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[发明专利]一种新型变压器及其使用方法-CN202310527485.9在审
发明人：孔娃;钟玉杰;夏景;曹清华;郑召文 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01F27/10 文献下载
摘要：本发明涉及变压器技术领域，具体是涉及一种新型变压器及其使用方法，包括定位夹持变压器的冷却减震装置，冷却减震装置包括安装在夹持底座，夹持底座的夹持端上设有数个弹性冷却垫，弹性冷却垫均相互连通，弹性冷却垫的内部设有冷却液，夹持底座的夹持端对称设有弹性卡杆，冷却减震装置还包括与弹性冷却垫连通的循环冷却装置，冷却减震装置还包括按压变压器的按压盖板，本申请可有效的确保降温效果，同时有效的减缓变压器不同角度的晃动力。
一种新型变压器及其使用方法

[发明专利]一种基于TransGAT的药物-靶标相互作用预测方法-CN202310302892.X在审
发明人：周长建;向文胜;宋佳;钟玉杰 -专利权人：东北农业大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G16B40/00 文献下载
摘要：本发明涉及人工智能与药物发现相关领域，具体来说，发明了一种基于Transfrormer、图注意力网络和双注意力特征融合模块相结合的药物‑靶标相互作用预测方法。由于传统的药物‑靶标相互作用分析往往需要耗费大量的人力物力以及时间成本，并且实验失败风险较高。本发明结合Transformer和图注意力网络两种模型架构的优势，并利用双注意力机制特征融合方法，将融合后的特征输入到分类器进行药物‑靶标相互作用预测。该方法经过在公开数据集上通过一系列评估指标测试明显优于现有方法，为药物‑靶标相互关系预测提供新思路。
一种基于 transgat 药物靶标相互作用预测方法

[发明专利]一种大阵列高速读出帧转移CCD图像传感器-CN202210919479.3在审
发明人：杨洪;钟玉杰;吴雪飞;李金;尹俊;谷顺虎 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H04N25/71 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器领域，特别涉及一种大阵列高速读出帧转移CCD图像传感器，包括光敏区、存储区、水平区以及输出放大器，存储区的一端与光敏区连接，另一端与水平区连接，水平区与输出放大器连接，光敏区包括一次多晶硅、二次多晶硅和一次金属，一次多晶硅、二次多晶硅通过一次金属过孔与一次金属连接，一次多晶硅和二次多晶硅在轴向交错设置，一次金属径向设置；存储区包括一次金属和二次金属，一次金属和二次金属通过二次金属过孔连接，二次金属轴向设置；所述一次金属内部设置有沟阻；本发明提升光敏区、存储区快态频率，避免常规金属布线设计对于器件响应均匀性的影响，提升水平区信号快速转移。
一种阵列高速读出转移 ccd 图像传感器

[发明专利]具有电荷泄放功能的帧转移CCD及其控制方法-CN202211051753.6在审
发明人：杨洪;白雪平;钟玉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电荷泄放功能的帧转移CCD及其控制方法，包括依次层叠形成的具有第一掺杂类型的衬底和具有第二掺杂类型的阱层以及形成于所述阱层至上的埋沟以及并排形成于所述埋沟之上的光敏区、存储区和水平区，所述光敏区电连接有一驱动所述光敏区的第一区域下方的埋沟进行电荷泄放的第一驱动时钟；所述第一驱动时钟控制所述电荷在一预设的第一时钟脉冲内于所述第一区域下方的埋沟泄放至衬底，能够很好兼顾帧转移CCD的灵敏度和成像质量。
具有电荷功能转移 ccd 及其控制方法

[发明专利]多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法-CN202210986695.X在审
发明人：黄建;钟玉杰;向华兵;杨修伟;袁安波;姜华男;廖乃镘 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法，包括在硅片表面生长一多晶硅层，多晶硅层形成有一具有第一粗糙度的初始表面；对多晶硅层进行掺杂、氧化工艺，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅层，得到刻蚀掩膜结构；利用刻蚀掩膜结构同步刻蚀二氧化硅层及硅片的衬底，将刻蚀掩膜结构按照预设比例转移至衬底上，形成黑硅微结构，工艺简单，成本低，制备过程对设备的硬件要求低，有利于批量化生产并且与硅光电器件工艺兼容性好，制备的黑硅微纳结构精细化程度适中，近红外吸收效果好。
多晶辅助刻蚀微结构及其制备方法

[发明专利]一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法-CN202111412253.6在审
发明人：黄建;李睿智;钟玉杰;雷仁方;鄢真真;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括从下至上依次设置的微黑体阵列和透光区，所述微黑体阵列包括多个呈阵列分布的微黑体像元，每一所述微黑体像元均包括吸收区、相对设置在所述吸收区上、下两侧的正面反射区和背面反射区以及设置在所述正面反射区和背面反射区之间且包围所述吸收区的侧面反射区；所述正面反射区上设有一通光孔，使得近红外光经所述透光区聚合并由所述通光孔射入吸收区后，能在正面反射区、背面反射区和侧面反射区之间来回反射，实现所述吸收区对近红外光的反复吸收，增加入射光的吸收率，在提高光电探测器的灵敏度的同时兼顾击穿电压温度系数和响应时间。
一种黑体 apd 光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法-CN202110624638.2在审
发明人：黄建;江海波;鄢真真;雷仁方;钟玉杰;李睿智 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制备技术领域，特别涉及一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法，制备方法包括对硅晶圆进行清洗；以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助，采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理，在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤；对硅晶圆表面进行清洗；采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构；对硅晶圆进行清洗，完成黑硅制备；本发明采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅，具有近红外吸收效果好，暗电流低，工艺简单，均匀性好，便于批量生产，成本低，与硅光电器件工艺兼容性好等优点。
一种基于机械研磨辅助腐蚀制作方法

[实用新型]一种数学绘图器-CN201920125609.X有效
发明人： 钟玉杰;杨艳春;巢伟;陆杨;赵敬 -专利权人： 钟玉杰;杨艳春
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： B43L7/027 文献下载
摘要：本实用新型提供一种数学绘图器，涉及绘图器领域，包括直角三角板，直角三角板包括斜板，斜板侧壁开设有第一凹槽，第一凹槽内壁两侧分别设有滑槽，两个滑槽上滑动设有同一个滑板，斜板正面纵向设有多个螺孔，斜板外设有螺杆，螺杆抵在滑板侧壁上，滑板顶端两侧分别设有竖板，两个竖板间通过转杆连接，转杆均与竖板转动连接，转杆一侧设有伸缩杆，转杆侧壁周向设有若干个插槽，插槽与伸缩杆伸缩端相配合，转杆上设有粉笔套，粉笔套内设有粉笔。本实用新型解决了现有的绘图工具功能往往单一，老师在教学过程中往往需要携带多中绘图工具，往往造成了携带困难，且容易遗落或丢失的问题。
转杆竖板斜板本实用新型数学绘图器直角三角板绘图工具粉笔套伸缩杆滑板侧壁插槽滑槽螺杆凹槽内壁侧壁周向滑板顶端教学过程斜板正面转动连接携带绘图器滑动伸缩粉笔螺孔老师配合

[实用新型]用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具-CN201520992733.8有效
发明人：江海波;韩恒利;钟玉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，所述模具由两个压盖和两个环形密封垫组成；所述压盖的内端面上设置有安装槽；安装槽的中部设置有通孔，通孔的外周边沿与安装槽的槽壁之间留有间隔；安装槽的槽底被通孔所截后形成的环形端面记为密封面；所述环形密封垫设置在密封面处，环形密封垫的内孔边沿与所述通孔的外周边沿齐平，两个环形密封垫分别对应两个压盖上的密封面；两个压盖转动连接，当两个压盖转动到位时，两个压盖的内端面相互接触，两个压盖上的安装槽、通孔和密封面互相对正。本实用新型的有益技术效果是：提出了一种用于硅片局部腐蚀减薄的模具，该模具结构简单，操作方便。
用于硅片局部湿法腐蚀模具

[发明专利]纵向抗晕CCD制作工艺-CN201510487424.X在审
发明人：雷仁方;杨洪;韩沛东;钟玉杰;向华兵;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种纵向抗晕CCD制作工艺，其步骤为：1）提供N型单晶硅片；2）在N型单晶硅片表面形成氧化层；3）对N型单晶硅片进行磷离子注入，使N型单晶硅片内形成一定厚度的磷离子注入区；4）对磷离子注入区进行激活处理，激活后的磷离子注入区形成N型夹心层；5）去掉N型单晶硅片表面的氧化层；6）在N型单晶硅片上生长外延层，形成衬底；7）在衬底上依次制作出栅介质、P阱、沟阻、沟道、转移栅、连接孔和金属引线。本发明的有益技术效果是：降低了N型夹心层的电阻率非均匀性，有利于大规模纵向抗晕CCD的均匀性控制，本发明只采用了一次外延工艺，工艺的整体可控性较高。
纵向 ccd 制作工艺

[发明专利]离子注入工艺在CCD制作中的应用及CCD制作工艺-CN201310357133.X无效
发明人： 钟玉杰;王晓强;韩沛东;李永芬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种离子注入工艺在CCD制作中的应用，包括：用于其他器件上的多晶硅栅制作的常规离子注入掺杂工艺，所述其他器件为非CCD器件，其改进在于：制作CCD上的多晶硅栅时，采用常规离子注入掺杂工艺对CCD上的多晶硅栅进行磷离子注入掺杂处理。本发明的有益技术效果是：使CCD制作时的工艺性得到了改善，避免了现有技术中存在的众多问题，使CCD的性能和品质得到了保障，为加工高品质的CCD器件提供了技术基础。
离子注入工艺 ccd 制作中的应用

[实用新型]横向嵌合式实木地板-CN01204912.3无效
发明人： 钟玉杰 -专利权人：深圳市金绿屋装饰材料有限公司
申请日： 2001-02-02 - 公布日： 2001-11-28 - 主分类号： B27M3/04 文献下载
摘要：一种横向嵌合式实木地板,其底面上设有至少一条第一凹槽11,其特征在于,该地板的两横向侧面上各设有一条第二凹槽12,该凹槽与所述第一凹槽11相连通而形成空气通道其两纵向侧面上分别设有两条凸榫13和两条第三凹槽14,该凸榫和第三凹槽分别与另一块地板的相应凹槽和凸榫形成嵌合结构。本实用新型具有面性嵌合结构,受力及通气性能良好,连接牢固,连接时不需要辅助固定材料。
横向嵌合实木地板

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