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[发明专利]一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法-CN202011541707.5有效
发明人：徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法；使用单一坩埚，通过电子束和坩埚位置的调整，实现了将每次蒸镀形成的翘曲层重新打散成颗粒，然后继续进行蒸镀，以此完成了金属Cr厚膜层的蒸镀。本发明方法克服了制备厚金属Cr层需要通过多坩埚蒸镀的弊端，通过调整蒸镀过程中金属源表面形态，以较简单的方法、较低的成本、使用单一坩埚即可有效实现厚金属Cr层的制备。
一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属方法

[发明专利]一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法-CN202210247697.7在审
发明人：吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法，该制备方法采用透明金属氧化物作为欧姆接触层，通过对合金条件优化，可同时与P‑GaP和N‑GaAs形成欧姆接触，无需对P‑GaP欧姆接触层和N‑GaAs欧姆接触层单独进行欧姆接触制程，工艺简单，成本低，且透明欧姆接触层可同时提高发光强度。
一种倒装 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法-CN202310634586.6在审
发明人：吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法，属于光电子技术领域。本发明通过在ICP刻蚀切割道的过程中，调节APC(自动压力控制器)插板阀的角度，利用刻蚀过程中的生成物作为掩膜，达到切割道粗化效果。该方法不需要额外进行一次湿法腐蚀，且对切割道内剩余GaP的厚度没有严格的要求，因此工艺简单，便于生产作业。本发明利用ICP刻蚀形成切割道的过程中同时完成了粗化切割道，不需额外进行湿法工艺粗化，简化了制备工艺，大幅减少工艺流程，相较于现有制备方法的生产周期，本发明的生产周期减少了5％，极大地提高了生产效率，降低生产成本。同时不会造成GaP过腐蚀，提高了良率。
一种切割道粗化极性 algainp 发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法-CN202210069049.7在审
发明人：谭立龙;吴向龙;彭璐;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备领域，其外延片由下至上依次包括衬底、键合层、P‑GaP光窗口层、P‑AlInP波导层、MQW发光层、N‑AlInP波导层、N‑AlGaInP电流扩展层和N‑GaAs欧姆层，N‑GaAs欧姆层和键合层上分别蒸镀有N、P一次电极，在外延片表面沉积有DBR钝化层，P、N导电孔上方分别制作有P、N电极焊盘；键合层包括ITO薄膜、Al2O3薄膜和SiO2薄膜。本发明通过优化键合层结构，提高了衬底替换后的键合良率，并且达到节省外延成本、增加发光面积提升亮度、P和N一次欧姆接触电极同时制作降低芯片成本以及生产周期的效果。
一种 gaas 倒装 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种光刻版表面损伤修复溶液及其应用-CN201910088109.8有效
发明人：胡夕伦;吴向龙;闫宝华;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明涉及光刻板清洗领域，具体涉及一种光刻版表面损伤修复溶液及其应用，一种光刻版表面损伤修复溶液包括重铬酸钾、水溶性铬盐、浓硫酸和水；光刻版表面损伤修复溶液的修复方法包括如下步骤：(1)将所述修复溶液加热并同时搅拌后，静置；(2)将光刻版放入所述修复溶液中浸泡并超声；(3)冲洗光刻板；(4)干燥光刻板；(5)吹干光刻板。修复溶液配置和使用方法简单，成本低廉。该修复溶液对光刻版表面嵌入颗粒物、硌伤等能起到良好的修复作用，清洗后的光刻版表面光鲜、平整，同时又不导致光刻版铬镀层厚度显著下降。保证了后续作业的光刻质量，有利于提升产品质量，同时降低了由于频繁更换新光刻版造成的损失。
一种光刻表面损伤修复溶液及其应用

[发明专利]一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法-CN202310229355.7在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法。包括步骤：(1)向砷化镓基LED晶片的电极面涂覆正性光刻胶，甩均匀；(2)将晶片进行曝光，再显影和镜检；(3)将晶片烘干，放入刻蚀机中在晶片中央进行刻蚀；(4)将刻蚀后的晶片进行去胶清洗，在测试机上选择参数档完成光电参数测试。本发明通过在晶片中央进行刻蚀，并控制刻蚀宽度和刻蚀深度为，使得刻蚀深度大于外延结构的厚度，实现晶片的半切，有效克服了使用金刚刀切割导致测试过程中的测试参数不准，波动范围大的问题，极大地提高了后续测试过程中光电参数的准确性。同时降低使用金刚刀切割过程中的易出现的裂片损失以及崩边外观异常，成功的降低成本、提高外观良率。
一种提高砷化镓基 led 晶片测试准确性方法

[发明专利]一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法-CN202111551208.9在审
发明人：吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法，属于光电子领域，包括P型单晶硅衬底、衬底上的恒流JFET芯片和LED芯片；恒流JFET芯片包括外延层、氧化层/绝缘层、P+隔离墙、P+栅区和N+漏源区；LED芯片包括键合层、电流扩展层、P型欧姆接触层、多量子阱层和N型欧姆接触层；晶圆上还设置有JEFT的P电极、N电极、LED的P电极和N电极，其中JEFT的N电极和LED的N电极连接在一起形成焊线电极。本发明同时具有LED芯片和恒流JFET芯片功能，将原本需要单独制作的芯片通过一次工艺完成，且封装时适用于各种支架，一次固晶焊线即可完成，因此可大幅降低生产成本，简化封装工艺。
一种具有功能发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种LED晶片测试用测试针装载器及其应用-CN202111486238.6在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED晶片测试用测试针装载器及其应用，属于LED晶片测试技术领域，该装载器包括缓冲器，缓冲器包括圆柱状的壳体和设置在壳体内的弹簧；圆柱状的壳体上部设置有缓冲器调节阀，缓冲器调节阀与圆柱状的壳体螺纹连接，缓冲器调节阀与弹簧的顶部固定连接；圆柱状的壳体底部滑动设置有一安装固定件，安装固定件顶部固定连接弹簧，底部固定有测试针。本发明可以缓冲晶片与测试针之间的压力，不会损伤晶片，增加了测试针的使用寿命，减少了换针频率，提高了LED晶片测试的工作效率。
一种 led 晶片测试装载及其应用

[发明专利]一种切割LED晶片的裂片方法-CN202111418682.4在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种切割LED晶片的裂片方法，属于LED芯片技术领域。包括步骤如下：(1)将晶片放在贴膜机上进行贴膜作业；(2)将步骤(1)所得晶片放入划片机中，校准水平，画定切割行列，划片机在晶片表面形成划痕；(3)在晶片有电极一面贴一层离子导电膜；(4)将待裂晶片放进工装底座中，然后将工装底座放入裂片机，进行裂片作业，裂片时劈刀下压量调至6‑7um；(5)裂片完成后，将工装底座从裂片机中取出，进行分离作业；(6)开启气体反吹，使蓝膜鼓起向上，晶片完全分离。本发明可以在裂片时减少裂片机劈刀的下压量，避免劈刀下压量过大造成的切割不良，同时避免裂片完成后，因LED晶片之间有黏连，造成扩膜后出现双晶，影响产品良率。
一种切割 led 晶片裂片方法

[发明专利]一种改善偏移的LED芯片切割方法-CN202111370826.3在审
发明人：郑军;王爱杰;李琳琳;齐国健;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：(1)涂胶；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；(3)显影；(4)刻蚀；(5)去胶；(6)贴膜；(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
一种改善偏移 led 芯片切割方法

[发明专利]一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法-CN202111292752.6在审
发明人： 闫宝华;吴向龙;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法，属于光电子领域，GaP电流扩展层上生长有纳米ITO层和P电极；GaP电流扩展层上的发光点区域之外被刻蚀至N‑AlInP下限制层，暴露出的N‑AlInP下限制层上设置有表面粗糙的结构化层；纳米ITO层、GaP电流扩展层、P‑AlInP上限制层、多量子阱有源区、结构化层表面制备有SiO2绝缘层。本发明通过MOCVD采用低温抑制生长电流扩展层、纳米ITO等技术创新，并将红点瞄具光源芯片发光区域外反射光的部分进行表面结构化，有效消除红点瞄具光源芯片的反光效应,提高光源芯片发射光点的效果,使光点更加清晰、精确。
一种表面结构红点瞄具光源芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED晶片的切割裂片方法-CN202111267421.7在审
发明人：李法健;王爱杰;吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED晶片的切割裂片方法。包括步骤(1)晶片N面向上，N面贴膜，然后晶片P面向上，划片；(2)晶片P面向上，放隔离环，P面贴膜；(3)将晶片翻转，N面向上P面向下，去除N面蓝膜，取下隔离环，划片；N面向上，放隔离环，N面贴膜；(4)晶片翻转，P面向上N面向下，去除P面蓝膜，取下隔离环，划片；(5)P面向上，涂覆保护液，P面贴膜；(6)裂片，清洗，完成LED晶片的切割裂片。本发明提供的切割裂片方法，能够有效避免切割裂片过程中造成的晶片损伤，提高产品合格率，保证产品的效益，并且能完全杜绝蓝膜残胶遗留在晶片表面，提高产品外观及焊线良率。
一种 led 晶片切割裂片方法

[发明专利]一种提升LED芯片侧面出光效率的方法-CN202110992519.2在审
发明人：徐盼盼;闫宝华;高瑜;李君 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升LED芯片侧面出光效率的方法。步骤如下：(1)提供LED外延片，在外延片GaN层上生长SiO2薄膜；(2)在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形；(3)将外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50～150s；(4)将外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构；(5)将外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀P/N电极和制备钝化层。本发明制作的LED芯片具有两段斜坡的MESA结构，首先增加了LED芯片的出光面积；其次增加了侧面出光路线中的角度组合，增加了GaN内部的波导或多次反射的光线的逃逸机会；最后更有利于发自MQW的光线横向传播的一次出光，相较于常规MESA结构的LED芯片发光效率提高了1.2％以上。
一种提升 led 芯片侧面效率方法

[发明专利]一种防止背崩的LED芯片切割方法-CN202110956765.2在审
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止背崩的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤：(1)贴膜；(2)切割；(3)微扩膜与缩膜；(4)压膜；(5)扣膜；(6)扩膜，完成切割。本发明改善了常规化芯片切割工艺，添加了预切割、微扩膜、缩膜、压膜和扣膜步骤，将应力分段传递，减少应力对芯片内里造成的影响，有效地改善了常规化芯片切割工艺将应力由表面直接一次性深入传递到芯片内里，容易造成芯片背崩的情况，克服了芯片切割过程中容易发生背崩的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
一种防止 led 芯片切割方法

[发明专利]一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装-CN202010059978.0有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法和工装，工装包括包括上板和下板，所述上板和下板通过固定栓连接；所述上板一侧设有手柄，下板的内侧面上设有用于固定陶瓷盘的固定槽。方法包括以下步骤：将芯片正面用蜡粘附在陶瓷盘上；将贴有芯片的陶瓷盘置于压片机下进行压片；将陶瓷盘吸附在研磨机机械臂的吸盘上进行芯片衬底的研磨；刷洗陶瓷盘；陶瓷盘放入工装内，浸入抛光试剂中腐蚀抛光；冲洗陶瓷盘；加热陶瓷盘，取下芯片。本方法能够有效地提高研磨后抛光的效率，避免芯片正面的损伤，且提高腐蚀抛光的效率、质量和安全性。
一种砷化镓 led 芯片研磨抛光方法工装

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