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[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202110651719.1有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;李东昇 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
深紫 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种漂浮光伏推送平台及其工作方法-CN202310954196.7在审
发明人：黄凯;尹骁;张发;刘军华;陈安新;郭茂峰;綦子俊;刘兆宁;常进;崔宗福;夏厚福;冉祥发;李中正;郭亚;刘新江;苏乐;王潇晨 -专利权人：山东电力工程咨询院有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B63B35/44 文献下载
摘要：本发明涉及漂浮式光伏技术领域，提供了一种漂浮光伏推送平台及其工作方法，包括：钢丝绳悬挂立柱的底端固定在船体上，顶端连接钢丝绳拉紧装置的一端，钢丝绳拉紧装置的另一端用于连接钢丝绳的一端，所述钢丝绳另一端连接所述钳形装置；钳形装置由两块焊接在一起的钢板组成，且两块钢板之间存在夹角，用于接触组串钳形装置斜撑的一端固定连接钳形装置，另一端固定连接第二圆管，组成推送装置插销装置设置在船体的头部，用于连接所述第二圆管；推送装置的拆卸与折叠，通过所述第二圆管和所述插销装置配合以及钢丝绳拉紧装置与钢丝绳的配合实现。易于控制光伏组串，提高了组串入阵效率。
一种漂浮推送平台及其工作方法

[发明专利]垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构-CN202110717833.X有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;石时曼;金全鑫 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构，该制造方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延结构，外延结构具有第一表面与第二表面，第二表面与蓝宝石衬底相连；将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，部分蓝宝石衬底在相邻的外延单元之间暴露；在相邻的外延单元之间暴露的蓝宝石衬底上形成粘附层；将第二衬底键合固定在外延结构的第一表面上方；激光剥离蓝宝石衬底；以及去除粘附层。该制造方法通过将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，从而改善了由于高能量密度激光剥离瞬间产生的强烈冲击对外延结构造成严重损伤的问题。
垂直结构深紫 led 芯片制造方法外延

[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202110651582.X有效
发明人： 郭茂峰;石时曼;金全鑫;赵进超;李士涛;毕京锋;范伟宏 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构，位于衬底上，从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层，位于P型半导体层上，其中，金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层，从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。
深紫 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种风力发电工程施工多工序流程优化方法及系统-CN202310225421.3在审
发明人：程烈海;侯振;郭茂峰;赵松;谭慎迁;刘玉康 -专利权人：山东电力工程咨询院有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种风力发电工程施工多工序流程优化方法及系统。通过分析工序内及工序间的约束关系，在满足工期要求条件下以最小化施工费用为优化目标，基于工序解耦，进行各工序逐个优化。本发明对多道工序的所有设备进行调度，以实现最优目标，不仅能够实现最优目标，还能够实现道路修建、风机基础浇筑、风机吊装的施工顺序的规划，确定风机吊装设备(吊车)的最佳数量及其进场时间。
一种风力发电工程施工工序流程优化方法系统

[发明专利]垂直结构LED芯片的制造方法-CN202110650877.5有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;石时曼 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。
垂直结构 led 芯片制造方法

[实用新型]一种光伏支架安装辅助装置-CN202221696577.7有效
发明人：刘玉康;程烈海;郭茂峰;尹骁;赵松;杨学峰;谭慎迁;郭影;綦子俊;张适 -专利权人：山东电力工程咨询院有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B66D1/04 文献下载
摘要：本实用新型属于光伏支架技术领域，提供了一种光伏支架安装辅助装置，包括底部支撑、主梁、上部支撑、手动葫芦吊和吊具，所述底部支撑和上部支撑均与主梁连接，所述上部支撑与手动葫芦吊可拆卸连接，所述手动葫芦吊和吊具可拆卸连接。本实用新型能够实现光伏支架在地面整体组装后，借助光伏支架自身的PHC管桩基础，通过辅助装置将整体组装完成的支架提升至指定高度，完成与支架立柱的连接。
一种支架安装辅助装置

[发明专利]激光剥离LED外延衬底的设备及方法-CN202110796299.6在审
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;操晓敏;谢安军;赵进超;金全鑫 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离LED外延衬底的设备及方法，在激光剥离时可采用盖板压紧LED晶圆，改善了LED晶圆的翘曲问题，使得LED晶圆被平整地固定在承载台上，避免激光扫描时LED晶圆上的某些位置的离焦问题，从而减少激光扫描过程中焦点调整的时间，提高了生产效率，并且可以避免激光扫描时晶圆翘曲位置应力实现时出现裂纹现象，提高了生产良率；由于盖板能够透射紫外光，不会影响紫外波段的激光光束透过。
激光剥离 led 外延衬底设备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN202210470567.X在审
发明人： 郭茂峰;金全鑫;王思琦;沈侠强;李士涛;高默然;郑锦坚 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层；多个接触孔，阵列分布于所述外延层中，所述接触孔贯穿所述第二半导体层和所述电子阻挡层，暴露出所述第一半导体层的表面；扩散层，位于相应的接触孔中的第一半导体层上；第一电极，经由所述多个接触孔与所述第一半导体层电连接；以及第二电极，与所述第二半导体层电连接。本发明的发光二极管及其制造方法，在接触孔暴露出来的第一半导体层表面形成由掺杂元素构成的扩散层，所述扩散层中的掺杂元素向所述第一半导体层内扩散以增加所述第一半导体层的掺杂浓度。
一种发光二极管及其制造方法

[实用新型]半导体晶圆-CN202220705854.X有效
发明人： 郭茂峰;田文;陈浩;陈亚珍;沈铭;赵进超;李士涛 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：公开了一种半导体晶圆，包括：第一晶圆，第一晶圆包括依次层叠设置的外延层、第一欧姆接触层、反射镜层和第一键合层；第二晶圆，包括键合衬底以及位于键合衬底上的第二键合层；第一键合层和第二键合层彼此接触；第一键合层的尺寸小于第一晶圆的尺寸；第二键合层的尺寸小于键合衬底的尺寸。本申请调节第一键合层和第二键合层的尺寸小于第一晶圆、键合衬底的尺寸，在键合过程中避免低熔点金属向半导体晶圆的边缘四周溢出，改善半导体晶圆边缘的粘连现象，降低后续的剥离过程中出现碎片现象或者剥离困难的现象，提高半导体晶圆的工艺良率。
半导体

[实用新型]发光二极管-CN202220763431.3有效
发明人： 郭茂峰;田文;金全鑫;王思琦;沈铭;赵进超;李士涛 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管包括：衬底；位于所述衬底表面上依次堆叠的金属阻挡层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一欧姆接触层位于所述第二半导体层上；多个第一通孔，贯穿所述第二半导体层、发光层以暴露出第一半导体层；第一钝化层，覆盖第一通孔的侧壁以及第二半导体层的部分表面；其中，所述反射镜层和金属阻挡层不与所述第二半导体层直接接触。本申请通过控制第一欧姆接触层、反射镜层以及金属阻挡层的尺寸使得反射镜层和金属阻挡层与外延层不直接接触，使得发光二极管不存在金属‑半导体肖特基接触，提高发光二极管的防静电和大电流击穿能力。
发光二极管

[发明专利]一种深紫外LED芯片的测试系统及测试方法-CN202110418670.5在审
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;陶胜;徐军波;石俊 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外LED芯片的测试系统及测试方法，其中，测试系统包括积分球和承载LED芯片的且能够透光的载盘，在所述积分球上开设有测试开孔，所述载盘布置于所述积分球的腔体内部且所述载盘的承载表面朝向所述测试开孔布置。本发明提供的测试系统能够最大限度地捕捉获取深紫外LED芯片的TM出光和TE出光，大幅提升深紫外LED芯片的测试良率和测试准确性。在LED芯片工艺稳定情况下，本发明只需进行一次芯片级光学参数全测试即可，节省了晶圆级深紫外LED光学参数测试系统的开发需求。
一种深紫 led 芯片测试系统方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202221026991.7有效
发明人： 郭茂峰;蔡立鹤;何小可;王思琦;耿鑫;边福强;李士涛 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管，包括：衬底；在衬底上依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；台阶，位于发光二极管的四周，台阶的上台阶面为第二半导体层的表面，台阶的侧壁为第二半导体层和多量子阱层的侧壁，台阶的下台阶面为暴露出的第一半导体层的表面；绝缘层，覆盖台阶的下台阶面以及台阶的侧壁，绝缘层与其接触的台阶的下台阶面、台阶的侧壁的材料相同，且为F掺杂的绝缘层；第一电极，与第一半导体层电连接；以及第二电极，与第二半导体层电连接。本实用新型在第一半导体层表面、多量子阱层和第二半导体层侧壁形成绝缘层，以降低和防止发光二极管出现短路漏电的风险。
一种发光二极管

[实用新型]一种混凝土运输及溜槽一体式装置-CN202221017436.8有效
发明人：刘玉康;程烈海;郭茂峰;侯振;陈安新;赵松;李明;庞永泉;张适 -专利权人：山东电力工程咨询院有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： E02D15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种混凝土运输及溜槽一体式装置，包括：料斗、溜槽导管和装载机；所述料斗的一端设于装载机上，另一端连接溜槽导管，所述溜槽导管通过连接绳与装载机连接。将料斗、溜槽导管和装载机焊接为一体式结构，实现混凝土运输及浇筑溜槽的紧密结合，避免传统溜槽倒运时出现混凝土泄漏的问题。
一种混凝土运输溜槽体式装置

[发明专利]垂直发光二极管及其制备方法-CN202210626478.X在审
发明人： 郭茂峰;高默然;郑锦坚;毕京锋;沈侠强;金全鑫;王思琦 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的垂直发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。
垂直发光二极管及其制备方法

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