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[发明专利]锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法-CN201010595431.9有效
发明人：梅绍宁;钱文生;段文婷;刘冬华;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结NPN三极管器件，集电区形成于有源区中并和形成于有源区两侧的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过深孔接触引出集电极；还包括由形成于P型锗硅外延层上的P型硅、氮化硅刻蚀后形成的发射极窗口，窗口底部的P型锗硅外延层组成本征基区，窗口外部的P型锗硅外延层和P型硅组成外基区；窗口的内侧壁形成有内侧墙，发射区由填充于窗口内并在顶部延伸到窗口外部N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结NPN三极管的制造方法。本发明能够减小器件尺寸、减小集电极的寄生电阻、提高器件的特征频率，能简化工艺流程、降低工艺成本，能实现工艺尺寸的精确控制。
锗硅异质结 npn 三极管器件制造方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201010590206.6有效
发明人：梅绍宁;钱文生;胡君;刘冬华;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成并和形成于有源区周围的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过在赝埋层顶部的浅槽场氧形成的深孔接触引出集电极；本征基区由形成于发射极窗口底部为P型锗硅外延层组成、在发射极窗口外部的P型锗硅外延层通过硼硅玻璃的退火推进进一步掺杂并形成外基区。发射极窗口的内侧壁形成有内侧墙，发射区由完全填充于发射极窗口内并在顶部延伸到发射极窗口外部的N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能够减小器件尺寸、减小寄生电阻、提高特征频率，能简化工艺流程、减少光刻版的使用、降低成本，实现工艺尺寸的精确控制。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]锗硅异质结NPN三极管及制造方法-CN201010592153.1有效
发明人：梅绍宁;钱文生;段文婷;刘冬华;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结NPN三极管，集电区形成于有源区中并和形成于有源区两侧的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过深孔接触引出集电极；还包括由二氧化硅、P型多晶硅、氮化硅刻蚀后形成的集电区注入窗口，二氧化硅被横向刻蚀形成侧壁内凹结构，在窗口底部形成有P型锗硅外延层，锗硅外延层在侧壁内凹结构处和P型多晶硅形成接触并分别作为本征基区和外基区；窗口的内侧壁形成有内侧墙，发射区由填充于窗口内并在顶部延伸到窗口外部N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结NPN三极管的制造方法。本发明能够减少光刻版的使用、降低成本、减小器件尺寸、减小寄生电阻、提高特征频率。
锗硅异质结 npn 三极管制造方法

[发明专利]锗硅异质结NPN晶体管及制造方法-CN201010588822.8有效
发明人：梅绍宁;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结NPN晶体管，集电区形成于有源区中和其两侧的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过深孔接触引出；通过外侧墙形成一发射极窗口；发射极窗口底部的P型锗硅外延层为本征基区、发射极窗口外部的P型锗硅外延层通过离子注入进一步掺杂形成外基区；外侧墙能防止外基区的离子影响本征基区。发射区由完全填充于发射极窗口内并在顶部延伸到发射极窗口外部N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结NPN晶体管的制造方法。本发明能够减小器件尺寸、减小寄生电阻、提高特征频率，能简化工艺流程、减少光刻版的使用、降低成本，实现工艺尺寸的精确控制。
锗硅异质结 npn 晶体管制造方法

[发明专利]超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法-CN201110440342.1有效
发明人：董金珠;胡君;韩峰;刘冬华;石晶;段文婷;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、两个N埋层、浅沟槽隔离结构、集电区、锗硅基区、发射区、接触孔和深阱接触孔，N埋层分别连接在集电区两侧，并与深阱接触孔连接，以引出集电区；浅沟槽隔离结构中制作有与锗硅基区连接的多晶硅场板。本发明还公开了上述结构的锗硅HBT的制备方法。本发明通过在有源区两侧制作N型重掺杂赝埋层，在场氧区引入基区场板，并将集电区划分为轻掺杂和重掺杂区，通过深接触孔引出，不仅大大缩减了器件的尺寸，而且改善了集电区的电场分布，提高了BC结击穿电压，进而提高了锗硅HBT器件的击穿电压。
超高压 hbt 晶体管器件结构制备方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管多指结构-CN201010537896.9有效
发明人：刘冬华;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管多指结构，由多个锗硅异质结双极晶体管单体组成，所述多指结构为C/BEBC/BEBC/BEBC/…/C。其中CBEBC表示一个锗硅异质结双极晶体管单体，每一个发射极E都分配一个集电极C，且各相邻的集电极C都在发射极的外部相连组成一环绕所述发射极E的集电极环绕结构。各锗硅异质结双极晶体管的集电区形成于有源区中、底部周侧和一赝埋层相连，赝埋层环绕有源区形成一环绕结构，赝埋层的内侧延伸进入有源区中和集电区相连、且赝埋层内侧本身不相连。本发明能减少结电容、使集电极电流更均匀、降低集电极的电流密度输出电阻、改善频率特性。
锗硅异质结双极晶体管结构

[发明专利]用于多晶硅栅耗尽测试的MOS结构及制造方法-CN201010537899.2无效
发明人： 钱文生;董金珠 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅栅耗尽测试的MOS结构，包括源区、漏区、栅结构和沟道区，栅结构由栅氧化层、多晶硅栅组成。源区、漏区、多晶硅栅的掺杂杂质为第一导电类型杂质且杂质是通过源漏注入同时形成。沟道区由位于栅结构下方、源区和漏区之间的第一导电类型阱组成。源区、漏区、多晶硅栅的掺杂浓度大于第一导电类型阱的掺杂浓度。本发明公开了一种用于多晶硅栅耗尽测试的MOS结构的制造方法。本发明将沟道区的掺杂类型和源漏区、多晶硅栅设置为相同，在多晶硅栅耗尽的CV测试中，采用本发明MOS结构能排除沟道区的耗尽层的影响而能单独测试出多晶硅栅耗尽情况、从而能提高多晶硅栅耗尽测试的准确度。
用于多晶耗尽测试 mos 结构制造方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管-CN201010511184.X有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，其集电区由形成于有源区中的离子注入区一加上形成于有源区两侧的场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成。所述离子注入区三和场氧区底部表面相隔一纵向距离、其宽度和场氧区的宽度相同。离子注入区二位于离子注入区三的顶部、且离子注入区二的底部和离子注入区三交叠并连接。离子注入区一的深度大于场氧区的底部深度、离子注入区一的底部和离子注入区二相连接。离子注入区三的掺杂浓度大于离子注入区一和离子注入区二的掺杂浓度。通过赝埋层顶部场氧区中的深孔接触引出集电区。本发明能提高器件的击穿电压、维持较高的特征频率，还能降低集电区的串联电阻和降低器件的饱和压降。
锗硅异质结双极晶体管

[发明专利]BiCMOS工艺中的PIN器件-CN201010504077.4有效
发明人：刘冬华;钱文生;胡君;周正良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种的BiCMOS工艺中的PIN器件形成于P型硅衬底上，有源区通过浅槽场氧进行隔离，在俯视面上，所述PIN器件的版图结构为八边形、八边以上多变形、或圆形。在横截面上，所述PIN器件包括：一N型区，由形成于有源区两侧的所述浅槽场氧底部并和有源区相隔一横向距离的N型赝埋层组成并通过深孔接触引出所述N型区。一I型区，由形成于有源区中的N型集电极注入区组成。一P型区，由形成于有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成。本发明能有效地降低器件的串联电阻、提高器件的正向导通电流、能使器件的电流在各个方向上更均匀、提高器件的特性。
bicmos 工艺中的 pin 器件

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管-CN201010507418.3有效
发明人：刘冬华;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，其集电区由形成于有源区中的离子注入区一加上形成于有源区两侧的场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成。离子注入区三的宽度小于场氧区的宽度、且其第一侧和离子注入区一相连接、第二侧和赝埋层相连接；离子注入区二的宽度和场氧区的宽度相同并位于离子注入区三和赝埋层的底部并与离子注入区三和赝埋层形成连接。离子注入区三的掺杂浓度大于离子注入区一和离子注入区二的掺杂浓度、所述离子注入区三的结深小于离子注入区一和离子注入区二的结深。通过赝埋层顶部场氧区中的深孔接触引出集电区。本发明能提高器件的击穿电压、维持较高的特征频率，还能降低集电区的串联电阻和降低器件的饱和压降。
锗硅异质结双极晶体管

[发明专利]超高压锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110370460.X有效
发明人：刘冬华;石晶;段文婷;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压锗硅HBT器件，包括位于两个浅槽隔离结构之间的集电区，其特征是，所述浅槽隔离结构的底部具有赝埋层，所述集电区的两侧与赝埋层相连；所述浅槽隔离结构的上方具有锗硅场板；所述赝埋层通过一个穿越浅槽隔离结构的接触孔电极引出，所述锗硅场板通过另一个接触孔电极引出，这两个接触孔电极相连接作为集电极。本发明还公开了所述超高压锗硅HBT器件的制作方法。本发明所述锗硅HBT器件具有较小的尺寸，并具有较高的击穿电压。
超高压 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容及其制作方法-CN201110311539.5有效
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容，包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集中电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其中：所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。本发明还公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法。本发明的的MOS可变电容及其制作方法打破了现有SiGe HBT器件结构中没有MOS相关结构的局限，能做为MOS可变电容使用。
一种采用 sige hbt 工艺 mos 可变电容及其制作方法

[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法-CN201110240916.0有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。本发明可以减小由于多晶硅发射极所引起的噪声，改善器件的噪声特性。
噪声锗硅异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法-CN201110342692.4有效
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速锗硅HBT器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区两侧；其中，基区和外延介质层非对称的分布于所述集电区和浅沟槽隔离上方，所述基区与外延介质层相邻且部分基区位于所述外延介质层上方，所述基区与外延介质层两侧具有基区隔离侧墙；发射区和发射区介质层位于所述基区上方，所述发射区与发射区介质层相邻且部分发射区位于所述发射区介质层上方，所述发射区与发射区介质层两侧具有发射区隔离侧墙；所述基区、发射区和集电区分别通过接触孔引出连接金属连线。本发明的高速锗硅HBT器件结构及其制造方法能缩小器件面积，能减小基区-集电区的结电容，降低工艺制造成本。
一种高速 hbt 器件结构及其制造方法

[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110317251.9有效
发明人：刘冬华;胡君;段文婷;石晶;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有锗硅基区外延层，所述锗硅基区外延层包括自上而下的覆盖层、锗硅层和缓冲层；所述覆盖层为n型掺杂的硅材料；所述锗硅层为锗硅材料，自上而下又分为三个部分，分别是第一n型掺杂部分、p型掺杂部分、第二n型掺杂部分；所述第一n型掺杂部分和p型掺杂部分之间的分界线作为EB结；所述p型掺杂部分和第二n型掺杂部分之间的分界线作为CB结；所述缓冲层为n型掺杂的硅材料。本发明还公开了制造所述锗硅HBT器件的方法。本发明能增加器件和工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB结位置的热过程(退火温度、时间)，可以精确控制锗硅HBT的EB结、CB结位置及两者的反向耐压。
锗硅 hbt 器件及其制造方法