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[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法-CN201310003606.6有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区。在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。本申请还公开了其制造方法。由于在沟道下方、漏端下方分别增加了第一阱和第二阱，本申请可以提高副阻效应发生时的漏端触发电压，以获取高可靠性。
一种射频 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方法-CN201210521204.0无效
发明人：刘冬华;钱文生;石晶;段文婷;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，有源区在横向方向上分成两部分，在第一部分中形成有P型离子注入区组成的集电区、在第二部分中形成有N型离子注入区组成基区，集电区和基区在横向上形成接触；发射区由形成于基区表面部分区域中的P型离子注入区组成，发射区和集电区之间相隔有一横向距离，通过调节该横向距离调节基区的宽度，通过掺杂多晶硅引出集电极、发射极和基极。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、提高器件的性能，本发明无须额外的工艺条件，能够降低成本。
锗硅 hbt 工艺横向寄生 pnp 三极管制造方法

[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法-CN201210529908.2无效
发明人：李娟娟;慈朋亮;钱文生;韩峰;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。本发明能有效地降低器件的栅漏电容Cgd，从而提高器件的射频性能。本发明还公开了该晶体管的制造方法。
射频横向扩散场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法-CN201210521428.1有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频LDMOS器件，栅极在源区和漏区之间。所述栅极分为靠近源区的第一部分和靠近漏区的第二部分，第一部分的掺杂浓度比第二部分的掺杂浓度大一个数量级以上。本申请还公开了其制造方法。由于使得多晶硅栅极的掺杂浓度呈现两段式，本申请可以在获取低导通电阻的同时，降低热载流子效应。
射频 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]应用于射频领域的LDMOS器件及其制造方法-CN201210512690.X有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于射频领域的LDMOS器件，采用绝缘体上硅，所述绝缘体上硅由自下而上的底层硅、绝缘层、顶层硅组成；所述LDMOS器件位于所述顶层硅上。本申请还公开了其制造方法。由于将器件制造在绝缘体上硅上，本申请可以在获取高击穿电压的同时，降低源极与漏极之间的寄生电容。
应用于射频领域 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法-CN201210403275.0有效
发明人：李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本发明的RFLDMOS具有比普通RFLDMOS更低的RDSON，较大的BV，同时具有较低的输出电容。同时，本发明采用外延生长技术，使得外延层的厚度、导电类型、掺杂浓度等均易于控制，并且减少了一次漂移区离子注入和光刻过程。
射频横向扩散场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]NMOS开关器件的制作方法-CN201210187139.2有效
发明人：石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS开关器件的制作方法，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。本发明能有效降低源漏结电容，提高器件的阈值电压。
nmos 开关器件制作方法

[发明专利]阶梯形漂移区的LDMOS器件及其制造方法-CN201210264945.5有效
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种阶梯形漂移区的LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有漂移区，所述漂移区的上表面具有阶梯状形貌，且从沟道到漏端方向漂移区的厚度递减，使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽。本申请还公开了其制造方法。本申请阶梯形漂移区的LDMOS器件可同时获得高击穿电压和低导通电阻。
阶梯漂移 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法-CN201210004113.X有效
发明人：刘冬华;胡君;段文婷;钱文生;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，N区由形成于有源区中并被N型深阱包覆；在有源区两侧的浅槽场氧底部形成有赝埋层，N区通过N型深阱和赝埋层相连接。N区的电极通过形成于赝埋层顶部的浅槽场氧中的深孔接触引出。P区由形成于有源区中的一P型离子注入区组成，P区位于N区的顶部并和N区相接触且P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；P区的电极通过形成于有源区顶部的金属接触引出。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法。本发明能与锗硅BiCMOS工艺完全集成，能为锗硅BiCMOS的电路设计提供一种稳压器件。
锗硅 bicmos 工艺中的齐纳二极管制造方法

[发明专利]超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210187217.9有效
发明人：石晶;刘冬华;胡君;钱文生;段文婷;陈帆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底，依次位于P型衬底上的N型匹配层、P型匹配层和N-集电区；位于N-集电区中两侧端的场氧区，填入该场氧区中的氧化硅；位于场氧区下端N型匹配层、P型匹配层和N-集电区中的N+赝埋层；位于场氧区之间的N+集电区；位于场氧区和N+集电区上方的氧化硅层、多晶硅层和锗硅基区；位于锗硅基区上方的氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射极；位于发射极两侧的发射极侧墙；位于场氧区中的深接触孔，淀积在该深接触孔内的钛/氮化钛过渡金属层及填入的金属钨将N+赝埋层引出，进而实现集电极的引出。本发明公开了一种所述双极晶体管的制备方法。本发明能够提高器件的击穿电压。
超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法-CN201210287201.5有效
发明人：李娟娟;肖胜安;钱文生;韩峰;慈朋亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种RF LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂区，N型漏端轻掺杂区左侧的P外延上方形成有栅氧、多晶硅栅；法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，该单层金属层同多晶硅栅、N型漏端轻掺杂漂移区之间为介质层，漂移部呈从左端到右端逐级升高的阶梯状。本发明还公开了该RF LDMOS器件的制造方法。本发明能使RF LDMOS器件具有较高击穿电压并且制造工艺简单。
rf ldmos 器件制造方法

[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法-CN201210529922.2有效
发明人：李娟娟;慈朋亮;钱文生;韩峰;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，在所述轻掺杂漂移区中还包括两块第二次NLDD注入区域，分别位于所述第一层法拉第盾及所述第二层法拉第盾的下方。本发明能获得超过原有结构器件的性能，实现更高的击穿电压(高于120V)，同时还可以降低原有结构器件的导通电阻。同时本发明还公开了该晶体管的制造方法。
射频横向扩散场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法-CN201210432273.4有效
发明人：李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。本发明射频横向双扩散场效应晶体管采用多晶硅法拉第屏蔽层的结构，与传统的制备法拉第屏蔽层工艺相比较，该制备工艺简单，只是增加了一次热氧化过程，减少了一次法拉第屏蔽层下方氧化层淀积与金属淀积和刻蚀过程，此方法制备的法拉第屏蔽层下方的氧化层的质量相对于普通的法拉第屏蔽层通过淀积的方式生长的要好，从而增强了器件的耐用性；并且本发明的器件相对于普通的金属法拉第屏蔽层器件，具有相同的击穿电压、导通电阻等特性。同时此方法所制备的台阶栅结构，也能起到抑制热载流子注入(HCI)的作用。
射频横向扩散场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有超低结电容密度的pn结及其制造方法-CN201210181021.9有效
发明人： 钱文生;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有超低结电容密度的pn结，在具有第一导电类型杂质的外延层中由两个隔离结构定义出有源区；在有源区的外延层中对称分布有两个填充结构，两个填充结构之间的间距≤每个填充结构的宽度的1.5倍；每个填充结构均分为上下两部分，下部为氧化硅，上部为具有第二导电类型杂质的多晶硅；所述填充结构的总高度≥3μm，填充结构下部的氧化硅的厚度≥2.5μm；填充结构下部的氧化硅上表面低于外延层上表面，以使外延层与两个填充结构上部的多晶硅之间各形成pn结；填充结构上部的多晶硅掺杂浓度远大于外延层；所述第一导电类型、第二导电类型分别为p型、n型；或相反。本申请还公开了其制造方法。本申请所述pn结具有＜0.05fF/μm2的超低结电容密度。
具有超低结电容密度 pn 及其制造方法

[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及制造方法-CN201210152856.1有效
发明人：段文婷;刘冬华;石晶;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为NMOS器件，在多晶硅栅两侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中还形成有用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。
rfldmos 工艺中的 esd 器件制造方法