专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种通过MOSFET控制结终端集成体二极管的RC-IGBT器件-CN201710099683.4有效
  • 陈伟中;郭乔;贺利军;黄义 - 重庆邮电大学
  • 2017-02-23 - 2019-09-03 - H01L29/417
  • 本发明涉及RC‑IGBT,属于半导体功率器件领域,包括从上至下设置的阴极层、N‑漂移区、N缓冲层和集电区,集电区包括同层设置的N集电区和P集电区,阴极层内间隔设置有若干多晶硅栅电极,每个栅电极被SiO2栅氧化层包围;RC‑IGBT器件从左到右为有源区、过渡区和结终端区,结终端区底层完全由N集电区构成。本发明利用结终端区集成了体二极管,结终端的场限环P‑ring作为二极管的阳极,结终端区底层的N集电区作为二极管的阴极,其导通状态受集成在过渡区的MOSFET的控制。本发明所提出的RC‑IGBT器件在正向导通IGBT模式下能彻底消除snapback现象,且正向导通压降降低了19.4%,这种结构大大提高了RC‑IGBT的性能。
  • 一种通过mosfet控制终端集成二极管rcigbt器件

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