Ag、Al或Ni中的一种或几种制成的集流体层，其中，工作电极制成固态电解质层和集流体层之间的层状结构，或者制成嵌入固态电解质层中的条状结构。本实用新型提出的固态电解质超级电容器设计合理，克服了现有技术中的电容器比表面积小且金属与锂离子或钠离子等容易形成合金的问题，进一步提高了固态电解质超级电容器的储电性能和稳定性。
一种电容器

[发明专利]非易失记忆单元和相关操作方法-CN201611045249.X有效
发明人： 陈学威;陈纬仁;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失记忆单元，包括一基板、一选择闸极、一浮动闸极，以及一辅助控制闸极。基板包括一第一扩散区、一第二扩散区、一第三扩散区，以及一第四扩散区。选择闸极形成于一多晶硅层内，且位于第一扩散区和第二扩散区上。浮动闸极形成于多晶硅层内，且位于第二扩散区、第三扩散区和第四扩散区上。辅助控制闸极形成于一金属层内，且位于浮动闸极上，其中辅助控制闸极的一部分面积至少覆盖浮动闸极的一半面积。因此，辅助控制闸极和浮动闸极之间所形成的金属‑多晶硅电容可作为浮动闸极的额外耦合节点，进而改善非易失记忆单元的读取效率和抹除效率。
非易失记忆单元相关操作方法

[发明专利]一种废旧锂离子电池锰酸锂正极材料回收利用的方法-CN201910659038.2在审
发明人：卢东亮;齐水冰;蔡东方;李春丽;李可;陈龙;张蕾蕾;江婵;李保庆;王逸飞;陆俞辰;杨帆;罗增勇;毛展冲;毛文涛;黄荣源;陈学威;宋泽洵 -专利权人：广东环境保护工程职业学院
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种废旧锂离子电池锰酸锂正极材料回收利用的方法，步骤为：(1)将锰酸锂正极片用N‑甲基吡咯烷酮超声震荡处理，过滤得到沉淀；(2)将沉淀煅烧，冷却，研磨并过筛得到锰酸锂正极材料；(3)将得到的锰酸锂正极材料利用硫酸和双氧水的混合溶液浸出，然后过滤得到浸出液；(4)将碳布表面进行活化，然后将浸出液和活化后的碳布同时置于密闭容器中进行恒温水热反应；(5)反应结束后，将碳布取出，用去离子水洗涤，置于真空干燥箱内干燥，得到表面有锰酸锂晶体的碳布材料。所述方法采用超声震荡法回收锰酸锂正极材料，且采用水热的方法进行材料的回收利用，代替了传统工艺，减小环境影响，降低了回收能耗。
锰酸锂正极材料回收利用碳布废旧锂离子电池超声震荡浸出液活化沉淀过滤双氧水恒温水热反应甲基吡咯烷酮去离子水洗涤锰酸锂晶体锰酸锂正极传统工艺环境影响混合溶液密闭容器碳布材料回收研磨过筛减小浸出水热煅烧硫酸冷却能耗取出

[发明专利]可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元-CN201510394078.0有效
发明人：徐德训;黎俊霄;陈学威 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动栅极晶体管包括一浮动栅极；存储器P型阱区位于半导体衬底中；存储器N型阱区位于存储器P型阱区中；存储器P型阱区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；存储器P型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度深；存储器N型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度浅。
高度微缩单层多晶硅非易失性存储单元

[发明专利]非易失性内存单元-CN201410526645.9在审
发明人：徐德训;陈纬仁;陈学威;曹沐潆;陈英哲 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性内存单元，包含一P型基底；一N型井，设于所述P型基底中；以及一PMOS储存晶体管，设于所述N型井上。所述PMOS储存晶体管包含一浮栅以及一辅助栅紧邻着所述浮栅的一侧设置，其中所述浮栅以及所述辅助栅共同位于所述PMOS储存晶体管的一浮栅沟道上。所述辅助栅与所述浮栅之间有一空隙，使得所述辅助栅与所述浮栅至少在所述浮栅沟道正上方是彼此不相连、互相分隔开来。
非易失性内存单元

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