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[发明专利]一种稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃及其制备方法和应用-CN202310144839.1在审
发明人： 郑丽和;杨洁;曾一明;韩娇;吴鑫昌;赵建斌;卢海锋 -专利权人：云南大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C03C3/068 文献下载
摘要：本发明属于激光玻璃技术领域，具体涉及一种稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃及其制备方法和应用。本发明所用稀土离子的4f电子在f‑f组态之内或f‑d组态之间跃迁，通过调整稀土离子的种类可产生从紫外光、可见光到红外光范围的各种波长的电磁辐射，使硼硅酸盐玻璃具有较宽的吸收与发射带宽和较高的荧光光谱强度。含硼氧化物和二氧化硅可构成具有高机械性能、透光性能、表面平整度和荧光性能的网络状阴离子基团。二价金属化合物能降低玻璃熔点，且具有碱性及较高的SiO2溶解能力，能调整玻璃的物理化学性质，得到机械性能稳定、光学均匀性与透过率高、吸收与发射带宽较宽和荧光光谱强度较高的稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃。
一种稀土离子掺杂硅酸盐激光玻璃及其制备方法应用

[发明专利]稀土离子掺杂氟化物晶体的应用-CN202211570886.4在审
发明人： 郑丽和;吴敏;赵建斌;杨洁;吴鑫昌;闫育辉 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供了稀土离子掺杂碱土金属氟化物晶体的应用，所述应用包括在固态激光器、激光成像、环境探测、卫星制导、信息存储或水下探测中的应用；所述稀土离子掺杂碱土金属氟化物包括基质晶体和掺杂在所述基质晶体的阳离子晶格处的镝离子或Dy/RE共掺杂离子，所述RE包括Tm、Pr和Sm中的至少一种；所述基质晶体包括氟化钙锶或氟化钡晶体。本发明采用的晶体的声子能量低，荧光量子效率高，钙的引入提高了晶体的稳定性；Dy/RE共掺杂可提高能级转移。本发明采用的晶体的吸收波长范围位于250～600nm，基于紫外光或蓝光激发，可获得涵盖紫色到橙黄色波长范围的宽发射光谱，是可用于半导体激光直接泵浦的理想工作物质。
稀土离子掺杂氟化物晶体应用

[发明专利]一种键合设备及键合方法-CN202210228293.3有效
发明人： 郑丽和;赵建斌;杨洁 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B32B37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种键合设备和键合方法，涉及键合设备技术领域，键合设备包括：供给片传输系统、键合片传输系统、键合系统和表面活化系统；供给片传输系统用于向键合系统内传输供给片，键合片传输系统用于向键合系统内传输键合片；表面活化系统通过高能光源对供给片和键合片的待键合面进行表面活化处理；键合系统用于将经过活化的键合片键合于经过活化的供给片上并形成半成品片或成品片；表面活化系统还能够通过高能光源对半成品片的待键合面进行活化，键合系统还用于将经过活化的键合片键合于经过活化的半成品片上。本发明提供的方案适用于需多层键合完成的复合材料，制备周期短、效率高且便于对热膨胀系数差异较大的材料进行键合。
一种设备方法

[发明专利]一种异质复合激光材料及其制备方法和应用-CN202210229985.X在审
发明人： 郑丽和;杨洁;赵建斌 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质复合激光材料及其制备方法和应用，属于激光材料技术领域。本发明所述异质复合激光材料中，交替层叠的激光增益介质层和散热介质层相互交替键合，具有多层三明治结构，散热介质层交错置于激光增益介质层之间，形成内置高散热结构(即散热介质层)，每层激光增益介质层两端直接接触散热介质层，通过设计激光增益介质层极高的径厚比，使得激光增益介质的散热效果与薄片激光器中激光增益介质的散热性能接近，得到高散热激光复合材料，从而有效解决激光增益腔中由于热效应引起的光束质量降低、输出功率受限等问题，可用于高功率和高能量激光技术领域。
一种复合激光材料及其制备方法应用

[发明专利]光学元件的制造方法及光学元件-CN202080044213.8在审
发明人：平等拓范;考萨斯·阿维达斯;郑丽和 -专利权人：大学共同利用机关法人自然科学研究机构
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本发明的光学元件的制造方法是制造激光透过、往返或反射的光学元件的方法，其具备：第一步骤，得到接合元件，该接合元件是使相对于激光透明的第一元件部以及第二元件部经由非晶质层进行表面活性接合而成；以及第二步骤，在第一步骤之后，通过使接合元件升温而使非晶质层的至少一部分结晶化。在第二步骤中，将接合元件升温至比第一元件部以及第二元件部的熔点低的规定温度。
光学元件制造方法

[发明专利]激光加工装置及激光加工方法-CN202080014132.3在审
发明人：平等拓范;佐野雄二;郑丽和;林桓弘 -专利权人：大学共同利用机关法人自然科学研究机构
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B23K26/356 文献下载
摘要：一个实施方式所涉及的激光加工装置是用于通过在被加工物的加工区域经由液体照射脉冲激光，对加工区域进行激光喷丸处理或激光成型处理的激光加工装置，具备：激光照射部，其具有输出脉冲激光的激光振荡器；和容纳部，其具有在加工区域喷射液体的喷射口，容纳激光照射部，脉冲激光的脉冲宽度为200ps～2ns，自激光振荡器输出的脉冲激光，通过自喷射口喷射的液体内而照射于加工区域。
激光加工装置方法

[发明专利]激光装置及其制造方法-CN201710432972.1在审
发明人：平等拓范;阿尔维达斯·考萨斯;郑丽和;文森特·叶海亚;安原亮 -专利权人：大学共同利用机关法人自然科学研究机构
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种激光装置及其制造方法，开发出一种在激光介质的端面接合透明传热构件时，两者间的热阻低且不对激光介质作用大的热应力的技术。在激光介质的端面形成反射特性调整膜，在该反射特性调整膜的表面形成与传热构件材质相同的层，将材质相同的层的表面和传热构件的端面在大致真空中进行活化，使活化后的面彼此在大致真空中接触。得到激光介质与传热构件之间的热阻低且不对激光介质作用大的热应力的激光装置。
激光装置及其制造方法

[发明专利]稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法-CN201210114614.3有效
发明人：王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法，其化学式为RE3+:PbClF，其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。
稀土离子掺杂氯化激光基质晶体及其制备方法

[发明专利]一种可控还原气氛泡生炉-CN201110449563.5有效
发明人：邹宇琦;徐军;姜大鹏;李红军;苏良碧;郑丽和;唐慧丽;徐晓东;钱小波 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控还原气氛泡生炉，所述泡生炉包括软件控制系统、电控系统、提拉系统、压力平衡系统、断电保护系统、冷却系统、旋转称重系统、真空充气炉室和温场系统，其特征在于：还包括一套低真空压力平衡系统。本发明通过引入低真空压力平衡系统，对传统泡生法设备的真空系统、控制系统、温场系统和保护系统重新整合，可以实现晶体生长与退火一次完成，可有效解决热交换法和温梯法存在的碳元素和钼元素的污染问题，而且可避免在晶体生长过程中由外界带来的碳污染问题；利用本发明提供的可控还原气氛泡生炉，可生长大尺寸的光学级蓝宝石或钛宝石晶体，以满足国内外高功率激光器在军事及民用方面的需求。
一种可控还原气氛泡生炉

[发明专利]一种钕离子掺杂氟化物激光晶体-CN201210090797.X无效
发明人：苏良碧;李红军;徐军;王庆国;郑丽和;钱国兴;姜大朋;唐慧丽 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钕离子掺杂氟化物激光晶体，所述氟化物激光晶体-MeF2中还掺杂有与所述钕离子Nd3+共掺的一价态阳离子M+。本发明在Nd:MeF2晶体中通过共掺一价态的阳离子M+，在保持其宽带发射光谱特性的前提下，降低Nd离子的荧光猝灭效应，提高荧光寿命。
一种离子掺杂氟化物激光晶体

[发明专利]一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用-CN201110350989.5有效
发明人：徐军;郑丽和;王庆国;苏良碧;李红军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用。所述的晶体材料具有如下通式：(ScxY1-x)2SiO5，其中0＜x＜1。该晶体材料的制备包括如下步骤：首先按照化学计量比称取各组分，混合均匀并压制成型，然后进行煅烧；再采用提拉法进行晶体生长。本发明提供的激光基质晶体材料具有负折射率温度系数，能够有效解决现有的激光基质晶体材料存在的热透镜效应的缺陷问题，而且具有优良的热力学性能，可应用于制备激光二极管或泵浦的波长可调谐或超短脉冲的全固态激光器；另外，本发明的制备方法简单，制备周期短，使用的原料价廉易得，且无需特殊设备，适合规模化生产，具有工业应用价值。
一种激光基质晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法-CN200810039798.5无效
发明人：徐军;苏良碧;郑丽和 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法，化学式为：Nd_2xSc_2(1-x)SiO₅，其中0＜x≤0.06。本发明按化学式称取纯度高于99.99％的Nd₂O₃、Sc₂O₃、SiO₂原料；将原料混合均匀，压成料块在高于1200℃的温度下烧结24小时以上；将烧好的料块装进坩埚，加热直至使其完全熔化；采用硅酸钪晶体作籽晶进行提拉法生长得到。本发明晶体属C2/c空间群，密度为3.5g/cm³。光谱计算表明在808nm处有强的吸收峰，吸收系数为1.28cm^-1，半峰宽为7nm，吸收截面为7.48×10^-21cm²，适合于激光二极管(LD)泵浦。另外，在波长1060nm有强的荧光发射，发射截面为5.88×10^-19cm²，半峰宽4nm；波长1080nm处的发射截面为8.32×10^-19cm²。本发明热力学性能良好，用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学等诸多领域中。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法-CN200810039799.X无效
发明人：徐军;郑丽和;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光晶体，具体涉及一种大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体，其化学式为Yb_xSc_1－x)₂SiO₅，其中0.001≤x≤0.2，属于单斜C_2/c空间群结构，稀土阳离子Sc³⁺占据两个结晶学格位。掺杂离子Yb³⁺将取代Sc³⁺所占据的格位，使其吸收和发射峰非均匀加宽，有利于实现宽带可调谐发射。Yb:SSO晶体在1004nm、1036nm和1062nm处具有较高的发射截面(约为2.5－4.5×10^－20cm²)，可以在上述三个激光波长处产生激光振荡。本发明晶体有较大尺寸、晶体光学质量高，及具有高热导率、宽发射谱带和双格位特点，可以应用于低阈值宽调谐超快激光技术领域中。
尺寸硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]掺镱焦硅酸镥激光晶体及其制备方法-CN200610027760.7无效
发明人：赵广军;徐军;郑丽和;严成锋;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种掺镱焦硅酸镥激光晶体，该晶体的分子式为：(Yb_xLu_1－x)₂Si₂O₇，其中x的取值范围为0.001≤x≤0.5。该晶体的制备方法，包括下列步骤：<1>按掺镱焦硅酸镥激光晶体的分子式(Yb_xLu_1－x)₂Si₂O₇并在0.001≤x≤0.5中选定x值，称取Yb₂O₃，Lu₂O₃和SiO₂原料，<2>将所称取的各组分原料充分混合成均匀的混合粉料；<3>将所述的混合原料，在1－5Gpa的压力下压成圆柱状的料饼，在1400℃－1600℃的温度下进行烧结15－30小时，形成料块；<4>将烧好的料块装进Ir金坩埚内并置于炉膛中，采用中频感应加热Ir坩埚内的原料使其完全熔化；<5>采用a轴或b轴的掺铈焦硅酸镥晶体作籽晶，在掺镱焦硅酸镥晶体的熔点下，进行提拉法生长，经过下种、缩径、放肩、等径、收尾，降温等程序后，生长结束。
掺镱焦硅酸激光晶体及其制备方法

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