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[发明专利]电路基板、电路基板的制造方法以及电子设备-CN202280013525.1在审
发明人： 酒井泰治;饭田宪司;尾崎徳一;高野宪治;中川隆;稻叶孝之;宫川哲郎;矢岛章;平野伸;青井孝大;阿部洋一;江村美绪 -专利权人： FICT株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：目的在于，提供一种电路基板，该电路基板内置有半导体元件，该电路基板为防止裂纹且广泛的温度范围内的动作的可靠性优异的结构。作为解决手段，电路基板(10A)构成为，第1绝缘基板(1)经由第1粘接层(7a)层叠于第2绝缘基板(2)，在第1绝缘基板(1)所形成的埋入部(1c)中内置有半导体元件(9)。
路基制造方法以及电子设备

[发明专利]波导部件和波导层叠体-CN202080030309.9有效
发明人：岩井俊树;酒井泰治 -专利权人： FICT株式会社
申请日： 2020-05-01 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明的课题在于，抑制多个波导之间的光的干扰，高密度地设置波导。作为解决手段，具有：使光透过的多个芯(104)；包覆部(106)，其包围多个芯(104)，对光的折射率比芯(104)小；以及透射抑制部件(108)，其位于多个芯(104)中的分别相邻的2个芯之间，抑制从芯泄漏的光的透射。
波导部件层叠

[发明专利]布线基板和电子装置-CN201911037105.3在审
发明人：岩井俊树;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了布线基板和电子装置。一种布线基板，包括：第一板构件，其包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一贯通布线，其沿着第一通孔的内周面以管状从第一表面延伸至第二表面，第一通孔从第一表面到第二表面穿透第一板构件并且包括第一通孔的宽度从第一表面与第二表面之间的中间部分朝第一表面增大的形状；导电构件，其设置在第一贯通布线的在第一板构件的第一表面侧的端部处；第二板构件，其包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，第四表面面对第一板构件的第一表面,以及第二贯通布线，其沿着第二通孔的内周面从第三表面延伸至第四表面并且与导电构件接触，第二通孔从第三表面到第四表面穿透第二板构件。
布线电子装置

[发明专利]电路板、制造电路板的方法以及电子装置-CN201910062435.1在审
发明人：岩井俊树;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供电路板、制造电路板的方法以及电子装置。该电路板包括：易碎材料的第一基板；第一通孔，该第一通孔形成在所述第一基板中，用于允许用于将所述第一基板固定到支撑体的螺钉插入穿过所述第一通孔；第一台阶，该第一台阶形成在围绕所述第一基板中的所述第一通孔的第一区域的外边缘处；以及第二台阶，该第二台阶在所述第一基板的所述第一区域中沿从所述第一通孔到所述第一台阶的方向形成。
电路板第一基板通孔第一区域电子装置易碎材料螺钉外边缘支撑体制造穿过

[发明专利]电子器件、制造方法和电子器件制造装置-CN201210495330.3有效
发明人： 酒井泰治;今泉延弘 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。
电子器件制造方法装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201210050652.7有效
发明人： 酒井泰治;今泉延弘;水越正孝 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法-CN201210028789.2有效
发明人： 酒井泰治;常信和清;今田忠纮;今泉延弘;冈本圭史郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]基板处理装置-CN201010526085.9有效
发明人：水越正孝;石月义克;中川香苗;冈本圭史郎;手代木和雄;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
处理装置

[发明专利]导电材料、导电膏、电路板以及半导体器件-CN200880127833.7有效
发明人：作山诚树;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：导电材料(10)具有：第一金属部(11)，其以第一金属为主成分；第二金属部(12)，其以第二金属为主成分，并形成在上述第一金属部的表面上，该第二金属具有比上述第一金属的熔点低的熔点，并且该第二金属能够与上述第一金属形成金属间化合物；第三金属部(13)，其以第三金属为主成分，该第三金属能够与上述第二金属发生共晶反应。
导电材料电路板以及半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置-CN200910006680.7有效
发明人：水越正孝;石月义克;中川香苗;冈本圭史郎;手代木和雄;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。本发明涉及一种半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置。
半导体器件及其制法处理装置半导体制造

[发明专利]凸块形成方法、半导体器件及其制造方法、基板处理装置和半导体制造装置-CN03822757.6有效
发明人：水越正孝;石月义克;中川香苗;冈本圭史郎;手代木和雄;酒井泰治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
形成方法半导体器件及其制造处理装置半导体

[发明专利]改良型压力式流量控制装置-CN02805589.6有效
发明人：大见忠弘;宇野富雄;中村修;池田信一;土肥亮介;西野功二;松本笃咨;杉山一彦;乾秀二郎;酒井泰治;植山将宜 -专利权人：株式会社富士金;大见忠弘;东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-11-22 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置，其以Qc＝KP₂^m(P₁－P₂)ⁿ表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc＝KP₂^m(P₁－P₂)ⁿ(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置，其经常将上游侧压力P₁及下游侧压力P₂所得压力比P₂/P₁＝r与临界值r_c比较，在临界条件(r≤r_c)下以Qc＝KP₁，在非临界条件(r＞r_c)下以Qc＝KP₂^m(P₁－P₂)ⁿ运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。
改良压力流量控制装置

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