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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件-CN201610902615.2有效
发明人：朴相奂;金晥均;金起园;张荣万 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
半导体存储器件

[发明专利]磁器件-CN201710056924.7有效
发明人：金基雄;金起园;吴世忠;朴容星;金柱显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。
器件

[发明专利]制造半导体装置的设备和方法-CN202010003671.9在审
发明人： 金起园;金大汉;李珉炅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：公开了一种用于制造半导体装置的设备和方法。该设备包括：室；蒸发器，蒸发有机源以在室中的基底上提供源气体；真空泵，将源气体和空气从室泵出；排气管线，在真空泵与室之间；以及分析器，连接到排气管线。分析器检测由有机源产生的衍生分子，并确定蒸发器的更换时间。
制造半导体装置设备方法

[发明专利]图像传感器-CN202010000398.4在审
发明人：全宅洙;金起园;严祥训;尹琪重;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
图像传感器

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201710351707.0有效
发明人：金佑填;金起园;S.P.S.帕金;M.G.萨曼特;郑在佑 -专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]磁存储器件及其形成方法-CN201510500987.8有效
发明人： 金起园;姜玟阿;朴淳五;朴容星;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。
磁存储器及其形成方法

[发明专利]磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件-CN201410083532.6有效
发明人： 金起园;金洸奭;李成喆;张荣万;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
致电结构及其制造方法随机存取存储器

[发明专利]磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法-CN201610849477.6在审
发明人：张荣万;李俊明;金起园;朴容星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了磁性存储器件，该磁性存储器件包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第二自由磁性图案与第二表面接触。第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)，且第二自由磁性图案的镍含量在从大约10at％到大约30at％的范围内。
磁性存储器件制造方法

[发明专利]磁阻元件和包括其的存储装置-CN201310055478.X有效
发明人：李成喆;皮雄焕;金洸奭;金起园;张荣万 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
磁阻元件包括存储装置

[发明专利]存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法-CN201110404641.X有效
发明人：金洸奭;郑佑仁;申在光;金起园;李成喆;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
存储节点包括磁存储器及其制造方法

[发明专利]振荡器及其操作方法-CN201110185391.5有效
发明人：金洸奭;李成喆;金起园;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H03B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡器及其操作方法。该振荡器包括具有固定磁化方向的被钉扎层、在被钉扎层之上的第一自由层、以及在第一自由层之上的第二自由层。该振荡器配置为利用第一自由层和第二自由层中的至少一个的磁矩的进动来产生信号。
振荡器及其操作方法

[发明专利]操作磁随机存取存储器装置的方法-CN200910158688.5有效
发明人：金洸奭;徐顺爱;金起园;黄仁俊;申炯淳;李昇妍;李丞晙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
操作随机存取存储器装置方法

[发明专利]磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法-CN200910134017.5有效
发明人：黃仁俊;徐顺爱;金起园;金洸奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。
磁性存储装置及其驱动方法信息写入读取

[发明专利]利用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法-CN200710147871.6有效
发明人：黄仁俊;曹永真;左圣熏;金起园;金洸奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及操作该数据存储装置的方法。该数据存储装置包括：第一磁层，用于写数据，并具有在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。该数据存储装置可还包括：数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；读磁头，形成为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。
利用磁畴壁移动数据存储装置及其操作方法

[发明专利]利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法-CN200710008128.2有效
发明人： 金起园;金泰完;曹永真;黄仁俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。
利用拖动器件单元及其操作方法

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