专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高阻值多晶硅电阻的制造方法-CN202310582848.9在审
  • 郑书红;王乐平 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-08 - H01L23/64
  • 本发明提供一种高阻值多晶硅电阻的制造方法,包括提供半导体衬底,该半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区,在半导体衬底的多晶硅高阻区内形成高阻值多晶硅;在半导体衬底表面沉积牺牲氧化层;刻蚀去除NMOS区内预定形成源/漏区的区域表面的牺牲氧化层,然后进行离子注入;采用低功率过刻工艺去除剩余的牺牲氧化层;在半导体衬底表面沉积应力刻蚀阻挡层,并进行应力调整。本发明在高阻值多晶硅形成时,通过减少高阻值多晶硅表面的损伤,同时调整应力,获得了电阻均匀性极好的高阻值多晶硅,解决了高阻值多晶硅电阻面内波动较大的问题,改善了高阻值多晶硅电阻的均匀性,提高了器件良率。
  • 一种阻值多晶电阻制造方法
  • [发明专利]一种提高MTP编程能力的工艺方法-CN202210998952.1在审
  • 王乐平;隋建国;郑书红;尤鸿朴;康轶瑶 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-12-02 - H01L21/8246
  • 本发明提供一种提高MTP编程能力的工艺方法,包括:提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底,在衬底表面形成栅极;采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域,对MTP单元区域进行离子注入,形成MTP注入区和MTP源漏区,去除第一掩膜层;在所述栅极的两侧形成侧墙;采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域,对NMOS区域进行离子注入,形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。本发明的工艺方法仅采用了两次掩膜,进行两次光刻,使工艺流程相对简化,成本降低,并且在LDD斜打注入时对MTP单元区域进行了掩膜保护,避免LDD斜打注入对MTP单元编程能力的影响,保证MTP单元的编程能力在较高水平。
  • 一种提高mtp编程能力工艺方法
  • [发明专利]一种碲掺杂氧还原催化剂及其制备方法-CN202110769806.7有效
  • 张锐明;王锐;夏雁楠;郑书红;谭洪云 - 广东省武理工氢能产业技术研究院
  • 2021-07-06 - 2022-04-01 - H01M4/90
  • 本发明涉及一种碲掺杂氧还原催化剂及其制备方法,其中,碲掺杂氧还原催化剂碲掺杂氧还原催化剂是由Fe‑N‑C纳米颗粒结构复合Te元素组成。这样,在整个氧还原催化剂结构中,Fe‑N‑C作为常见的氧还原催化活性位点,而掺Te后多孔纳米颗粒出现更小的尺寸,同时能帮助捕获更多的N元素和更大比例的吡啶氮,促进电子传导和氧还原活性。上述碲掺杂氧还原催化剂的制备原理为:以DMF溶液和THF溶液形成的胶束为结构导向剂,Te纳米线作为Te源、多巴胺和氯化血红素在两相胶束界面聚合组装,经惰性气氛下热解得到。经额外Te掺杂后,不改变原有的多孔纳米颗粒结构,尺寸较为均一,而且提高最终样品中N元素的含量和其中吡啶N的占比,提升材料的氧还原催化活性。
  • 一种掺杂还原催化剂及其制备方法
  • [发明专利]OTP存储单元的制作方法及OTP存储单元结构-CN202111151603.8在审
  • 王乐平;郑书红;尤鸿朴 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-02-15 - H01L27/112
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及OTP存储单元的制作方法及OTP存储单元结构。OTP存储单元的制作方法包括以下步骤:提供半导体基底,半导体基底上包括OTP区和其他区域,OTP区位置处的半导体基底上形成有选择栅和浮栅;制作金属硅化物阻挡层,通过光刻工艺使得金属硅化物阻挡层覆盖在其他区域上;沉积BPSG层,使得BPSG层覆盖OTP区的选择栅、浮栅和外露的半导体基底表面上,以及其他区域的金属硅化物阻挡层表面上;通过热回流工艺,使得BPSG层进行回流平坦化;对回流平坦化后的BPSG层进行湿法清洗;制作TEOS层,使得TEOS层覆盖再BPSG层上。本申请提供的一种OTP存储单元的制作方法,可以解决相关技术中对金属硅化物阻挡层的光刻工艺要求高,难度大的问题。
  • otp存储单元制作方法结构

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