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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一维管状In2-CN202310616919.2在审
发明人：孟苏刚;李丽;郑秀珍;张素娟;陈士夫 -专利权人：淮北师范大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一维管状In2O3/ZnIn2S4复合材料的合成方法及其光催化还原CO2的应用，是以In‑MIF‑68为模板，先煅烧得到中空的In2O3微米管，再经低温水热法在In2O3表面原位生长片状结构ZnIn2S4。本发明的合成方法简便且反应条件温和，通过本发明方法所获得的中空的In2O3/ZnIn2S4微米管具有明显的催化活性，可用于芳香醇氧化耦合CO2还原的反应。
管状 in base sub

[发明专利]S掺杂缺陷态固溶体的制备方法及在光催化固氮反应中的应用-CN202211025628.8有效
发明人： 郑秀珍;陈士夫;潘丽丽;张素娟;孟苏刚 -专利权人：淮北师范大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了S掺杂缺陷态固溶体的制备方法及在光催化固氮反应中的应用，是以水合硫酸锰MnSO4·H2O、水合硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O或水合硝酸铟In(NO3)3·yH2O和硫代乙酰胺CH3CSNH2作为原料，经一步水热反应获得S掺杂MnxZn1‑xS缺陷态固溶体或S掺杂MnxIn1‑xS缺陷态固溶体。本发明所制备的S掺杂缺陷态固溶体作为光催化剂在可见光光催化固氮反应中显示了优异的光催化合成氨活性。
掺杂缺陷固溶体制备方法光催化固氮反应中的应用

[发明专利]壳核结构Co2-CN202310616938.5在审
发明人： 郑秀珍;杨阳;孟苏刚;任伟;陈士夫 -专利权人：淮北师范大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了壳核结构Co2P/CdxZn1‑xS微米球的合成方法及其光催化产氢应用，是以CdxZn1‑xS为核，采用自组装的方法将Co2P负载到CdxZn1‑xS的表面。本发明在CdxZn1‑xS催化剂表面构筑了Co2P保护层，借助Co2P层的助催化作用和Co2P与CdxZn1‑xS的静电作用，Co2P/CdxZn1‑xS微米球展现出较Pt/CdxZn1‑xS更好的光催化分解水活性和抗光腐蚀性能，催化剂的电荷分离效率也得以增强。
结构 co base sub

[外观设计]陶杯（仿古上山文化）-CN202230304164.9有效
发明人： 郑秀珍 -专利权人：浙江浦江上山稻源建设有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：陶杯（仿古上山文化）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰或作为容器使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
陶杯仿古上山文化

[外观设计]茶壶（仿古上山文化）-CN202230302217.3有效
发明人： 郑秀珍 -专利权人：浙江浦江上山稻源建设有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶壶（仿古上山文化）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰或作为盛装液体使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
茶壶仿古上山文化

[发明专利]集成电路器件-CN202210471876.9在审
发明人：李商文;金真范;金孝珍;南勇准;郑秀珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202210253468.6在审
发明人： 郑秀珍;金真范;金茶惠;张仁圭;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；源极/漏极图案，位于有源图案上；沟道图案，位于有源图案上，连接到源极/漏极图案，并且包括堆叠的半导体图案；栅电极，在第一方向上延伸并与沟道图案叠置；以及栅极绝缘层，位于栅电极与沟道图案之间。源极/漏极图案包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括中心部分和边缘部分，中心部分包括与栅极绝缘层接触的第二外侧表面，边缘部分与中心部分的一侧相邻并且包括与栅极绝缘层接触的第一外侧表面。与第一外侧表面相比，第二外侧表面进一步朝向第二半导体层凹陷。
半导体装置

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202210127203.1在审
发明人：金周镒;李侊来;全明河;郑秀珍 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本公开涉及显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：显示面板，具有第一区域、在第一方向上与第一区域间隔开的第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的弯曲区域；偏振层，在显示面板上在第一区域中；以及弯曲保护层，在显示面板上，并且包括在第一方向上与偏振层间隔开的预先形成的弯曲保护层、在偏振层和预先形成的弯曲保护层之间的第一后形成的弯曲保护层、以及与第一后形成的弯曲保护层间隔开的第二后形成的弯曲保护层，其中，预先形成的弯曲保护层插置在第一后形成的弯曲保护层和第二后形成的弯曲保护层之间。
显示设备及其制造方法

[发明专利]不同形貌锌镉硫纳米材料的合成方法及其光催化产氢应用-CN202211025650.2在审
发明人： 郑秀珍;杨阳;任伟;付先亮;孟苏刚 -专利权人：淮北师范大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了不同形貌锌镉硫纳米材料的合成方法及其光催化产氢应用，是以四水硝酸镉、二水醋酸锌和硫源为原料，以去离子水或去离子水与二乙烯三胺的混合液为溶剂，通过控制硫源类型、溶剂类型和/或各原料加入顺序，经水热反应获得不同形貌的ZnxCd1‑xS纳米材料。本发明的合成方法简便、反应条件温和、产率高，通过本发明方法所获得的ZnxCd1‑xS纳米材料的形貌特征丰富多样，具有明显的催化活性，可用于在不同溶剂(如H2O、Na2S/Na2SO3、甲酸、乳酸和苯甲醇)中的光催化产氢。
不同形貌锌镉硫纳米材料合成方法及其光催化应用

[发明专利]共享用户活动信息的方法及系统-CN201780062556.5有效
发明人：金元谦;梁彰勋;赵庚桓;赵现泰;刘镇于;李星在;金佶度;蔡钟云;金世亨;郑秀珍;朴健杓;宋炳勇;金荣喆;裴周桓;李正燮 -专利权人：纳宝株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： A63F13/85 文献下载
摘要：本发明公开一种共享用户活动信息的方法及系统。共享用户活动信息的方法包括以下步骤：通过在电子设备中执行的应用程序，接收第一服务和第二服务中的某一个服务中发生的用户活动历史；针对所述电子设备的用户，映射并存储所述第一服务中的账号信息和所述第二服务中的账号信息以及所述用户活动历史；以及将有关所述用户活动历史的信息或者与所述用户活动历史相应的事件传递到所述应用程序，以将与所述用户活动历史相应的事件通过所述第一服务和所述第二服务中的另一个服务提供给所述用户。
共享用户活动信息方法系统

[发明专利]窗构件-CN201811619145.4有效
发明人：李东洙;任玟赫;闵明安;郑秀珍 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及窗构件，该窗构件包括窗、前部保护膜、第一保护膜、第二保护膜、盖和帽，其中，窗包括第一孔、第二孔以及在第一孔和第二孔之间的第三孔；前部保护膜设置在窗的前表面上，所述前部保护膜覆盖第一孔、第二孔和第三孔；第一保护膜设置在窗的后表面上，所述第一保护膜覆盖第一孔；第二保护膜设置在窗的后表面上，所述第二保护膜覆盖第二孔；盖设置在窗的后表面上并且插入第三孔中，盖包括多个孔；帽设置在窗的后表面上并且设置在第一保护膜、第二保护膜和盖上。
构件

[发明专利]半导体器件-CN202111544172.1在审
发明人：金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202111391234.X在审
发明人：金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源区上；栅极结构，在第二方向上延伸；以及源区/漏区，设置在有源区上，并且连接到多个沟道层中的每个，其中，源区/漏区包括：第一外延层，具有下端部分和沿着多个沟道层的侧表面连续延伸的侧壁部分，并且第一外延层掺杂有第一杂质；以及第二外延层，在第一外延层上，具有与第一外延层的成分不同的成分，并且掺杂有第二杂质，其中，第一杂质在第一外延层的成分中的扩散率低于第二杂质在第一外延层的成分中将具有的扩散率。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件-CN202111256976.1在审
发明人： 郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸的鳍型有源区。纳米片在垂直方向上与鳍型有源区的鳍顶表面分开。内绝缘间隔物位于衬底与纳米片之间。栅极线包括主栅极部分和子栅极部分。主栅极部分在纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸。子栅极部分一体地连接至主栅极部分，并且位于衬底与纳米片之间。源极/漏极区与内绝缘间隔物和纳米片接触。源极/漏极区包括单晶半导体主体和从内绝缘间隔物穿过单晶半导体主体线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202111464731.8在审
发明人： 郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。半导体装置包括：有源图案，其包括下图案和多个片状图案，多个片状图案在第一方向上与下图案间隔开；源极/漏极图案，其位于下图案上，并且接触多个片状图案；以及栅极结构，其位于源极/漏极图案在与第一方向不同的第二方向上的相对侧上，栅极结构包括多个片状图案上的栅电极，其中，源极/漏极图案具有包括半导体材料的外延区和在外延区内并且由半导体材料包围的空腔区。
半导体装置

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