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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固态硬盘、数据传输方法及其中介控制器-CN202111607056.X在审
发明人：王冠杰;阮士洲;郭乃萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种固态硬盘、数据传输方法及其中介控制器。固态硬盘包括至少两个快闪存储器、一SSD控制器及一SSD控制器。中介控制器连接于快闪存储器及SSD控制器。中介控制器包括至少两个快闪接口、一定制接口及一数据暂存单元。快闪接口连接于快闪存储器。定制接口连接于SSD控制器。中介控制器具有一第一时钟域及一第二时钟域。第一时钟域用以将数据从快闪存储器传递至数据暂存单元。第二时钟域用以将数据从数据暂存单元传递至SSD控制器。第二时钟域的频率高于第一时钟域的频率。
固态硬盘数据传输方法及其中介控制器

[发明专利]一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法-CN202210160341.X在审
发明人：洪硕男;郭乃萍;刘建兴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法。每一存储器平面包含至少一个对应存储器阵列。方法包含针对多个存储器平面中的每一存储器平面，产生(i)指示对应存储器平面的忙碌或就绪状态的对应平面就绪(PRDY)信号及(ii)指示对应存储器平面的对应存储器阵列的忙碌或就绪状态的对应平面阵列就绪(PARDY)信号，从而产生对应于多个存储器平面的多个PRDY信号及多个PARDY信号。基于多个PRDY信号及多个PARDY信号中的一或多者的状态来选择性地允许或拒绝执行多个存储器平面中的存储器平面的存储器命令。
一种具有存储器平面及其操作方法

[发明专利]存储器元件中重新编排数据的方法、及其控制器与系统-CN201811072863.4有效
发明人：叶宇智;郭乃萍;玉川裕子 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;巨晶片株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器元件中重新编排数据的方法、及其控制器与系统。此方法包括：判定逻辑区块中的一个特定逻辑页面，因为存在于一个特定实体页面中的多个错误位而导致失效。此特定实体页面位于与逻辑区块映射的第一实体区块之中，并且对应于此特定逻辑页面；逻辑区块中的多个逻辑页面，以一个起始映射顺序映射到第一实体区块中的实体页面。以逻辑区的一个重新编排的映射顺序，对第一实体区块执行一个更新操作，其中重新编排的映射顺序与起始映射顺序不同。在更新操作中，逻辑区块中的这些逻辑页面，以重新编排的映射顺序，被映射到第二实体区块中的多个实体页面。
存储器元件重新编排数据方法及其控制器系统

[发明专利]存储器晶粒、存储器及感测存储器晶粒内部温度状态的方法-CN202110212990.5在审
发明人：叶宇智;刘建兴;钟进竹;郭乃萍;阮士洲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器晶粒、存储器及感测存储器晶粒内部温度状态的方法。其中，该存储器晶粒具有温度感测功能，具体包括：至少一温度监控接脚，用以输出存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在存储器晶粒内，用以感测存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至温度传感器，用以接收工作温度，并且耦接至至少一个温度监控接脚。控制逻辑单元将工作温度与从外部接收的至少一阈值进行比较，并且依据比较结果，在至少一温度监控接脚输出温度状态。
存储器晶粒内部温度状态方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201710316247.8有效
发明人：刘亦峻;阮士洲;郭乃萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器系统，包括第一闪存、第二闪存以及控制器。第一闪存包括存储器阵列，存储器阵列分成多个页。控制器耦接第一闪存以及第二闪存，并用以：在对该第一闪存中的一特定页作编程之前，控制该第二闪存记录该特定页的地址；以及在该特定页被编程之后，控制该第二闪存记录该特定页的一编程状态。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]存储器的读取方法与存储器装置-CN201610063885.9有效
发明人：洪俊雄;阮士洲;郭乃萍;刘亦峻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法及存储器装置。该读取数据方法包括：决定该目标字线的一干扰状态；该干扰状态反映一相邻字线对该目标字线的这些存储器单元的一干扰；该方法更包括：根据该目标字线的该干扰状态，决定该目标字线的一读取电压；以及施加该读取电压至该目标字线的这些存储器单元。
存储器读取方法装置

[发明专利]用于写入数据的方法及设备与储存媒体-CN201510356929.2有效
发明人：黄伟杰;黄莉君;张育铭;张弘升;李祥邦;刘庭宇;刘建兴;郭乃萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于写入数据的方法及设备与储存媒体，该写入数据的方法，用于写入数据至一永久(persistent)储存装置之中，该方法包括：将储存在暂时储存装置的多个数据条目(data entry)组合成一个数据单位，该数据单位的大小等于该永久储存装置的存取单位；以及写入该数据单位至该永久储存装置。
用于写入数据方法设备储存媒体

[发明专利]存储器电路及其操作方法-CN201510140956.6有效
发明人： 郭乃萍;洪俊雄;许文铭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器电路及其操作方法，主要涉及在非易失性存储器阵列上进行擦除操作的方法以及低延迟时间的暂停擦除操作。此非易失性存储器阵列，包括多个存储单元区块，且每一这些存储单元区块包括多个存储单元区段。此方法包括针对一擦除指令以辨识一易失性存储器阵列中多个存储单元区块中的其中一个存储单元区块，每一这些存储单元区块包括多个存储单元区段，擦除被辨识的该存储单元区块中多个这些存储单元区段，并判断每一这些存储单元区段中是否有过度擦除存储单元。此方法包括记录存储单元区段中的过渡擦除存储单元。此方法还包括：针对一暂停擦除指令，在对存储单元区段施加一温和写入脉冲之前，对被记录的存储单元施加一更正脉冲。
存储器电路及其操作方法

[发明专利]存储器装置与其操作方法-CN201510422191.5有效
发明人：张育铭;黄伟杰;黄莉君;张弘升;李祥邦;刘庭宇;刘建兴;郭乃萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G06F12/1045 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包括一存储器控制器与一非易失性存储器。非易失性存储器耦接到存储器控制器并储存一映射表与一日志表。该存储器控制器用以将一数据及该数据的一逻辑地址写到该非易失性存储器，并从非易失性存储器的映射表加载相关于该数据的逻辑地址的映射信息到存储器控制器的一映射高速缓存。并且，存储器控制器更用以使用该数据的逻辑地址与该数据的物理地址之间的一更新映射关系更新该映射高速缓存，并执行一日志操作以将该更新映射关系写到日志表。
存储器装置与其操作方法

[发明专利]具有离散栅极的半导体存储装置位线晶体管-CN201510340323.X有效
发明人：蔡亚峻;黄兰婷;郭乃萍;苏俊联 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储装置，包括多个扩散区域对。扩散区域对包括第一与第二扩散区域，每一扩散区域包括一位线晶体管对的源极及漏极区域及与各个扩散区域对接触的多个位线晶体管栅极对，位线晶体管对包括一第一位线晶体管及一第二位线晶体管。位线晶体管栅极对的第一位线晶体管栅极包括第一扩散区域的第一位线晶体管的栅极部分以及第二扩散区域的第一位线晶体管的栅极部分。位线晶体管栅极对的第二位线晶体管栅极包括第一扩散区域的第二位线晶体管的栅极部分及第二扩散区域的第二位线晶体管的栅极部分。
具有离散栅极半导体存储装置晶体管

[发明专利]存储器及其操作方法-CN201410041249.7有效
发明人：黄世昌;郭乃萍;张钦鸿;陈耕晖;洪俊雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种储存数据集(data set)以及数据集的ECC于存储器中的操作方法。此方法包括在将新数据写入在一数据集中时，如果储存新数据及事先在数据集中被编程的数据的一些可编址段包括至少一预定数目的可编址段，则计算并储存一ECC。此方法包括通过使用ECC及从ECC衍生出的一第一额外ECC位，来储存关于是否致能或禁能ECC的使用的多个指示。此方法包括从一数据集读取一扩展ECC(包括一ECC及从ECC衍生出的一第一额外ECC位)，并依据为数据集所储存的指示而致能或禁能ECC的使用。此方法包括通过使用这些指示及一第二额外ECC位来致能空白数据集的ECC的使用。
存储器及其操作方法

[发明专利]复原多个存储单元的阵列的方法、电子装置及控制器-CN201310613721.5在审
发明人：张坤龙;郭乃萍;陈耕晖;林兆欣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种复原多个存储单元的阵列的方法、电子装置及控制器。复原多个存储单元的阵列的方法包括以下步骤。判断一复原控制信号是否已被接收。若复原控制信号已被接收，则执行一保持检查程序以识别位于高阈值状态的存储单元的至少一位的一阈值电压分布是否已飘移。若位于高阈值状态的存储单元未通过保持检查程序，则执行一保持写入程序于此些存储单元。
复原存储单元阵列方法电子装置控制器

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN201310293667.0在审
发明人：洪俊雄;郭乃萍;张坤龙;陈耕晖;王裕谦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该存储器装置，包含非易失性电荷陷获存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态来储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，其中这些临界状态包含一其最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；一控制器，包含一待机模式、一写入模式及一读取模式；保持检查程序在电源开启时执行，或者在待机模式时执行，用以辨识未通过一保持临界检查的这些较高临界状态的存储器单元；另外，提供一程序，用以重新编程这些辨识出的存储器单元。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]缩短擦除操作的方法与装置-CN201210458407.X有效
发明人：洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;郭乃萍;张钦鸿;陈张庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有不同持续时间的多阶段擦除程序的非易失存储阵列，此阵列中的一存储单元区块可以由这些不同的多阶段擦除程序之一加以擦除。本发明还公开了一种擦除非易失存储阵列中存储单元的方法，该方法包括：接收一擦除命令辨识该非易失存储阵列中的一存储单元区块；以及响应该擦除命令，执行一多阶段擦除程序。
缩短擦除操作方法装置

[发明专利]抑制快闪存储器响应外部命令时漏电的方法与装置-CN201210057040.0有效
发明人： 郭乃萍;罗思觉;张坤龙;洪俊雄;郑家丰;陈耕晖;王裕谦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制快闪存储器响应外部命令时漏电的方法与装置。该快闪存储装置包括：一存储阵列包括多个存储区块；一命令接口以接收来自该存储装置外部来源的一命令；一控制器，包括执行漏电流抑制程序的逻辑以响应该命令，该漏电流抑制程序包括：执行一软编程操作以增加给定存储区块中一个或多个过度擦除存储单元的一阈值电压。本发明解决了过度擦除存储单元所产生的问题。
抑制闪存响应外部命令漏电方法装置

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