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[发明专利]掘进机刀具、刀盘及掘进机-CN202310353141.0在审
发明人： 郑中山;卢照昕;胡玉娟;李俊志;陈国庆;马艳丰 -专利权人：中铁工程装备集团有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： E21D9/11 文献下载
摘要：本发明涉及土层或岩层掘进设备领域，特别是涉及到了一种掘进机刀具、刀盘及掘进机。掘进机刀具包括刀座和滚刀，刀座上设有安装槽，滚刀的刀轴的轴颈位于刀座上的安装槽中并通过压块压紧，轴颈通过安装槽底部的刀轴缓冲装置支撑，安装槽的一侧处设有活动压紧体，活动压紧体前端与对应的轴颈之间设有互相贴合的斜面，后端设有弹性支撑件，当轴颈压缩相应的刀轴缓冲装置时，活动压紧体在后端弹性支撑件的推动下前进并压紧轴颈，刀轴缓冲装置的回弹力大于所述弹性支撑件通过所述活动压紧体对轴颈提供的朝向刀轴缓冲装置的分力。刀轴缓冲装置复位过程中，活动压紧体一直起到压紧轴颈的作用，从而可防止刀轴缓冲装置快速回弹所带来的振动。
掘进机刀具

[发明专利]清洁装置的自清洁方法、清洁系统及计算机可读存储介质-CN202110269558.X有效
发明人：王永波;郑中山;崔跃玉 -专利权人：江苏美的清洁电器股份有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： A47L11/282 文献下载
摘要：本发明公开一种清洁装置的自清洁方法、清洁系统及计算机可读存储介质，涉及清洁设备技术领域，用于解决现有清洁装置的自清洁方法中应用的清洁系统占地体积较大，无法适用空间紧凑的工作环境的技术问题。本发明清洁装置的自清洁方法包括：清洁装置向清洁基站的清洁槽内注入清洁液体，以使清洁装置的清洁部件浸入清洁液体中；利用清洁基站上的清洗组件对清洁装置的清洁部件在清洁槽进行清洁。本发明用于对清洁装置进行清洁。
清洁装置方法系统计算机可读存储介质

[发明专利]地刷以及清洁设备-CN202110517093.5有效
发明人：崔跃玉;张金霞;王永波;郑中山;程福萍 -专利权人：江苏美的清洁电器股份有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A47L9/02 文献下载
摘要：本发明属于家用电器技术领域，具体涉及一种地刷以及清洁设备，包括壳体、驱动机构和第一脚轮，驱动机构连接在壳体上，第一脚轮连接在驱动机构上，驱动机构设置成用于驱动第一脚轮在第一状态和第二状态之间切换，以改变地刷的移动方向，其中，呈第一状态时，地刷在第一方向内移动，呈第二状态时，地刷在第二方向内移动，第一方向与第二方向之间设置有夹角。根据本发明的地刷，地刷根据第一脚轮的状态转换能够改变移动方向，增加了清洁设备在移动过程中的灵活性，尽可能减小地刷与待清洁表面之间的摩擦力以保护地刷和待清洁表面。用户也无需将清洁设备完全提起后再变更移动方向，减轻了用户的清洁负担，提高了用户体验，能够适应不同的清洁场景。
以及清洁设备

[发明专利]掘进机械-CN202310393828.7在审
发明人：白中坤;毕程程;张漫宇;李洋;李俊志;陈国庆;郑中山;卢照昕 -专利权人：中铁工程装备集团有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： E21D9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种掘进机械。掘进机械包括盾体、刀盘和多个链锯结构。刀盘可转动地设置在盾体上。多个链锯结构设置在盾体的掘进端且在盾体的周向边缘上依次连接以形成覆盖盾体的周向边缘的环形链锯。环形链锯被配置为沿盾体的周向边缘移动以对掌子面超前开挖。本发明的环形链锯对掌子面进行超前开挖，预先将掌子面与周边岩土体分离，后续刀盘开挖时，减少了对地层的扰动。特别对于在掌子面内侵入孤石、桩基、树根等障碍物的地层中应用优势更加明显。本发明实施例的掘进机械采用环形链锯对掌子面的轮廓进行切割，无需超前导洞，进而提高施工效率。
掘进机械

[发明专利]场效应晶体管的单粒子仿真方法、仿真装置及电子设备-CN202111241279.9在审
发明人：张铁馨;刘凡宇;李博;郑中山;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中国长峰机电技术研究设计院
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的单粒子仿真方法，仿真装置及电子设备，其中仿真方法包括：采用选定单粒子对场效应晶体管进行单粒子入射的线性能量传输仿真，获得所述选定单粒子在所述场效应晶体管中的能量沉积数据；根据所述能量沉积数据，进行所述场效应晶体管的单粒子效应仿真，获得所述场效应晶体管的电流分布数据；根据所述电流分布数据，确定所述场效应晶体管的单粒子烧毁行为。上述仿真方法与传统的根据温度进行单粒子烧毁的仿真方案相比，其对单粒子烧毁特性的仿真收敛性更好，从而提高单粒子烧毁的仿真效率，减少仿真计算的资源占用。
场效应晶体管粒子仿真方法装置电子设备

[发明专利]外环式竖井掘进机-CN202211528591.0在审
发明人： 郑中山;贾连辉;孙恒;张家年;卢照昕;程绍磊 -专利权人：中铁工程装备集团有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： E21D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种外环式竖井掘进机，包括轨道基体和至少一个掘进主机，其中，轨道基体沿竖井的周向固定在所述竖井的内壁上，所述轨道基体上设有行走梁和驱动梁；至少一个掘进主机移动地设置在轨道基体上，所述掘进主机具有主机架，所述主机架上设有驱动机构和行走机构，所述驱动机构能与所述驱动梁驱动配合，在所述驱动机构与所述驱动梁驱动配合的状态下，所述行走机构能在所述行走梁上移动地设置。本发明所述的外环式竖井掘进机可以进行大尺寸圆形、矩形、椭圆等异形断面竖井掘进作业，极大地提高了设备的适用范围，安全高效，改善了施工人员工作环境。
外环式竖井掘进机

[发明专利]一种过渡金属硫化物及其制备方法-CN202111089122.9在审
发明人：朱慧平;熊国栋;李博;王磊;郑中山;李梦达 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了过渡金属硫化物TMDs的制备方法，包括：在衬底上制备N层过渡金属硫化物，获得待处理样品；N≥2且为整数；对所述待处理样品进行粒子辐照。上述方法能够提高多层TMDs的发光效率。
一种过渡金属硫化物及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫化物及其制备方法-CN202111089128.6在审
发明人：朱慧平;熊国栋;李博;王磊;郑中山;李梦达 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属硫化物的制备方法，包括：获得衬底，所述衬底包括氧化物层；在所述氧化物层上制备N层过渡金属硫化物，获得待处理样品；N≥2且为整数；对所述待处理样品进行射线辐照。上述方法通过射线辐照在衬底氧化物层与过渡金属硫化物TMDs之间形成内建电场，从而显著增强多层TMDs的发光强度，提高多层TMDs的发光效率。
一种过渡金属硫化物及其制备方法

[发明专利]含铁电材料的双埋氧绝缘体上硅FE-DSOI晶圆的制备方法及FE-DSOI器件-CN202110779069.9在审
发明人：张铁馨;刘凡宇;李博;郑中山;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FE‑DSOI晶圆的制备方法及FE‑DSOI器件，其中所述方法包括：提供多个原始晶圆；采用所述原始晶圆制备得到底层晶圆；在所述底层晶圆的表面沉淀铁电材料，得到含铁电材料的底层晶圆；对所述原始晶圆进行热氧化处理，得到顶层晶圆；对所述顶层晶圆和所述含铁电材料的底层晶圆进行键合及层转移处理，从而得到含铁电材料的双埋氧绝缘体上硅FE‑DSOI晶圆。采用本申请，能解决现有技术中传统DSOI在不持续施加背栅电压时不具备背栅调节能力、无法抑制其阈值电压漂移的技术问题。
含铁电材料双埋氧绝缘体 fe dsoi 制备方法器件

[发明专利]双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆制备方法-CN202110779092.8在审
发明人：刘凡宇;郑中山;张铁馨;李博;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆制备方法，包括：提供多个原始晶圆；采用所述原始晶圆制备获得底层晶圆；对所述底层晶圆进行指定区域P掺杂及金属淀积处理，得到具备PNP结构的中间晶圆；对所述原始晶圆进行热氧化及注氢处理，得到顶层晶圆；采用所述顶层晶圆和所述具备PNP结构的中间晶圆，制备获得具备浮体PNP结构的双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆。采用本申请，能解决现有技术中传统ESD保护需占据片上面积、浪费片上资源的问题。
双埋氧绝缘体 dsoi 制备方法

[发明专利]用于伪MOS表征的DSOI晶圆制备方法-CN202110779115.5在审
发明人：刘凡宇;李博;张铁馨;郑中山;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于伪MOS表征的DSOI晶圆制备方法，所述方法包括：提供多个原始晶圆，分别采用所述原始晶圆制备出对应的底层晶圆和顶层晶圆，采用所述底层晶圆和所述顶层晶圆制备出具备伪MOS表征结构的双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆，对所述具备伪MOS表征结构的DSOI晶圆进行阶梯结构的逐层刻蚀及金属电极刻蚀，从而获得具备多金属电极的用于伪MOS表征的DSOI晶圆。采用本申请，解决了现有技术中基于SOI工艺用于伪MOS表征结构支持表征的界面间特性较少的问题，实现了多界面间的界面特性参数表征。
用于 mos 表征 dsoi 制备方法

[实用新型]毛发梳以及吸尘器-CN202121012795.X有效
发明人：崔跃玉;张金霞;郑中山;王永波;程福萍 -专利权人：江苏美的清洁电器股份有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： A01K13/00 文献下载
摘要：本实用新型属于家用电器技术领域，具体涉及一种毛发梳以及吸尘器，包括梳体组件和至少两种不同规格的针梳附件，梳体组件选择性地与至少两种不同规格的针梳附件中的任一者可拆卸连接。根据本实用新型的毛发梳，用户可以根据被梳理对象的需求选择合适的针梳附件，提高了毛发梳的针对性，进而提升了用户体验。将各部件分解拆卸后，可以对毛发梳进行彻底的清洁，减少污垢的残留。
毛发以及吸尘器

[发明专利]风道组件、吸尘器主机及吸尘器-CN202110285287.7在审
发明人： 郑中山;王永波;崔跃玉;赵斌 -专利权人：江苏美的清洁电器股份有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： A47L9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种风道组件、吸尘器主机及吸尘器，涉及清洁设备技术领域，用于解决现有吸尘器使用时噪声大的技术问题。风道组件包括风道壁，风道壁限定出与负压发生机构连通的螺旋形的出风风道；出风风道内安装有降噪器，降噪器设置有与出风风道连通的谐振腔，谐振腔被配置成用于衰减负压发生机构工作时产生的单频噪声，从而达到降低噪声的目的；且出风风道为螺旋形，以延长气流的流动距离，使得出风风道反射和吸收噪声声波的距离变长，从而消耗噪声能量，达到降低气动噪声的目的。本实施例的风道组件通过两种方式降低噪声。本发明的吸尘器主机和吸尘器设置有风道组件，用于清洁灰尘。
风道组件吸尘器主机

[发明专利]一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置-CN202110250352.2在审
发明人：周润发;李博;宿晓慧;任洪宇;郑中山;卜建辉;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；等效计算MOS器件的前栅闪烁噪声和MOS器件的背栅闪烁噪声；叠加计算获得MOS器件的输出噪声。本发明通过对FDSOI工艺MOS器件进行噪声分析，利用噪声电流源和噪声电压源向理想MOS器件中引入表征噪声的干扰信号，实现了MOS器件的漏极电阻热噪声、沟道热噪声、前栅闪烁噪声和背栅闪烁噪声的模拟计算，从而准确地获得了FDSOI工艺MOS器件的噪声功率。
一种噪声等效计算方法产生电路设计方法装置

[发明专利]一种Si基SiC晶圆及其制备方法-CN202110122523.3在审
发明人：王磊;赵泓达;李博;郑中山;张学文;韩郑生;高见头;滕瑞;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Si基SiC晶圆及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上形成SiO2层；提供第二衬底，在所述第二衬底上形成SiC异质外延层；将所述SiO2层与所述SiC异质外延层连接；将所述第一衬底中除所述SiO2层和目标衬底层之外的区域从所述目标衬底层上剥离，以使剩余的部分形成Si基SiC晶圆，所述目标衬底层为紧靠所述SiO2层且具有预设厚度的硅层，由于本发明中是在SiO2层一侧形成该目标衬底层，使得剩余的硅片从该目标衬底层上完整剥离，不会对SiC异质外延层造成损伤，以使得该SiC异质外延层能够用于制备半导体分立器件，该目标衬底层用于制备集成电路，因此，可以实现Si基集成电路和化合物半导体分立器件的单片集成。
一种 si sic 及其制备方法

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