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[发明专利]紫薇果实中主要还原性物质提取方法、纳米铁制备方法及应用-CN202310417645.4在审
发明人：郭雪;王桃云;钱兰华;金雨馨;纪丽莲;刘贞鑫;王燕;沈雪林;于海冬;王淼淼;胡翠英;顾华杰;钱玮 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及紫薇果实中主要还原性物质提取方法、纳米铁制备方法及应用，提取方法为取紫薇果实，洗净晾干，测定含水量，烘干并粉碎后过筛；以乙醇为提取剂，超声波辅助下进行提取、离心得紫薇果实提取液，然后利用提取的主要还原性物质含量高的紫薇果实提取液生物制备纳米铁。对上述纳米铁进行抗菌实验测试和其对促辣椒苗生长作用进行了测试。该方法制备工艺简单、条件温和、可大量生产。制备的纳米铁对革兰氏阳性菌、革兰氏阴性菌均具有较强的抑菌、杀菌活性；该纳米铁材料在中低浓度时，对辣椒苗具有显著的促生长作用。该纳米铁材料在生活用品、医疗卫生、建材、纺织品、电子工业及现代农业等领域中具有重要的实践意义和应用前景。
紫薇果实主要原性物质提取方法纳米制备应用

[发明专利]松针多糖与多酚同时分级提取工艺及应用-CN202111063722.8有效
发明人：王桃云;纪丽莲;刘鑫宇;姚春梅;阮兆辉;孙浩清;周浩宇;金雨馨;于月月 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： A61K36/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种松针多糖与多酚同时分级提取工艺及应用。本发明提取工艺包括以下步骤：取湿地松针洗净晾干并粉碎过筛得到松针粉末；将所得松针粉末与石油醚均匀混合进行脱脂、脱色处理；将所得松针粉末加入水中，超声破碎提取、分离得到多糖粗提液和滤渣，将所得多糖粗提液进行4℃沉降，固液分离得所述松针多糖和滤液1；将中所得滤渣和滤液1混合，加入乙醇并超声提取，固液分离得滤液2，将所述滤液2进行浓缩纯化得到所述松针多酚。本发明具有得率高，确实可靠，操作简便，能同时得到松针多酚与多糖等特点，同时所得松针多糖和松针多酚具有较好的抗氧化和抗菌、杀菌活性，对于松针资源的研究开发具有重要的实践意义和应用价值。
松针多糖同时分级提取工艺应用

[发明专利]一种基于机器视觉的生活垃圾分拣系统及方法-CN202110346106.7在审
发明人：魏翼鹰;吴瀚;金雨馨;罗鹏飞;邓胳峰;赵奇;刘建金 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于机器视觉的生活垃圾分拣系统，包括：包括摄像模组、控制模组以及分拣模组，其中：所述摄像模组用于获取待分拣图像，并将所述待分拣图像传输给所述控制模组；所述控制模组用于识别所述待分拣图像后进行垃圾类别分析，并根据分析结果发送分拣指令给分拣模组；所述分拣模组用于根据所述分拣指令将所述待分拣图像中对应的不同垃圾分拣到对应的指定区域。该生活垃圾分拣系统在实际应用中，可实现精准且实时的以对生活垃圾进行分拣。
一种基于机器视觉生活垃圾分拣系统方法

[发明专利]一种生活垃圾检测方法及装置-CN202110345866.6在审
发明人：魏翼鹰;罗鹏飞;邓胳峰;吴瀚;金雨馨;马铄;黄俊钦 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开一种生活垃圾检测方法及装置，包括：制作标注后的目标检测数据集，其中目标检测数据集为生活垃圾图片数据集；优化Mob i l eNe tV3网络，以得到Mob i l eNetV3_L ite轻量网络，采用深度学习框架搭建基于YOLOV3目标检测算法模型与Mob i l eNetV3_L ite轻量网络结合的YOLOV3‑Mob i l eNetV3_Lite目标检测模型；将预处理后目标检测数据集对YOLOV3‑Mob i l eNetV3_Li te目标检测模型进行训练，以得到最终的YOLOV3‑Mob i l eN etV3_Lite目标检测模型，进行本地化部署；将待检测的图片数据进行标准化预处理，送入部署好的YOLOV3‑Mob i l eNetV3_Lite目标检测模型进行正向推理，输出生活垃圾图片的检测数据信息，实现该生活垃圾检测装置在不联网情况下实现对生活垃圾高效的检测、定位、分类与计数与回收。
一种生活垃圾检测方法装置

[发明专利]一种低损耗温度稳定型高频介质陶瓷-CN201510974136.7有效
发明人：李玲霞;张帅;吕笑松;叶静;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为Bi2(Zn1‑xNix)2/3Nb4/3O7，x＝0.33～0.37。先将原料Bi2O3、ZnO、Nb2O5、NiO按化学式配料，再经球磨，烘干，过筛，获得颗粒均匀的粉料，再于750℃下煅烧6小时，合成主晶相；再于预烧后的粉料中外加聚乙烯醇，磨罐，烘干，过筛后，压制成坯体；坯体于925～975℃烧结，制成低损耗温度稳定型高频介质陶瓷。本发明的介电常数εr为95～103，介电损耗tanδ≤5×10‑4，电容量温度系数为‑7×10‑6/℃～7×10‑6/℃。本发明用于多层片式陶瓷电容器的制备，具有较低的烧结温度，大大降低了生产成本。
一种损耗温度稳定高频介质陶瓷

[发明专利]一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法-CN201410323819.1有效
发明人：李玲霞;许丹;于士辉;董和磊;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法：首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500‑700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。本发明在现有技术的基础上首次采用NiO薄膜制备压控透明电容器，该压控透明电容器调谐率高，驱动电压低，可见光透过性优良，具有良好的应用前景。
一种调谐透明氧化薄膜电容器制备方法

[发明专利]一种金电极的制备方法-CN201410241889.2有效
发明人：李玲霞;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种金电极的制备方法，首先清洗基片及光刻显影，再将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，分别装上金属铬与金靶材；在真空度<1.0×10‑3Pa条件下，首先溅射沉积铬层厚度为5nm～200nm，再溅射沉积铬、金合金层厚度为3nm～200nm，最后再溅射沉积金层厚度为50nm‑1000nm；剥离后制得Cr/CrAu/Au结构的金电极。本发明具有较厚的Au层和优良的吸附性，制备工艺简单，电极性能优良，具有良好的应用前景。
一种电极制备方法

[发明专利]一种低损耗温度稳定型高频陶瓷电容器介质及其制备方法-CN201410527486.4有效
发明人：李玲霞;金雨馨;董和磊;于仕辉;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗温度稳定型高频陶瓷电容器介质，化学式为(Bi_1.8Zn_0.2)(Zn_0.6Nb_1.4-2xSn_xW_x)O₇，x＝0.02～0.05。先将原料Bi₂O₃、ZnO、Nb₂O₅、SnO₂、WO₃按上述化学式称量配料，经球磨、烘干、过筛、煅烧后合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，球磨、烘干、过筛、压制成坯体；坯体于925～975℃烧结，制成低损耗温度稳定型高频介质陶瓷材料。本发明烧结温度为925～975℃，介电常数ε_r在93～101之间，介电损耗tanδ≤5×10^-4，电容量温度系数在-28×10^-6/℃～23×10^-6/℃范围内，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备，降低了器件的成本。
一种损耗温度稳定高频陶瓷电容器介质及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料-CN201410525530.8有效
发明人：李玲霞;金雨馨;董和磊;于仕辉;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料，化学式为(Bi_1.5Mn_0.5)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇；先将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、MnCO₃、ZnO按上述化学式称量配料，经球磨、烘干、过筛、煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，经球磨、烘干、过筛、压成坯体；坯体于950～1000℃烧结，制成高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料。本发明具有较低的烧结温度(950～1000℃)，高的介电常数(129～140)，近零的电容量温度系数(-29×10^-6/℃～-18×10^-6/℃)，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备，由于具有较低的烧结温度，大大降低了器件的成本。
一种介电常数温度稳定陶瓷电容器介质材料

[发明专利]一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料-CN201410527489.8无效
发明人：李玲霞;金雨馨;董和磊;于仕辉;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料，其化学式为[Bi_1.5(Ca_xZn_1-x)_0.5](Zn_0.5Nb_1.5)O₇，x＝0.7～0.75；先将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、CaCO₃、ZnO按上述化学式称量配料；经球磨、烘干、过筛，于750℃煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，磨罐、烘干、过筛后压制成坯体；坯体于925～950℃烧结，制成低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料。本发明具有较低的烧结温度(925～950℃)，较高介电常数(87～96之间)，低的介质损耗(tanδ～10^-4)，近零的电容量温度系数(-27×10^-6/℃～19×10^-6/℃范围内)，满足了低温共烧陶瓷系统(LTCC)技术的要求。
一种低温烧结温度稳定陶瓷电容器介质材料

[发明专利]一种低温烧结温度稳定型介质陶瓷材料-CN201410527488.3无效
发明人：李玲霞;金雨馨;董和磊;于仕辉;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结温度稳定型介质陶瓷材料，其化学式为(Bi_1.8Zn_0.2)(Zn_0.6-2x/3Nb_1.4-x/3Sn_x)O₇，其中，x＝0.05；先将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、SnO₂、ZnO按上述化学式称量配料；经球磨、烘干、过筛后获得颗粒均匀的粉料；再将粉料于750℃煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，经球磨、烘干、过筛、压成坯体；再将坯体于925～950℃烧结，制成低烧结温度稳定型介质陶瓷材料。本发明具有较低的烧结温度(925～950℃)，较高介电常数(85～97之间)，近零的电容量温度系数(在-21×10^-6/℃～20×10^-6/℃范围内)，满足了低温共烧陶瓷系统(LTCC)技术的要求。
一种低温烧结温度稳定介质陶瓷材料

[发明专利]一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法-CN201410238872.1在审
发明人：李玲霞;于仕辉;董和磊;许丹;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为SnxIn1-xO，其中0.02<x<0.04；所述BST薄膜(3)的化学式为BaxSr1-xTiO3，其中x＝0.3～0.7。采用磁控溅射沉积法，在玻璃衬底上沉积底电极ITO薄膜层、中间BaxSr1-xTiO3可调介质层(BST薄膜)和顶电极ITO层。本发明压控变容管的透过率≥70％；调谐率≥40％(100KHz)，且器件稳定性好，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。
一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法

[发明专利]一种水溶性含铌化合物的制备方法-CN201410299268.X无效
发明人：李玲霞;董和磊;于仕辉;金雨馨;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C07C59/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种水溶性含铌化合物的制备方法，先将五氧化二铌加入氢氟酸中，其摩尔比为1:10，水浴加热至其全部溶解，再向其中加入氨水，生成铌酸沉淀，再经抽滤、洗涤去除F-与NH4+；将铌酸沉淀加入柠檬酸水溶液中，其中五氧化二铌与柠檬酸的摩尔比为1:3～1:6，所得铌-柠檬酸水溶液经60℃磁力搅拌加热至水分挥发，再于-60℃下冷冻干燥，得到固体的含铌化合物。本发明以Nb2O5替代了铌醇盐作为铌源，降低了生产成本，解决了铌醇盐在操作过程中易氧化和操作不便的问题，拓展了溶胶-凝胶法在铌基薄膜制备中的应用范围。
一种水溶性化合物制备方法

[发明专利]一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法-CN201410322759.1有效
发明人：李玲霞;郑浩然;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法：采用金属Ni作为靶材，使用磁控溅射的方法，在FTO衬底上沉积得到NiO薄膜，再于300～700℃进行后退火处理，最后于NiO薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得氧化镍压控薄膜变容管。本发明变容管的调谐率极高，驱动电压低，材料价廉，制备工艺简单、电学性能优良，调谐率≥70％，@1MHz，具有良好的应用前景。
一种氧化镍压控薄膜变容管制备方法

[发明专利]一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法-CN201410326511.2有效
发明人：李玲霞;许丹;于士辉;董和磊;金雨馨 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法：首先清洗衬底基片，再于衬底基片上制得铌酸锌铋诱导层，再于650℃-750℃进行退火处理；再于具有铌酸锌铋诱导层的衬底基片上沉积制备铌酸镁铋薄膜层，最后再于750℃退火处理，制得具有高调谐率铋基结构的铌酸镁铋薄膜。本发明较之现有技术其结晶性更好，取向性和调谐性能均有明显改善，调谐率由30％增至35％。
一种具有调谐率铋基薄膜制备方法

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