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[发明专利]大面积单晶铜箔的制备方法及设备-CN202210542666.4在审
发明人：陈军;张钰峰;郝志猛;严振华;赵庆;李海霞;程方益;廖平元;王俊锋 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积单晶铜箔的制备方法及设备，将多晶铜箔放置于炭纸或炭布上，在还原性气氛中，于至少三个温区的环境下，通过热处理的方式制备大面积(111)单晶铜箔。本发明首次选用铜箔界面能较低的炭纸或炭布基底，减小铜箔与基底的界面能，从而使表面能成为晶界迁移的主要影响因素，实现了控制单晶铜箔生长过程中表面能占主导，在还原性气氛中通过热处理可控制备大面积的(111)单晶铜箔。
大面积铜箔制备方法设备

[发明专利]掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长及拉曼光谱表征方法-CN201510098596.8有效
发明人：何亮;麦立强;熊彪;杨枭;郝志猛;罗雯 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明专利提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明专利利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
一种掺杂纳米低温低压生长方法光谱表征

[发明专利]一种热解碳微结构电极的制作工艺及其电性能表征方法-CN201510076789.3有效
发明人：何亮;麦立强;郝志猛;杨枭;周鹏 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种热解碳微结构电极的制作工艺及其电性能表征方法，包括紫外光刻、热解碳化、掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱和电性能表征，利用光刻胶的感光性能，通过紫外光刻工艺、半导体加工工艺、惰性气氛下的热解碳化工艺以制作图案化的热解碳微结构；然后通过掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱工艺，使拟制作电极的部位精确得到电极，制作成与碳微结构相集成的金属电极；通过四探针法，对电性能进行表征。本发明提出了一种基于C-MEMS的优化工艺以制作图案化的热解碳微结构，该工艺融合利用了半导体领域的相关技术与四探针法，工艺简洁、相关技术成熟，可应用于大规模生产，所得到的热解碳微结构有着较好的电性能。
一种热解碳微结构电极制作工艺及其性能表征方法