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[实用新型]高可靠性的二极管-CN202320996278.3有效
发明人： 钟平权;郭晓明;莫家明 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，具体为高可靠性的二极管，包括第一橡胶板，第一橡胶板的下端两侧固定有橡胶连板，橡胶连板的下端设置有第二橡胶板，第一橡胶板和第二橡胶板上开设有通口，两侧橡胶连板之间设置有二极管，二极管的外侧设置有橡胶凸起，二极管的两侧设置有引脚，且引脚贯穿橡胶连板，第一橡胶板和第二橡胶板配合橡胶连板对二极管进行遮挡，对二极管进行充分的保护，延长二极管的使用寿命。
可靠性二极管

[实用新型]一种贴片三极管-CN202320817389.3有效
发明人： 钟平权;王焦;叶家富 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及贴片三极管技术领域，具体为一种贴片三极管，包括三极管，三极管上设置有衔接引脚，三极管上固定有定长引脚，衔接引脚上设置有内置槽，定长引脚上固定有方形块，方形块与内置槽滑动设置，内置槽的内壁上固定有防脱块，定长引脚与防脱块滑动紧贴设置。本实用新型通过衔接引脚与三极管的伸缩，使得整个三极管在进行相邻底板搭接安装的同时，可根据相邻底板的间距进行灵活调整，满足安装需求，通过铝合金材料的导热板和翅片结构，可在三极管工作时，进行有效的导热散热。
一种三极管

[发明专利]一种低压降的肖特基二极管封装工艺-CN202310570909.X在审
发明人： 钟平权;王焦;郭晓明;钟剑锋 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压降的肖特基二极管封装工艺，包括机体，机体下方设有传送带；还包括第二齿轮和活动套筒以及抵压杆；往复组件，往复组件通过第二齿轮带动金属于半导体上进行往复转动；活动组件，活动组件用于配合活动套筒夹持金属移动与阴极抵压配合；维持组件，维持组件用于松弛活动组件前使用抵压杆抵压固定金属，本发明通过两个第二齿轮做一定角度的来回往复的圆周滚动运动，从而使两个伸缩杆和固定环以及金属做一定角度的来回往复的转动，使金属相对于阴极做来回往复的活动，便于将金属与阴极之间的粘合剂充分均匀的活动，避免金属与阴极之间之间存在空隙，从而保证粘黏质量。
一种低压肖特基二极管封装工艺

[发明专利]一种低功耗微型封装的二极管-CN202210310342.8在审
发明人： 钟平权 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗微型封装的二极管，涉及二极管安装技术领域，解决了现有引脚折弯误差较大的问题，包括PN结和两个引脚，两个引脚分别安装于PN结两端，还包括套在PN结外侧的对接套和安装在PN结外侧的折弯辅助组件，对接套两端均开有转动槽，且对接套外侧开有与两个转动槽相连通的移动槽，折弯辅助组件用于辅助引脚折弯，本发明通过在设计的折弯辅助组件，使得人员在对引脚进行折弯时，能够移动凸轮套到引脚插孔位置处进行定位，辅助人员进行准确位置的折弯处理，避免折弯后引脚整体会出现过长过短现象，使得对二极管的安装更加方便。
一种功耗微型封装二极管

[发明专利]一种用于TWS的散热三极管-CN202210336736.0在审
发明人： 钟平权 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TWS的散热三极管，涉及三极管安装技术领域，解决了现有三极管与散热片安装不稳定的问题，包括安装板和三极管本体，所述安装板两端均固定有支撑板，且所述三极管本体安插于两个所述支撑板之间，还包括固定在安装板上的夹持组件和安装于两个所述支撑板之间的散热件，所述夹持组件用于对所述三极管本体进行夹紧限位，本发明通过优化现有的三极管结构，通过设计的夹持组件机散热件，使得三极管与电路板的安装时，能够精准的插入电路板上的插孔内，同时安装更加稳定，避免芯片抖动造成散热片松散情况发生，使得散热效果更佳。
一种用于 tws 散热三极管

[发明专利]芯片弹坑检测过程中快速腐球的方法-CN202210613688.5在审
发明人： 钟平权;郭晓明;王焦 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片弹坑检测过程中快速腐球的方法，所述方法包含以下步骤：1.配制氢氧化钠和氟化钠的混合溶液，溶液中氢氧化钠浓度为5～15％，氟化钠浓度为0.5～2％。2.将芯片置于氢氧化钠和氟化钠混合溶液中，对混合溶液进行水浴，水浴温度为40～60℃，水浴时间2～8min。3.将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。4.显微镜下观察弹坑情况。该方法具有腐球速度快，不破坏芯片硅层，腐蚀液温度低，操作简单方便的特点。
芯片弹坑检测过程快速方法

[发明专利]一种保护电子元器件引脚镀锡层的方法-CN202210630659.X在审
发明人： 钟平权;郭晓明;王焦 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护电子元器件引脚镀锡层的方法，所述方法包含以下步骤：1.制备脱乙酰基魔芋葡甘聚糖溶胶，脱乙酰基魔芋葡甘聚糖浓度为0.1～0.3％。2.将镀锡的电子元器件引脚浸入溶胶，时间为2～6秒，取出。3.将取出的电子元器件放入烘箱中，40℃烘干。该方法采用天然高分子做镀锡层的成膜保护方法，具有绿色环保，价格低廉，操作简单方便的优点。
一种保护电子元器件引脚镀锡方法

[实用新型]一种便于转动插接的三极管-CN202221783181.6有效
发明人： 钟平权;王焦;钟剑锋 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于转动插接的三极管，涉及三极管技术领域，解决了现有技术中本体安装一般会焊接进行导致本体损坏后难以更换的问题，包括本体，本体上连接有三组引脚，还包括连接片，连接片的顶端固定连接有三组与引脚滑动连接的连接套，连接套内固定连接有延伸至连接片底端的连接端，此便于转动插接的三极管，通过设置有卡接组件，因此在安装本体时，首先将连接端与主板连接，此时将本体上的引脚插进连接套内，因此便于对本体进行安装和拆卸，因此解决了现有技术中本体安装一般会焊接进行导致本体损坏后难以更换的问题。
一种便于转动插接三极管

[实用新型]一种二极管封装结构-CN202221783125.2有效
发明人： 钟平权;王焦;钟剑锋 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管封装结构，涉及二极管封装技术领域，解决了现有技术中环氧树脂套与封装固定架之间容易断裂的问题，包括封装固定架，封装固定架的顶端固定连接有环氧树脂套，环氧树脂套内安装有透镜；还包括两组与环氧树脂套活动连接的半圆卡环，环氧树脂套的外表面开设有与半圆卡环相适配的卡槽，此二极管封装结构，通过设置有加固组件，进而通过加固组件中的第一加固套和第二加固套的作用将半圆卡环卡进卡槽内，此时通过连接柱上的螺纹槽与固定螺丝的作用将第一加固套和第二加固套进行固定，因此对环氧树脂套和封装固定架之间的连接进行加固，进而解决了现有技术中环氧树脂套与封装固定架之间容易断裂的问题。
一种二极管封装结构

[发明专利]一种高密度DFN先进封装结构-CN202210710934.9在审
发明人： 钟平权;王焦 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度DFN先进封装结构，涉及DFN封装领域，解决了现有高密度DFN封装结构使用时内部芯片与环氧绝缘外壳一体成型难以进行拆装更换，使用不够便捷的问题，包括底座、芯片、顶盖、固定装置、焊盘机构和拆装机构，底座的中部开设有安装槽，此高密度DFN先进封装结构，便于将整体的封装转变为多个部分，同时保证了各个部分之间的连接稳定，使得在任意一个部分出现故障之后都可以快速的进行封装结构的拆装，同时可以单独在不拆除原有与PCB板焊接的导电焊盘的情况下将整个底座从PCB板上快速的取下进行更换，可以单独对内部导电导热器件的连接件进行更换和拆修，使用更加灵活便捷，提高了人们在安装和维修时的效率。
一种高密度 dfn 先进封装结构

[发明专利]一种新型低漏电稳压二极管封装方法-CN202210739145.8在审
发明人： 钟平权;王焦 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型低漏电稳压二极管封装方法，涉及二极管封装领域，解决了现有滴胶封装时其胶液中存在大量微小气泡的问题，包括如下步骤，在组合封装模组的下模的成型槽内通过第一点胶机滴加胶液，通过人工或下料设备将二极管芯片置于成型槽内，本发明的上成型板与下成型板在盖合过程中可触动驱动组件，其气密杆在刚性拉簧的作用下快速上移下，可将活塞盘快速推进，其抽气管便能通过抽吸管对上成型板和下成型板之间的空气抽吸，其抽吸速度远大于外界空气进入两者之间的速度，则模组之间的气压降低，在压强差的作用下胶液内部的小气泡快速膨胀上浮并破裂，则能有效的祛除胶液中的气泡，保证稳压二极管封装的强度。
一种新型漏电稳压二极管封装方法

[发明专利]一种具有保护功能的三极管-CN202210813841.9在审
发明人： 钟平权;王焦;钟剑锋 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护功能的三极管，涉及到三极管技术领域，解决了基极B电流变大导致造成短路的问题，包括管体，管体内连接有基极B、集电极C和发射极E；还包括增阻组件，用于于饱和状态下增加基极B电阻值的增阻组件设于基极B上；分流组件，用于配合增阻组件分散电流的分流组件设于增阻组件上，本发明当三极管处于饱和状态下，且基极B电流持续变大，此时多个第二电阻板根据电路的大小，逐个贴合到第一电阻板上，从而自动增加基极B处的电阻，并带动导电板与第一电阻板连接，从而均分变大的电流，避免基极B电流过大，导致短路，该装置随电流的变化而自动调节，简单方便。
一种具有保护功能三极管

[发明专利]一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法-CN202210643479.5在审
发明人： 钟平权;郭晓明;王焦 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法，所述方法包含以下步骤：1.配制氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液，溶液中氢氧化钾浓度为5～15％，乙二酸四乙胺浓度为1～3％。2.将芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为5～12min。3.将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。4.显微镜下观察弹坑情况。该方法具有腐蚀液不需要加热，腐球速度快，不破坏芯片硅层，操作简单方便的特点。
一种芯片弹坑检测过程常温方法

[实用新型]一种高可靠性的快恢复二极管-CN202122516589.9有效
发明人： 钟平权 -专利权人： 钟平权
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，尤其为一种高可靠性的快恢复二极管，包括二极管、定位架和支撑杆，所述二极管外侧滑动连接有定位架，所述定位架内侧左右两端均固定连接有限位块，所述限位块与二极管滑动连接，所述限位块内侧滑动连接有推杆，所述推杆前后两端均滑动连接有推块，所述推杆与定位架滑动连接，通过设置的定位架、限位块、推杆、推块、第一弹簧和滑块，在使用时，通过推动定位架上的推杆，使推杆挤压推块，从而使推块通过滑块在限位块内滑动，然后推动定位架，使定位架通过限位块在二极管内上下移动，从而调整定位架的高度，在安装二极管时，方便支撑杆对二极管进行支撑，从而提高二极管的可靠性。
一种可靠性恢复二极管

[发明专利]一种制备低漏电齐纳二极管芯片的方法及其结构-CN202111635242.4在审
发明人： 钟平权 -专利权人：东莞市通科电子有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低漏电齐纳二极管芯片的方法及结构，所述的方法包括如下步骤：在N+衬底上直接通过外延，形成N‑外延层。通过注入磷和退火，形成N+阱。通过注入硼和退火形成P‑阱区域，其中P‑阱面积大于N+阱面积，且覆盖其上。通过注入硼和退火形成P+主结区。最后正面蒸发金属和反刻金属完成正面电极，减薄后背面蒸发金属完成背面电极；其结构是本发明采用特有的N‑外延、N+阱、P‑阱(其中P‑阱面积大于N+阱面积，且覆盖其上)和P+注硼工艺，可以确保P+/N+击穿都在平面上，避免侧向击穿，另外可以将齐纳二极管电压降到7.5V以下，以5.1V齐纳二极管为例，其漏电可以控制在小于5.0μA@4.2V，同时可以确保片内电压均匀性在±2％以内，该结构已经成功应用于低压的齐纳二极管领域。
一种制备漏电齐纳二极管芯片方法及其结构

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