专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光器件封装-CN201810811647.0有效
  • 李太星;宋俊午;金基石;金永信;任仓满 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2018-07-23 - 2023-10-20 - H01L33/48
  • 本发明提供一种发光器件封装。发光器件封装包括第一框架和第二框架,该第一框架和第二框架被布置成彼此隔开;主体,该主体被布置在第一和第二框架之间并且包括凹部;第一粘合剂,该第一粘合剂在凹部上;发光器件,该发光器件在第一粘合剂上;第二粘合剂,该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间;以及树脂部分,该树脂部分被布置成围绕第二粘合剂和发光器件的部分区域。
  • 发光器件封装
  • [发明专利]半导体装置-CN202211664705.4在审
  • 孙智慧;金浩中;金永信;金孝锡;崔捧植;具太雄;徐泰河 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-23 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,包括单元区域的具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一有源图案;器件隔离层,在单元区域上位于限定第一有源图案的沟槽中;缓冲层,位于单元区域上;线结构,在第三方向上延伸,从单元区域延伸到边界区域,并且包括穿过缓冲层并接触第一源极/漏极区域的第一导电图案、位于第一导电图案上的位线以及位于位线与第一导电图案之间的第一阻挡图案;一对间隔件,分别位于线结构的两个侧壁上;接触件,位于第二源极/漏极区域上;接垫,位于接触件上;第一磨料颗粒,位于接触件与接垫之间;以及数据存储元件,位于接垫上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202310081373.5在审
  • 赵成根;朴载星;金永锡;金永信;文大荣;李锦珠;郑盛旭;洪成德;黄水奂 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-17 - 2023-08-01 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:基底,包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域,单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜,虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括:正常位线,位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸;虚设位线组,位于虚设单元区域上,虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线;以及多个存储接触件,连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202211076642.0在审
  • 金硕炫;金冈昱;金永信;金真雅;申东花 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-05 - 2023-04-21 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括:衬底,包括有源单元区域、边界区域和在其间的虚设单元区域;位线,设置在有源单元区域上,在第一方向上延伸,并在第二方向上彼此间隔开,位线包括在第二方向上交替布置的第一位线和第二位线;位线垫,在边界区域上在第二方向上彼此间隔开,第二位线在第一方向上延伸到虚设单元区域和边界区域,并分别连接到位线垫;以及绝缘分离图案,在边界区域上并且在位线垫之间。绝缘分离图案的一部分延伸到在边界区域上在第二位线之间的区域中,并与对应的第一位线的端部接触。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202210143718.0在审
  • 金硕炫;金永信;朴桐湜;李钟旼;崔准容 - 三星电子株式会社
  • 2022-02-16 - 2022-08-30 - H01L23/528
  • 一种半导体器件包括:衬底,包括单元区域;单元区域隔离膜,在所述衬底中并且沿所述单元区域的外边缘延伸;位线结构,在所述衬底上并且在所述单元区域中,其中所述位线结构具有设置在所述单元区域隔离膜上的远端;单元间隔物,在所述位线结构的所述远端的竖直侧表面上;蚀刻停止膜,沿所述单元间隔物的侧表面和所述单元区域隔离膜的顶面延伸;以及层间绝缘膜,在所述蚀刻停止膜上,并且在所述单元间隔物的所述侧表面上,其中所述层间绝缘膜包括氮化硅。
  • 半导体器件
  • [发明专利]超声换能器及其制造方法-CN201811074585.6有效
  • 李暻鎬;金永信;李柏雨 - 美国西门子医疗解决公司
  • 2018-09-14 - 2021-02-09 - B06B1/06
  • 公开了超声换能器及其制造方法。公开了在超声系统中使用的超声换能器和制造该超声换能器的方法。通过如下来制造超声换能器:形成包括多个表面的衬垫块;形成包括形成在衬垫块上以与其接触的第一部分和从第一部分延伸的第二部分的压电层;通过把具有用于与超声系统的传输单元或接收单元中的至少一个电连接的多个引脚的连接器附接到衬垫块的多个表面中的至少一个表面来将多个引脚电连接到第二部分;将压电层的第一部分和第二部分切割成多个压电元件,其中将多个压电元件中的每个连接到连接器的多个引脚中的对应的一个引脚;以及形成连接到压电层的接地层。
  • 超声换能器及其制造方法

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