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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201711281149.1有效
发明人：裵起浩;金载皙;金镐永;尹普彦;李暻泰;金官性;朴恩智 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201810170688.6有效
发明人：金润载;金东权;金镐永;刘真赫;郑宇陈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。
半导体器件

[发明专利]化学机械抛光方法和制造半导体器件的方法-CN201810929800.X在审
发明人：韩率;金荣俊;金镐永;文斗植;朴星五;张永锡;朴宣奎;吴奎旼;李周翰 -专利权人：三星电子株式会社;二和金刚石工业株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：提供了一种化学机械抛光方法和一种制造半导体器件的方法。所述化学机械抛光方法包括：提供垫整修器，使得所述垫整修器包括底部和从所述底部的表面突出的多个顶端；调节所述多个顶端中的每个顶端的上表面的表面粗糙度；以及使用所述多个顶端的上表面的调节后的表面粗糙度来调节化学机械抛光的抛光速率。
化学机械抛光半导体器件表面粗糙度上表面整修抛光制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410372950.7有效
发明人：权炳昊;金哲;金镐永;朴世廷;金明哲;姜甫京;尹普彦;崔在光;崔时荣;郑锡勋;成金重;郑熙暾;崔容准;韩智恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于化学机械抛光的浆料组合物-CN201810269562.4在审
发明人：文斗植;朴尚铉;尹普彦;金镐永;朴世廷;李载鹤;黄珍明 -专利权人：三星电子株式会社;凯斯科技股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，所述浆料组合物包括：陶瓷抛光颗粒；分散剂；pH控制剂；以及与氮化硅具有亲和性的添加剂。
浆料组合物化学机械抛光抛光颗粒氮化硅分散剂亲和性添加剂陶瓷

[发明专利]形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置-CN201610631559.3在审
发明人：崔承勋;金镐永;朴起宽;裴显敬;尹普彦;尹一永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供了形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置，形成插塞的方法包括：在衬底上的绝缘夹层图案中形成开口；形成金属层以填充开口；在将衬底按压至第一抛光垫上的同时，在第一时间段内执行第一CMP工艺直至暴露出绝缘夹层图案的顶表面，来抛光金属层；在将衬底按压至第二抛光垫上的同时，在第二时间段内执行第二CMP工艺，以抛光金属层和绝缘夹层图案，从而在绝缘夹层图案中形成金属插塞；以及在保持衬底与第二台板上的第二抛光垫间隔开的同时，对第二抛光垫执行第一清洁处理。
形成制造半导体装置方法抛光

[发明专利]使用化学机械抛光工艺制作自对准接触焊盘的方法-CN200610139968.8有效
发明人： 金镐永;洪昌基;尹普彦;朴俊相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。所述方法还包括：使用第一和第二掩模刻蚀由开口区所暴露的绝缘层部分以形成多个开口孔；除去第二刻蚀掩模；形成填充开口孔的导电层以覆盖残留的第一刻蚀掩模；以及将覆盖层用作为抛光终点在导电层上执行化学机械抛光工艺以除去第一刻蚀掩模，从而形成多个彼此分离的、填充开口孔的SAC焊盘。
使用化学机械抛光工艺制作对准接触方法

[实用新型]壁挂式电锅炉-CN03213569.6无效
发明人： 金镐永;李相燮 -专利权人： 金镐永;李相燮
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： F24H1/20 文献下载
摘要：一种壁挂式电锅炉，包括外壳体、控制电路，在外壳体下端设有自来水接头，自来水进水管与自动补水阀相连，自来水进水管与内胆中的热水盘管下端相连，热水盘管上端连有热水管，热水管与设置在外壳体下端的热水接头相连，自动补水阀与内胆相连，加热棒设置在内胆内的热水盘管间，在内胆上分别设有温感器和低水位感应器，内胆上端连有供暖出水管，内胆下端连有退水管，供暖回水接头与水泵相连，内胆与膨胀水箱间连有侧管，膨胀水箱下端连有气水分离器，膨胀水箱上设有低水位感应器，气水分离器与水泵相连接，水泵与内胆相连，水泵与内胆间设有逆止阀，本实用新型是一种体积小、功能多、维修方便，可分户供暖的壁挂式电锅炉。
壁挂式电锅炉

[实用新型]壁挂式锅炉-CN02273329.9无效
发明人： 金镐永 -专利权人： 金镐永
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： F24H1/16 文献下载
摘要：一种壁挂式锅炉，在自来水进水口一侧设有补充水手柄阀，自来水进水口一端通过流水感应器与温水热交换器相连，另一端与温感器相连，温感器与燃烧室连接，在温感器上设有过热防止器，入水口与水泵连接，水泵与气水分离器相连，气水分离器与温热水交换器相连，气水分离器与膨胀水箱连接，在膨胀水箱一侧设有压力阀，出水口与温感器和温水热交换器及失火防止器相连，出水口与三通阀相连，温水口与温水热交换器相连，燃气口通过燃气阀与燃烧室的喷嘴板连接，在燃烧室下端连有供气扇，上端设有烟箱，烟箱上端设有排气口，在本体内设有电子控制盒，在本体上方设有进气口，本实用新型是一种体积小，维修方便，使用寿命长，噪音小，节约能源的壁挂式锅炉。
壁挂式锅炉

[外观设计]带固架的燃油燃气锅炉-CN02353342.0无效
发明人： 金镐永 -专利权人： 金镐永;李相燮
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：省略仰视图。
带固架燃油燃气锅炉

[其他]燃气锅炉-CN302002000010035在审
发明人： 金镐永 -专利权人： 金镐永
申请日： 2002-04-04 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：本产品的设计要点为产品的主视图。
燃气锅炉

[外观设计]燃气锅炉-CN02310035.4无效
发明人： 金镐永 -专利权人： 金镐永
申请日： 2002-04-04 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：本产品的设计要点为产品的主视图。
燃气锅炉

[外观设计]热水器内胆-CN01337054.5无效
发明人： 金镐永 -专利权人： 金镐永
申请日： 2001-07-19 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： 23-03-W0081 文献下载
摘要：
热水器内胆

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