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[发明专利]由聚对苯二甲酸乙二醇酯产生高附加值化合物的方法-CN202080042291.4在审
发明人：金京宪;朱贞赞;金希泽;朴时载;车铉吉;宋凤根;金在均 -专利权人：高丽大学校产学协力团
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C12P7/40 文献下载
摘要：本发明涉及由聚对苯二甲酸乙二醇酯产生高附加值化合物的方法。更具体地，本发明证明了由聚对苯二甲酸乙二醇酯的化学水解得到的单体对苯二甲酸可以转化为高附加值的芳香族化合物和芳香族衍生化合物，并且聚对苯二甲酸乙二醇酯的另一种单体乙二醇可以转化为乙醇酸，乙醇酸是一种化妆品材料。本发明的特征是将聚对苯二甲酸乙二醇酯废料回收为高附加值的化合物。
对苯二甲酸乙二醇产生附加值化合物方法

[发明专利]微型发光二极管显示器及其制造方法-CN202080043247.5在审
发明人： 金在均 -专利权人：汉阳大学校ERICA产学协力团
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开配置有微型发光二极管(LED)或纳米发光二极管和晶体管的微型发光二极管显示器及其制造方法。本发明一实施例的微型发光二极管显示器包括：晶体管，配置在基板上，包括栅极、栅极绝缘膜、活性层、源极及漏极；第一电极层及第二电极层，上述第一电极层从上述晶体管的源极及漏极中的一个延伸，上述第二电极层以与上述第一电极层水平隔开的方式配置在上述基板上；第一固定电极及第二固定电极，上述第一固定电极从上述第一电极层沿着上部方向延伸，上述第二固定电极从上述第二电极层沿着上部方向延伸；以及发光二极管，两端与上述第一固定电极及第二固定电极结合。
微型发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN201410562329.7有效
发明人：金峻渊;卓泳助;金在均;金柱成;朴永洙;蔡秀熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
半导体器件缓冲结构成核层第一层半导体硅衬底缓冲层组分比氮化物半导体材料材料形成第三层制造

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201310231295.9有效
发明人：卓泳助;金在均;金峻渊;李在垣;崔孝枝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括空穴注入层的半导体发光器件-CN201410431583.3在审
发明人： 金在均;金柱成;金峻渊;朴永洙;卓泳助 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
包括空穴注入半导体发光器件

[发明专利]半导体缓冲结构、半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201310347252.7在审
发明人：卓泳助;金在均;金柱成;金峻渊;李在垣;崔孝枝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。
半导体缓冲结构半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层-CN201310157632.4无效
发明人： 金在均;金峻渊;卓泳助 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层。该半导体器件包括：硅衬底；氮化物成核层，设置在硅衬底上；至少一个超晶格层，设置在氮化物成核层上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，设置在超晶格层上，其中至少一个超晶格层通过重复地堆叠复合层而形成，每个复合层包括具有不同组分的多个氮化物半导体层，其中多个氮化物半导体层的至少之一根据堆叠位置而具有不同的厚度，至少一个应力控制层设置在多个氮化物半导体层之间或者设置在重复地堆叠的复合层之间，至少一个应力控制层具有超过假晶生长的临界厚度的厚度。
半导体器件以及使用晶格

[发明专利]硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法-CN201210345304.2在审
发明人：金峻渊;金在均;蔡秀熙;洪贤基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
衬底及其制造方法外延结构

[发明专利]结合全域、区域动推测方式的选择型动推测装置及其方法-CN96121998.X无效
发明人：刘国烈;文柱禧;朴光勋;金在均;李相熙;朴哲洙 -专利权人：居里泰尔公司
申请日： 1996-10-25 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H04N7/50 文献下载
摘要：本发明提供一种将全域运动推测方式和区域运动推测方式相结合的选择型运动推测装置及其方法，该装置及方法通过运动推测范围有效地将全域运动推测方式和区域运动推测方式相结合，从而可进行更为准确的运动推测。本发明包括：全域运动推测部，该推测部相对接收输入图象及对输入图象的物体外形信息输入信号而输入的物体进行全域运动推测；区域范围选择部，该选择部可在利用所输入的物体外形信息而划分的全域运动推测范围中进行任意范围的选择；第一区域运动推测部，该推测部相对区域范围选择部所选择的范围在全域运动推测部的输出信号中采用区域运动推测方式来进行物体运动的推测；第二区域运动推测部，该推测部相对区域范围选择部所选择的范围在输入图象物体中采用独立的区域运动推测方式来进行物体运动的推测；控制器，该控制器对区域范围选择部的范围选择及第一、第二区域运动推测部的输出进行控制。
结合全域区域推测方式选择装置及其方法

[发明专利]利用量化活动度控制比特产生数量的图像编码方法和装置-CN97117123.8无效
发明人：金泰镕;金在均;朴季镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-06-26 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H04N7/50 文献下载
摘要：一种图像编码方法和装置，用于通过量化活动度精确控制单个编码帧的比特产生量。其中量化活动度是以某量化步长量化离散余弦变换系数时不等于零的量化系数的数量。根据缓冲存储器的充满度和传输速率预测所希望的比特产生量，确定量化活动度的量化步长，利用在所计算量化活动度和变长编码数据产生量之间的线性正比关系产生最接近于所预测比特产生量的比特产生量。因此，可有效避免缓冲存储器的上溢和下溢，也充分利用传输信道。
利用量化活动控制比特产生数量图像编码方法装置

[发明专利]物体自适应编码块模式生成法-CN96120293.9无效
发明人：李震鹤;朴光勳;文柱橲;金在均;千胜文 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-10-25 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H04N7/40 文献下载
摘要：本发明公开一种物体自适应框图码生成法。其特征在于在宏块内的位块中，当物体以选择性存在的情况下，可按照存在物体的位块的个数可适用一个相互不同的框图用可变编码表，提高传输数据的缩短效率。
物体自适应编码模式生成

[发明专利]译码方法以及使用该方法的设备-CN01117680.6有效
发明人：刘国烈;金润秀;金在均;徐光德;卢奎灿;许盛喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2001-05-14 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H04N7/30 文献下载
摘要：提供一种在各种至少具有语法元素和对应于视频数据的视频元素的压缩的位流之间执行转换的译码方法及其设备,该设备包括用于从符合第一压缩方法的第一位流重建语法元素和视频元素的解码器;根据第一压缩方法逆量化从解码器提供的视频元素重建视频数据的逆量化器;用于根据第二压缩方法重新量化所述视频数据的量化器;用于将从解码器提供的语法元素映射到符合第二压缩方法的语法元素的语法发生器;以及用于根据第二压缩方法编码重新量化过的视频数据和语法元素,从而输出第二位流的编码器。
译码方法以及使用设备

[发明专利]活动图像专家组4图像设备的物体信息编码设备和方法-CN95109658.3无效
发明人：吴诚埈;千胜文;文柱禧;金在均 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-28 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： H04N7/50 文献下载
摘要：一种改进的用于MPEG—4图象设备的按物体信息编码的装置和方法，可以很好地压缩图象数据而不损坏图象质量，该方法只使用不可运动补偿的物体的信号信息而不使用其形状信息，使用离散余弦变换，把相应于MPEG—4形状的图象数据块的大小转换成不同等级的值，并进行恢复。$#!
活动图像专家组设备物体信息编码方法

[发明专利]活动图像专家组4图像设备的物体背景信息编码设备和方法-CN95109650.8无效
发明人：吴诚埈;千胜文;文柱禧;金在均 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-28 - 公布日： 2001-05-09 - 主分类号： H04N1/407 文献下载
摘要：一种改进了的用于ＭＰＥＧ－４图像设备的物体背景信息编码设备和方法，它能够有利地编背景图像编码，用存储器对应于ＭＰＥＧ－４标准来压缩图像数据，并且没有误差的外径背景信息。
活动图像专家组设备物体背景信息编码方法

[发明专利]物体形状信息的压缩设备和方法，以及移动图象间补偿帧的编码方法-CN95109651.6无效
发明人：郑在院;李震鹤;文柱禧;金在均 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-28 - 公布日： 1996-08-07 - 主分类号： H04N7/32 文献下载
摘要：改进的物体形状信息压缩设备及方法，包括一个移动补偿预测电路，利用前帧的形状信息和当前帧的移动信息，提供当前帧移动补偿预测的形状信息；减法电路，计算误差区域；门限操作电路，确定信息变换和分离；轮廓预测电路，压缩编码形状信息；轮廓重现电路；加法电路，将分离预测误差区域和当前帧的形状信息相加。
物体形状信息压缩设备方法以及移动图象补偿编码

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