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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于半导体制造设备的加热套-CN202310180493.0在审
发明人：皇甫大祐;金甫根;姜庚男;郭昶勋;卢怜住;李重勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：一种包裹半导体制造设备的管道的加热套，包括：内壳，包裹管道的外周并具有绝热功能；加热线，布置在内壳的外部；真空绝热板(VIP)，包裹加热线的外部；以及外壳，包裹VIP的外表面并具有绝热功能。多个加热套沿管道的纵向方向彼此连接。温度传感器布置在多个加热套中的部分加热套中。温度传感器不布置在多个加热套中的其他加热套中。
用于半导体制造设备加热

[发明专利]L10-FeNi磁粉及粘结磁铁-CN201880031865.0有效
发明人：藏裕彰;渡部英治;金甫根;小山内健太 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：L10‑FeNi磁粉(11)的平均粒径为50nm～1μm，通过以下的式(1)定义的球状度P的平均值为0.9以上，式(1)P＝Ls/Lr。在上述式(1)中，Lr为显微镜的图像中的上述L10‑FeNi磁粉的周长。在上述式(1)中，Ls为具有与算出上述Lr的上述L10‑FeNi磁粉的上述图像的面积相同面积的正圆的周长。
l10 feni 粘结磁铁

[发明专利]对非易失性存储器件编程的方法-CN201610245371.5有效
发明人：尹翔镛;尹铉竣;金甫根;朴起台;金武星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
非易失性存储器编程方法

[发明专利]非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法-CN201510119045.5有效
发明人：金斗铉;金甫根;朴起台;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。
非易失性存储器装置存储及其操作方法

[发明专利]用于车辆的后视镜组件-CN201510649646.7有效
发明人：李珍熙;金贤燮;金甫根;孔珞敬 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B60R1/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于车辆的后视镜组件，该后视镜组件包括具有开口的外壳和安装至该开口的边缘的固定反射镜。倾斜反射镜设置在外壳内，平行于固定反射镜，或者倾斜使得倾斜反射镜的上端绕着倾斜反射镜的下端以一定的角度向后倾斜，从而减小光反射率。倾斜板的前表面附接至倾斜反射镜，并且倾斜板的下端安装至外壳的底部表面。倾斜连接件安装于倾斜板与外壳之间。凸轮安装至外壳的底部表面以使倾斜连接件旋转，并且该凸轮包括形成于倾斜连接件的下端的连接突出部和附接至凸轮的下端的倾斜操作杆。
用于车辆后视镜组件

[发明专利]电阻式存储装置及其操作方法-CN201510829049.2有效
发明人：尹治元;朴贤国;李永宅;金甫根;李镕圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
电阻存储装置及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置及其ECC方法-CN201380077420.3有效
发明人： 金甫根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及其ECC方法，所述半导体存储器装置包括：第一非易失性存储器；第二非易失性存储器，具有与第一非易失性存储器的类型不同的类型；控制器；第一纠错电路，被构造成纠正在第一非易失性存储器进行编程的第一写数据的错误；和第二纠错电路，包括在控制器中并被构造成基于与第一纠错电路的纠错算法不同的纠错算法纠正第一写数据的错误或在第二非易失性存储器进行编程的第二写数据的错误。根据第一写数据的属性使用第一纠错电路和第二纠错电路中的一个产生用于纠正第一写数据的错误的纠错数据。
半导体存储器装置及其 ecc 方法

[发明专利]使用可变电阻元件的非易失性存储器及其相关的驱动方法-CN201310675018.7有效
发明人：李升妍;李永宅;金甫根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。
使用可变电阻元件非易失性存储器及其相关驱动方法

[发明专利]补偿操作电压的方法、快闪存储器件、以及数据存储设备-CN201110382310.0有效
发明人：崔允熙;朴起台;金甫根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。
补偿操作电压方法闪存器件以及数据存储设备

[发明专利]非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法-CN201210189683.0无效
发明人：宋永先;金甫根;权五锡;朴起台;申昇桓;尹翔镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列、输出校验读取结果的页缓冲单元、产生参考电流信号的参考电流产生单元、根据校验读取结果输出电流的页缓冲解码单元、配置成对所述电流进行计数的模拟位计数单元、计算计数结果的累加和的数字加法单元、根据计算结果输出成功信号或失败信号的成功/失败检查单元、以及控制随后的编程操作的控制单元。
非易失性存储装置编程方法

[发明专利]使用自适应编程验证方案的闪速存储器件和相关操作方法-CN201010622089.7有效
发明人：尹翔镛;尹铉竣;金甫根;朴起台;金武星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
使用自适应编程验证方案存储器件相关操作方法

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