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[发明专利]新型3D NAND存储器件及形成其的方法-CN202011459262.6有效
发明人：吴振勇;金允哲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：新型3D NAND存储器件及形成其的方法。提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一衬底，所述第一衬底具有用于形成存储单元的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述半导体器件还包括掺杂区域和第一连接结构。所述掺杂区域形成在所述第一衬底的所述第一侧中并且电耦合到晶体管的至少源极端子(例如，串联连接的多个晶体管的末端晶体管的源极端子)。第一连接结构被形成在所述第一衬底的所述第二侧之上并且通过第一过孔耦合到所述掺杂区域。所述第一过孔从所述第一衬底的所述第二侧延伸到所述掺杂区域。
新型 nand 存储器件形成方法

[发明专利]包括测试电路的集成电路及其制造方法-CN202210792199.0在审
发明人：韩昌虎;任美贞;金允哲;吴光焄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种集成电路包括垂直堆叠在衬底上的第一金属层至第n金属层以及根据所述第一金属层至所述第n金属层中的每一者的特性来输出测试结果信号的测试电路。所述测试电路包括用于生成多个时钟信号的第一测试电路至第n测试电路。所述多个时钟信号中的每个时钟信号具有根据所述第一金属层至所述第n金属层当中的对应的金属层的特性的频率，并且n是自然数。
包括测试电路集成电路及其制造方法

[发明专利]多层存储器及其制作方法-CN202110343185.6有效
发明人： 金允哲;吴振勇;阮庆仲;梅文龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；第二电路层位于所述堆叠结构的第二端面，所述第二端面与所述第一端面相对设置；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一连线，所述第一连线的第一端与第m个存储层的第一边缘区域和所述字线驱动器连接；第二连线，位于所述第二电路层上；所述第二连线的第一端与所述第一连线的第二端连接，所述第二连线的第二端与第三连线的第一端连接；所述第三连线，所述第三连线的第二端与第m个所述存储层的第二边缘区连接。
多层存储器及其制作方法

[发明专利]多层存储器及其制作方法-CN201910355516.0有效
发明人： 金允哲;吴振勇;阮庆仲;梅文龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一部分，连接第m个存储层的第一边缘区域和字线驱动器；第二部分，与字线驱动连接；第三部分，平行于第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于堆叠结构的第二端面，第二端面与第一端面相对设置；第四部分，位于第二电路层上；第五部分，与第四部分连接，并穿透第二电路层；第六部分，与第五部分连接，平行于第四部分；第七部分，分别与第六部分及第m个存储层的第二边缘区连接。
多层存储器及其制作方法

[发明专利]用于测试三维存储器设备的结构和方法-CN202010540104.7有效
发明人：金钟俊;潘锋;李钟硕;吕震宇;李勇娜;宋立东;金允哲;S·W·杨;S·S-N·杨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
用于测试三维存储器设备结构方法

[发明专利]新型3D NAND存储器件及形成其的方法-CN201980001306.X有效
发明人：吴振勇;金允哲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一衬底，所述第一衬底具有用于形成存储单元的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述半导体器件还包括掺杂区域和第一连接结构。所述掺杂区域形成在所述第一衬底的所述第一侧中并且电耦合到晶体管的至少源极端子(例如，串联连接的多个晶体管的末端晶体管的源极端子)。第一连接结构被形成在所述第一衬底的所述第二侧之上并且通过第一过孔耦合到所述掺杂区域。所述第一过孔从所述第一衬底的所述第二侧延伸到所述掺杂区域。
新型 nand 存储器件形成方法

[发明专利]用于三维存储器的单元电流测量-CN201980002470.2有效
发明人：吴振勇;金允哲;梅文龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种用于测量三维存储器的存储单元电流的方法包括将第一测试电压施加到3D存储器件的外围电路的源极线焊盘，其中所述源极线焊盘电连接至3D存储器件的3D存储阵列的公共源极线，并且形成于第一衬底上的所述外围电路和形成于第二衬底上的所述3D存储阵列通过直接键合来电连接。所述方法还包括将第二测试电压施加至3D存储阵列的位线焊盘，其中所述位线焊盘和3D存储阵列形成在第二衬底的相对侧上。在一些实施例中，所述方法包括将第二测试电压施加至电源焊盘，其中电源焊盘电连接至外围电路的页缓冲器。
用于三维存储器单元电流测量

[发明专利]用于测试三维存储器设备的结构和方法-CN201880005231.8有效
发明人：金钟俊;潘锋;李钟硕;吕震宇;李勇娜;宋立东;金允哲;S·W·杨;S·S-N·杨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
用于测试三维存储器设备结构方法

[发明专利]抗体偶联物及其制备和使用方法-CN201780025549.8在审
发明人： 金允哲;黄超白;D·兰布卡 -专利权人： R.P.谢勒技术有限责任公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C07K16/00 文献下载
摘要：公开在免疫球蛋白(Ig)轻链多肽的恒定区中包括含硫酸酯酶基序的标签的抗体。所述硫酸酯酶基序可通过甲酰甘氨酸生成酶(FGE)转化，以产生甲酰甘氨酸(fGly)修饰的Ig轻链多肽。所述抗体的fGly修饰的Ig轻链多肽可与所关注的部分共价和位点特异性结合以提供抗体偶联物。本公开还涵盖产生这类带标签的Ig轻链多肽、fGly修饰的Ig轻链多肽和抗体偶联物的方法，以及其使用方法。
多肽抗体偶联物修饰甘氨酸甲酰抗体免疫球蛋白标签位点特异性结合含硫酸酯硫酸酯酶轻链多肽恒定区酶基序共价基序制备涵盖转化

[发明专利]存储器结构及其制备方法、存储器的测试方法-CN201710134368.0有效
发明人：金钟俊;潘锋;李钟硕;吕震宇;李勇娜;宋立东;金允哲;杨伟毅;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，在该存储器结构中至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述字线连接之间形成电连接；和/或；至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述位线连接之间形成电连接。如此，测试信号能够在上述电连接的结构之间进行传输，因此，利用上述电连接的结构能够对存储器结构进行测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
存储器结构及其制备方法测试

[发明专利]从材料混合物中分离挥发性物质的方法和制备聚芳硫醚的设备-CN201380035015.5有效
发明人：克利福德·谢弗斯库帕;托马斯·希勒;西奥多·于尔根斯;安德烈·舒曼;拉斯·吉尔世泽维斯基;车一勋;金圣基;金允哲 -专利权人： SK化学株式会社
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C08G75/0213 文献下载
摘要：本发明涉及一种从材料混合物中分离挥发性物质，特别是碘、二碘化芳香族化合物和/或由它们组成的混合物的方法，所述材料混合物包含上述化合物。此外，本发明还涉及一种制备聚芳硫醚的设备，借助所述设备可从聚合产物中除去挥发性物质，特别是碘和二碘化芳香族化合物。
材料混合物分离挥发性物质方法制备聚芳硫醚设备

[发明专利]用于包装产品的热风供应设备-CN201210593069.0无效
发明人：金镇湖;金演洙;李泰暻;金允哲;吴灿燮;郑钟守 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B65B53/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于包装产品的热风供应设备，所述热风供应设备通过使用热收缩膜来包装产品，具有高能耗效率并能够提高包装工作的经济性，所述热风供应设备包括被构造成向产品的包装表面排出热风的至少一个热风单元，其中，热风单元包括：主体，具有排出孔；至少一个鼓风机，被构造成将空气吹动到排出孔；至少一个风扇电机，被构造成驱动鼓风机；加热器，被构造成加热将从排出孔排出的空气；至少一个再循环流动路径，被构造成收集从排出孔排出的空气并且被构造成将收集的空气供应到鼓风机的吸入侧。
用于包装产品热风供应设备

[实用新型]屏幕擦-CN200620166540.8无效
发明人： 金允哲 -专利权人： 金允哲
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种屏幕清洁装置，具体是一种屏幕擦，其结构包括搪胶体和吸盘，所述搪胶体通过可调整长度的拉绳连接吸盘，所述搪胶体一侧覆盖有绒布。与现有技术相比，本实用新型的一种屏幕擦，具有设计合理、结构简单、使用方便、清洗维护便捷，并能装饰工作环境等特点。
屏幕

[发明专利]氨氯地平的有机酸盐-CN03820876.8无效
发明人：赵诚焕;尹容植;郑允泽;朴忠实;李爀九;李光赫;郑银珠;金永勲;陈海铎;千凖熙;李性学;郑盛鹤;林东权;延圭正;金允哲;朴俓美;姜显锡 -专利权人：希杰株式会社
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C07D211/86 文献下载
摘要：本发明公开了氨氯地平的新有机酸盐、其制备方法及其含有该盐作为治疗活性组分的药物组合物。
地平有机酸

[发明专利]氨氯地平的有机酸盐-CN03820872.5无效
发明人：赵诚焕;尹容植;郑允泽;朴忠实;李爀九;李光赫;郑银珠;金永勳;陈海铎;千凖熙;李性学;郑盛鹤;林东权;延圭正;金允哲;朴俓美;姜显锡 -专利权人：希杰株式会社
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C07D211/90 文献下载
摘要：本发明公开了氨氯地平的新有机酸盐、其制备方法及其含有该盐作为治疗活性组分的药物组合物。
地平有机酸

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