专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抑制振动干扰的热式声矢量传感器及其实现方法-CN202210248823.0有效
  • 陈旺楠;朱哲政;杨凌濛;杨振川;高成臣;郝一龙 - 北京大学
  • 2022-03-14 - 2023-03-28 - G01H11/06
  • 本发明公开了一种抑制振动干扰的热式声矢量传感器及其实现方法。本发明在加热梁和两根声音敏感梁的外侧又集成两根振动敏感梁,作为振动信号的敏感结构,形成五线式结构;声音敏感梁距离加热梁较近,而且宽度更窄,因此截止频率较高,对高频声音信号的灵敏度更大;相反,振动敏感梁距离加热梁较远,而且宽度更宽,因此截止频率较低,对低频振动信号灵敏度更大;利用不同间距的声音敏感梁和振动敏感梁对声音和振动信号灵敏度不同的特点,将输出信号进行差分运算,完成对干扰的振动信号解耦;本发明抑制了热式声矢量传感器工作环境中可能存在的振动干扰的问题,输出信号已经没有振动信号,振动干扰对热式声矢量传感器的输出灵敏度影响很小。
  • 一种抑制振动干扰热式声矢量传感器及其实现方法
  • [实用新型]一种消防给水管道安装用立管安装架-CN202221614159.9有效
  • 朱子文;孟凡斌;郝一龙 - 中核利华消防工程有限公司
  • 2022-06-25 - 2022-10-21 - B66F7/00
  • 本申请涉及一种消防给水管道安装用立管安装架,涉消防管道施工的技术领域,其包括底座、一对可升降柱和一对支柱,一对可升降柱并排竖直设置于底座上,一对支柱均水平设置于一对可升降柱上,支柱上水平滑动连接有一对用于对立管进行夹持的弧形杆,一对可升降柱上设置有位于下方支柱下方的定位板,定位板上设置有供立管下端套设的定位柱,支柱上均设置有控制一对弧形杆向相互靠近或远离方向滑移的驱动机构。本申请通过设置可对立管进行定位夹持的立管安装架,有效保证了立管安装时的垂直度,保证了立管的安装精度,同时有效提高了立管的安装效率,降低了工作人员的施工强度。
  • 一种消防给水管道安装用立管
  • [发明专利]一种低噪声热式质点振速传感器及其实现方法-CN202210374055.3在审
  • 朱哲政;陈旺楠;杨凌濛;杨振川;高成臣;郝一龙 - 北京大学
  • 2022-04-11 - 2022-07-22 - G01H11/06
  • 本发明公开了一种低噪声热式质点振速传感器及其实现方法。本发明采用在流道上设置偶数个测温电阻,并且在测温电阻内设置奇数个加热电阻,通过选择加热电阻的材料,减小加热电阻的温度电阻系数TCR,同时增加加热电阻的宽度w,减小加热电阻的等效热噪声电阻,从而降低低噪声热式质点振速传感器的热噪声,使加热功率更加稳定,从而获得稳定的温场分布,减少低频段的热噪声扰动;同时,测温电阻使用高温度电阻系数大的材料制作,用来感知声波造成的微小温度扰动,从而提高低噪声热式质点振速传感器的灵敏度;本发明能够消除电阻变化造成的闭环反馈,降低传感器的低频热噪声。
  • 一种噪声质点传感器及其实现方法
  • [发明专利]一种二维热式声矢量传感器芯片及其实现方法-CN202110370417.7有效
  • 杨振川;朱哲政;杨凌濛;高成臣;郝一龙 - 北京大学
  • 2021-04-07 - 2022-05-20 - G01H17/00
  • 本发明公开了一种二维热式声矢量传感器芯片及其实现方法。本发明在衬底的边缘或中心形成方向正交的流道,在流道上设置的单轴热式声矢量传感器的敏感方向与所在的流道平行,能够集成两个或四个单轴热式声矢量传感器,获得两个完全正交的振速分量,并且保证两个敏感轴的性能与单个热式声矢量传感器一致,从而根据两个全正交的水平振速分量和竖直振速分量得到声波的传输方向;本发明能够保证流道中的声粒子的振动范围内没有衬底的阻挡,消除衬底对流场产生的畸变,使两个敏感轴不发生偏移;本发明能够在一个方向的流道中集成两个单轴声矢量传感器,保证两个敏感轴的声中心在同一点。
  • 一种二维热式声矢量传感器芯片及其实现方法
  • [发明专利]一种MEMS热式麦克风及其实现方法-CN202110959816.7有效
  • 朱哲政;杨凌濛;杨振川;高成臣;郝一龙 - 北京大学
  • 2021-08-20 - 2022-03-25 - H04R19/00
  • 本发明公开了一种MEMS热式麦克风及其实现方法。本发明在衬底上形成背腔,将敏感梁置于背腔上,并在背腔上设置上盖板形成驻波管;声波从驻波管的管口进入至驻波管内,声压变化引起敏感梁上的温度发生扰动;同时,声波入在驻波管的管底即背腔的表面反射形成驻波,驻波管的管底是硬声场边界,保证声粒子振速为零,敏感梁处的声压为驻波管的管口入射声压的两倍,因此敏感梁的温度只与入射声压成正比,不会受到声粒子振速的影响,消除谐波失真;本发明的麦克风结构与热式声粒子振速传感器类似,制造工艺相同,能够在同一个芯片上完成声压和声粒子振速的测量。
  • 一种mems麦克风及其实现方法
  • [发明专利]一种提高GaN L-FER反向击穿电压的器件结构及实现方法-CN201710197227.3有效
  • 王茂俊;高静楠;尹瑞苑;郝一龙 - 北京大学
  • 2017-03-29 - 2021-08-03 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种提高GaN L‑FER反向击穿电压的器件结构及其制作方法,所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、本征GaN沟道层、本征AlGaN势垒层、介质钝化层、阳极双肖特基接触以及阴极欧姆接触。在衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结材料,并在该结构上形成欧姆接触、平面隔离之后,进一步形成双肖特基接触的阳极结构,最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明利用双肖特基接触的阳极结构,肖特基接触对反向击穿过程中的高压起到了一定的屏蔽作用,从而减少了从阳极经由器件沟道势垒层或者缓冲层注入到阴极的漏电流,进而提高了器件的反向击穿电压。本发明实现方法简单,能大幅度提高GaN L‑FER的反向击穿电压从而拓宽了其在电力电子领域中的应用。
  • 一种提高ganfer反向击穿电压器件结构实现方法
  • [实用新型]智能编码器-CN202021161655.4有效
  • 黄晓岳;郝一龙;上官子瑛 - 北京利华消防工程有限公司
  • 2020-06-20 - 2021-02-05 - H04L29/12
  • 本实用新型涉及一种智能编码器,涉及编码器的技术领域,用于解决消防弱电设备施工方式繁杂繁琐,且进行地址编码时容易出现错误而增加维护成本的问题。本实用新型包括编码端和内置有APP的移动端;所述编码端包括输入模块以及第一通讯模块;所述移动端包括第二通讯模块和显示模块。本实用新型具有能够在编码过程中现场对设备进行编码,再将形成的编码进行显示,减少因编码错误造成的维护困难,提高维设备护效率的效果。
  • 智能编码器
  • [发明专利]一种MEMS热式声粒子传感器-CN201610878685.9有效
  • 罗中良;李哲;高成臣;金玉丰;郝一龙 - 北京大学
  • 2016-10-08 - 2020-06-26 - G01H5/00
  • 本发明(一种MEMS热式声粒子传感器)涉及微电子机械加工领域,尤其涉及一种MEMS热式声粒子传感器的设计方法。目前已有的MEMS热式声粒子传感器都是基于两线式流量计原理,自噪声较大,且高频特性较差。为解决这种问题,本发明提供了一种MEMS三线式热式声粒子传感器结构,可应用于声源定位。该传感器为三层悬臂梁结构,由上下极板粘接而成,包括左右两个正交平面的测量单元。每个测量单元上下两层各有两根感温电阻悬臂梁,中层有一根来自上极板或下极板的加热电阻悬臂梁。上下层的四根悬臂梁组成矩形,中层的悬臂梁位于矩形中心。加工步骤包括:每个测量单元的上下极板的正、反两面各制作三根悬臂梁,去掉上下极板中多余的悬臂梁,将上下极板粘接在一起。
  • 一种mems热式声粒子传感器
  • [发明专利]一种声场增强微结构的MEMS热式声粒子振速传感器及方法-CN201910044032.4有效
  • 李哲;常文涵;孙守乐;高成臣;郝一龙 - 北京大学
  • 2019-01-17 - 2020-05-05 - G01H11/06
  • 本发明公开了一种声场增强微结构的MEMS热式声粒子振速传感器及方法。本发明采用片上集成的声场自增强通孔,在利用MEMS工艺加工加热测温横梁时同时完成声场自增强通孔的加工,无需使用宏观机械加工手段设计声场增强的封装结构,封装尺寸大幅缩小,拓宽了该传感器的应用范围;由于加热测温横梁与声场自增强通孔均由MEMS工艺统一加工,MEMS工艺具有极高的加工精度,因此该方法避免了传统传感器装配过程中,利用MEMS工艺制备的芯片与利用机械加工手段制备的封装结构之间的装配误差问题;由于本发明制造的传感器具有较小的尺寸,对待测声场的反射与散射很小,不会造成待测声场的畸变,实现单点精确测量。
  • 一种声场增强微结构mems热式声粒子传感器方法
  • [发明专利]一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构-CN201610117877.8有效
  • 王茂俊;刘少飞;陶明;郝一龙 - 北京大学
  • 2016-03-03 - 2019-12-13 - H01L29/778
  • 本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结构形成二维电子气导电沟道,通过刻蚀掉栅极区域下方的钝化层和本征AlGaN层来实现增强型GaNMOS。本发明通过注入Mg离子,在源端形成的P型层与GaN缓冲层相连,该P型层可以在短时间内向GaN缓冲层提供大量空穴,缩短器件由关态到开态时GaN缓冲层的恢复时间,由此导通电阻大大减小。本发明有效地减小了GaN缓冲层缺陷所引起的电流坍塌,提高了器件开关速度,显著优化GaN功率器件的电学性能。
  • 一种减小gan功率开关器件电流坍塌结构

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