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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法-CN202310174400.3在审
发明人：李昇珉;金南局;金保延;金载锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法。一种三维半导体设备包括存储器块，该存储器块包括堆叠结构、穿过堆叠结构形成的多个通道塞以及形成在存储器块中的分隔图案，该堆叠结构包括形成在第一子堆叠上方的第二子堆叠。
三维半导体设备制造方法

[发明专利]包括选择线的存储器设备-CN202310040179.2在审
发明人：韩允哲;金南局;宋大路 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括选择线的存储器设备。本公开涉及存储器设备，存储器设备包括：第一存储器块，包括第一单元插塞组和第二单元插塞组；第二存储器块，包括第三单元插塞组和第四单元插塞组；连接区域，位于第一存储器块和第二存储器块之间；第一源极选择线，被共同耦合到第一单元插塞组和第三单元插塞组；第二源极选择线，被耦合到第二单元插塞组；以及第三源极选择线，被耦合到第四单元插塞组。
包括选择存储器设备

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211444041.0在审
发明人：李建泳;金尙秀;金南局;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠在基板上的多个导电图案和多个层间绝缘层；多个沟道结构，其在基本垂直于基板的第一方向上延伸以贯穿层叠结构；至少一个第一狭缝，其在与基板基本水平的第二方向上延伸，同时贯穿多个导电图案当中的用于选择线的导电图案；第二狭缝，其在第二方向上延伸，同时贯穿用于选择线的导电图案；以及多个支撑结构，其设置在第二狭缝的底部，多个支撑结构贯穿多个导电图案当中的用于字线的导电图案。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体集成电路装置和制造该半导体集成电路装置的方法-CN202210798829.5在审
发明人：郑基昶;金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体集成电路装置和制造该半导体集成电路装置的方法。该半导体集成电路装置包括：半导体基板、第一晶体管、层间绝缘层和第二晶体管。第一晶体管形成在半导体基板上。第一晶体管包括基本平行于半导体基板的表面的水平沟道；层间绝缘层形成在半导体基板的上表面上。穿过层间绝缘层形成接触孔。第二晶体管包括形成在接触孔中的沟道层。第二晶体管的源极和漏极中的任何一个电连接到第一晶体管的电极中的任何一个。
半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]存储器装置及制造存储器装置的方法-CN202211199080.9在审
发明人：郑圣蓉;金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及制造存储器装置的方法。本公开包括存储器装置，其包括：第一垂直插塞和第二垂直插塞，其被布置为彼此相邻；第一选择线，其接触第一垂直插塞；第二选择线，其与第一选择线在同一层上方并且接触第二垂直插塞；以及隔离图案，其与第一垂直插塞的一部分和第二垂直插塞的一部分交叠并且将第一选择线与第二选择线分离。
存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法-CN202210851418.8在审
发明人： 金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构，其包括交替地层叠的层间绝缘层和导电层；芯柱，其穿透栅极层叠结构；沟道层，其设置在芯柱和栅极层叠结构之间；存储器层，其设置在沟道层和栅极层叠结构之间；以及掺杂半导体部分，其与栅极层叠结构接触。掺杂半导体部分包括：第一区域，其围绕芯柱直至与栅极层叠结构接触的界面；以及第二区域，其在存储器层和芯柱之间从第一区域延伸。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210092100.6在审
发明人：朴仙美;金南局;权殷美;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：下层叠物，其中多个第一层间绝缘层和第一导电层交替地层叠；多个单元插塞，其在垂直方向上穿过下层叠物；在下层叠物上的上层叠物，其中多个第二层间绝缘层和至少一个第二导电层交替地层叠；多个漏极选择插塞，其穿过上层叠物并且与多个单元插塞的上部接触；以及分离图案，其使多个漏极选择插塞当中的相邻的漏极选择插塞分离，其中，分离图案与相邻的漏极选择插塞中的每一个侧壁接触。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110913271.6在审
发明人：李建泳;金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的实施例提供一种混合式存储器和混合式存储器制造方法，其包括在单个衬底上的易失性存储器和非易失性存储器，以提高半导体器件的运行速度并降低制造成本。一种混合式存储器包括：衬底；非易失性存储器，其包括在衬底上的交替叠层，在该交替叠层中多个绝缘层和多个水平字线交替地层叠；以及易失性存储器，其包括电容器，该电容器穿通交替叠层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法-CN202110055795.6在审
发明人：郑基昶;金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括栅极叠层和多个沟道结构。栅极叠层包括彼此隔开的多个层叠的导电图案。多个沟道结构穿过栅极叠层形成。每一个沟道结构包括第一沟道柱、第二沟道柱和栅极绝缘层。第一沟道柱穿过除了最上面的导电图案之外的导电图案形成。第二沟道柱穿过最上面的导电图案形成。第二沟道柱被配置为与第一沟道柱接触。栅极绝缘层插置在最上面的导电图案与第一沟道柱和第二沟道柱之间。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]基于脑图像而估算梗塞区域的发生时点的方法-CN201580077672.5有效
发明人： 金南局;姜东和 -专利权人：财团法人峨山社会福祉财团
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： A61B5/055 文献下载
摘要：本公开涉及基于脑图像而估算梗塞区域的发生时点的方法，包括：获得脑(brain)图像的步骤；从包括在脑图像的梗塞区域(infarct region)提取根据梗塞区域的发生时点(onset time)而变化的定量值集合的步骤；及使用以使定量值集合与梗塞区域的发生时点对应的方式准备的(prepared)对应关系(corresponding relation)，使得定量值集合与梗塞区域的发生时点对应的步骤。
基于图像估算梗塞区域发生时点方法

[发明专利]半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法-CN202010160335.5在审
发明人： 金南局;李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：掺杂半导体图案，其包括主体部分以及在第一方向上从主体部分突出的第一突起；第一沟道图案，其设置在第一突起的顶表面上并在第一方向上延伸；第一存储器图案，其围绕第一沟道图案的侧壁并在第一突起的侧壁上延伸；以及在第一方向上彼此交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统-CN201911373324.9在审
发明人： 金南局;李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统。根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括：层叠结构，其包括交替层叠的多个第一导电图案和多个电介质层，层叠结构具有使得第一导电图案中的任何一个比紧接着位于其上方的第一导电图案进一步突出的阶梯结构；多个第二导电图案，其分别形成在第一导电图案的突出部上方；多个接触插塞，其分别与多个第二导电图案交叠，并且穿过交叠的第二导电图案和层叠结构；以及密封层图案，其插置于第一导电图案和接触插塞之间并且将第一导电图案与接触插塞分离开。
半导体装置包括存储器系统

[发明专利]半导体存储器件-CN201310618009.4无效
发明人： 金南局;李南宰;韩光熙;金日策;安相铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：存储块，所述存储块包括形成在位线和源极线之间的存储串，其中，位线和源极线形成在衬底上，每个存储串包括连接在位线和形成在衬底上的管道晶体管之间的上级单元串，以及连接在源极线和管道晶体管之间的下级单元串；以及操作电路，所述操作电路被配置成将操作电压施加至存储串以执行编程操作，以及将不同的电压施加至与存储块中的同一位线连接的存储串的管道晶体管。
半导体存储器件

[发明专利]用于发送和接收多媒体内容的方法和设备-CN201310092770.9无效
发明人：鞠承龙;安炅珍;金洁润;金南局;金洙亨;梁载龙;李兴基;郑海泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：提供用于发送和接收多媒体内容的方法和设备。从服务器提供与用于发送数据的多个部分中的初始发送速度高的部分相关的发送特性。考虑所述发送特性请求多媒体内容。从服务器接收多媒体内容。
用于发送接收多媒体内容方法设备

[发明专利]提供基于分段的多媒体流服务的方法及装置、接收基于分段的多媒体流服务的方法及装置-CN201180039011.5有效
发明人：金喜琎;金洁润;金南局;郑度泳;柳佳铉;朴泰诚;金奎宪;金盯汉;李长远;徐德荣;朴光勋 -专利权人：三星电子株式会社;庆熙大学校产学协力团
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：提供了一种经由网络来发送和接收多媒体流服务的方法和装置。提供多媒体流服务的方法包括：将包括2D视频和3D视频的至少一个的视频的编码数据分割为分段；确定用于每个分段的3D信令信息和当视频是指其他视频时将使用的关系信息中的至少一个；以及连续地发送包括与分段相关的属性信息和编码视频数据的分段。
提供基于分段多媒体服务方法装置接收

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