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[发明专利]一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置-CN202310839649.1在审
发明人：王小周;李梅溶;张梦龙;韩理想;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及气体均匀设备技术领域，具体公开了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：均流盒、均流板、均流孔、进气室、均流框、均流进气孔、分流腔一、通孔、分散孔、分流腔二、均流出气孔和出气室；本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比；在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，经过进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。
一种改善工艺气体气流均匀方法装置

[发明专利]一种碳化硅外延炉载盘气浮装置-CN202310873815.X在审
发明人：王小周;汤赛君;韩理想;张梦龙;李京波;郑筌升;雷剑鹏;李梅溶 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属外延炉载盘气浮装置技术领域，提供了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置，包括炉腔，炉腔内部设置有圆形基座，还包括转动安装在圆形基座上表面的圆形载盘，在圆形基座外表面设置有氢气进气口，在圆形基座上表面均匀设置有若干通气孔，若干通气孔对称分布且距离圆形基座中心距离相等，炉腔一侧设置有工艺进气口。本发明通过碳化硅外延生长炉为石墨构件，但是高温下充入的氢气会对石墨产生刻蚀，容易给碳化硅外延生长带来大量缺陷，因此需要将各个部件的外表面涂覆碳化钽涂层，避免高温下氢气对石墨进行刻蚀，影响碳化硅外延生长以及影响炉体及其各部件的使用寿命，同时能够降低石墨粉的析出而导致的腔室颗粒污染问题。
一种碳化硅外延炉载盘气浮装置

[发明专利]一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置-CN202310871184.8在审
发明人：张梦龙;韩理想;郑筌升;王小周;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅外延炉气源进气技术领域，提供了一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置，包括进气槽，进气槽后侧固定连通有混合槽，进气槽内部均匀固定安装有若干第一遮挡板，混合槽内部均匀固定安装有若干第二遮挡板以及若干第三遮挡板；本发明通过在进气槽内部安装有若干第一遮挡板，若干第一遮挡板能够减缓各路工艺气体流速，从而提高混合度，再进入混合槽内，混合槽内部设置有若干第二遮挡板以及第三遮挡板，从而进一步对工艺气体进行混合，第二遮挡板以及第三遮挡板减缓工艺气体进入分流槽速度，提高工艺气体在混合槽中停留的时间，继而提高工艺气体的混合均匀度，从而提高碳化硅外延生长的质量。
一种提高碳化硅外延炉气源均匀过渡装置

[发明专利]一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法-CN202310839721.0在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N‑SiC缓冲层，厚度0.3～1.5μm；沉积U‑SiC外延层，厚度10μm～15μm；本发明通过改变氮气旁路和主路的气体流量比例可以在提升掺杂浓度均匀性，且简便易操作，生产成本较低，不会破坏晶体质量，保障制备出浓度均匀，质量较好的碳化硅外延片。
一种改善 sic 外延浓度均匀制备方法

[发明专利]一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法-CN202310859106.6在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及SiC晶圆领域，具体公开了一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法，具体包括以下步骤：S1、将Si源与C源放在反应腔室的Si面4H碳化硅衬底上，进行反应生成4H‑SiC外延层，同时充入N2作为N型掺杂气源；S2、调整工艺气源以及进气端的主旁路气体流量值进行外延生长实验；S3、根据外延层厚度均匀性和载流子浓度均匀性确定合适的Si源与C源生产比值；本发明通过调整晶圆生产中外延生长时的主旁路工艺气体比例，同时改变反应时C/Si比等生长条件参数，实现对4H‑SiC外延层的质量控制，提高厚度和掺杂均匀性，以此制备具有高质量外延层的晶圆。
一种提升 sic 外延厚度载流子浓度均匀方法

[实用新型]一种可移动加热的原子层沉积设备-CN202320917265.2有效
发明人：李京波;张梦龙;王小周;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种可移动加热的原子层沉积设备，包括：机架、工艺管以及加热装置；机架上形成有安装座，安装座用于安装工艺管；工艺管内部形成有工艺腔，工艺腔用于放置原子层沉积的晶圆并给原子层沉积提供反应空间，工艺管架设在安装座上；加热装置包括加热箱本体，加热箱本体外套在工艺管上，加热箱本体沿工艺管长度方向滑动安装在机架上，加热箱本体用于对工艺管及工艺腔内的晶圆进行加热。本设备可辅助工艺腔内的温度快速升降，以满足腔内高温退火要求；当需要退火时，移动加热装置至工艺腔放置原子层沉积晶圆的对应位置，可辅助完成工艺腔内热退火工艺，退火结束后，沿工艺管移动加热装置，可实现工艺腔及退火后的快速降温，以节省时间成本。
一种移动加热原子沉积设备

[发明专利]一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法-CN202310859127.8在审
发明人：王小周;张梦龙;韩理想;郑筌升;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体公开了一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法，包括：沉淀薄膜、旋涂正光刻胶、刻蚀、去除光刻胶、去除残余SiO2、旋涂负光刻胶、电极蒸镀、退火和蒸镀；本发明中PIN二极管通过复合同质外延制备材料，可避免由离子注入或物理气相沉积导致的晶格损伤和污染；P型SiC复合接触电极结构可通过短时间(3min以内)，低温(700‑850℃)快速退火实现欧姆接触，降低生产成本；PIN二极管外延层总厚度为6μm，可在2.5V左右达到1A的开启电流，且在3.5V左右达到36A的大电流，同时在650V正向电压下，漏电流仍在30nA以内，具有良好的耐压能力。
一种基于碳化硅同质外延 pin 二极管及其制备方法

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