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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202310043078.0在审
发明人：曹聪;邵迎亚;陈文璟 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构的制备方法，属于半导体制造技术领域，所述方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成牺牲氧化层；对所述衬底进行退火处理，促使所述牺牲氧化层中的间隙氧向所述衬底内部扩散，在所述衬底内部形成体微缺陷区；所述体微缺陷区吸附所述衬底近表面区域的杂质，在所述衬底近表面区域形成洁净区；以及在所述洁净区内形成浅沟槽隔离结构。本发明提供的一种半导体结构的制备方法，能有效改善金属杂质对半导体器件性能的不良影响。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202210292178.2有效
发明人：李淑慧;蔡承佑;邵迎亚;陈文璟 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极的侧壁上依次形成有第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层的表面形成保护层；进行离子注入工艺，以在所述栅极两侧的衬底内分别形成第一离子注入区和第二离子注入区；以及，在所述保护层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层、所述氮化硅层、所述保护层和所述第二氧化层构成所述栅极的侧墙。本发明通过形成覆盖氮化硅层的保护层，减少或避免了多次湿法刻蚀对氮化硅层造成的损伤，从而确保半导体器件的电性稳定，提高了晶圆利用率。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种晶圆的退火方法-CN202010372489.0有效
发明人： 邵迎亚;曲厚任;鲍丙辉 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提出一种晶圆的退火方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个区域，所述多个区域同心设置在所述晶圆上；对所述多个区域进行升温处理，所述升温处理具有多个升温阶段，每个所述升温阶段相应的升温速率不同，其中，所述多个区域在每个所述升温阶段中的温度不同；对所述多个区域进行保温处理；对所述多个区域采用氮气吹冷方式进行降温处理。本发明提出的晶圆的退火方法可以提高晶圆的电性均匀性。
一种退火方法

[发明专利]MIM电容器的制作方法-CN202011206496.X有效
发明人：曲厚任;邵迎亚;刘伯昌 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MIM电容器的制作方法，包括提供前端结构，并在所述前端结构上形成第一电极层，对所述第一电极层采用DSP溶液清洗，然后在所述第一电极层上依次形成电介质层和第二电极层。本发明采用DSP溶液对第一电极层进行清洗，减少第一电极层表面的杂质，提高了器件的可靠性，提升了产品的良率。进一步的，本发明采用DSP溶液对第一电极层进行单片式清洗，能够使稳定地控制第一电极层表面的杂质数量，保证了器件性能的稳定性。
mim 电容器制作方法

[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN202011242906.6在审
发明人： 邵迎亚;周启航;丁笙玹;孔德旺 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，所述MIM电容器的制造方法包括：提供一衬底，形成第一金属层于所述衬底上；采用硅烷和氨气形成至少两层氮化硅层于所述第一金属层上，且形成每层氮化硅层之前均具有一工艺稳定过程；以及，形成第二金属层于顶层的所述氮化硅层上。本发明的技术方案使得MIM电容器的可靠性得到大幅的提升。
mim 电容器及其制造方法

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