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[实用新型]片材用支撑装置以及等离子体设备-CN202320570108.9有效
发明人：朱新华;张晓军;罗敏;邵寿潜 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种片材用支撑装置以及等离子体设备。该片材用支撑装置包括：基台，在载置面上载置呈矩形状的片材；多个支撑件，分别沿垂直于所述载置面的方向穿过所述基台并可突出于所述载置面，并且可分别从所述片材的底部的四周边缘、以与面板的长度方向以及宽度方向的中心线错开的方式支撑所述片材；定位组件，安装到所述基台，从所述片材的四周边缘对所述片材进行定位；所述基台和多个所述支撑件当中，至少其中一者可沿垂直于所述载置面的方向被驱动，以使所述支撑件突出于所述载置面或者相对所述载置面缩回。本实用新型的片材用支撑装置能够可靠地支撑片材并抑制片材的偏移。
片材用支撑装置以及等离子体设备

[发明专利]片材用支撑装置以及等离子体设备-CN202310310174.7在审
发明人：朱新华;张晓军;罗敏;邵寿潜 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开一种片材用支撑装置以及等离子体设备。该片材用支撑装置包括：基台，在载置面上载置呈矩形状的片材；多个支撑件，分别沿垂直于所述载置面的方向穿过所述基台并可突出于所述载置面，并且可分别从所述片材的底部的四周边缘、以与面板的长度方向以及宽度方向的中心线错开的方式支撑所述片材；定位组件，安装到所述基台，从所述片材的四周边缘对所述片材进行定位；所述基台和多个所述支撑件当中，至少其中一者可沿垂直于所述载置面的方向被驱动，以使所述支撑件突出于所述载置面或者相对所述载置面缩回。本发明的片材用支撑装置能够可靠地支撑片材并抑制片材的偏移。
片材用支撑装置以及等离子体设备

[发明专利]对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及封装设备-CN202310227637.3在审
发明人：张晓军;龚文志;杨洪生;邵寿潜;袁明;胡小波;陈志强;方安安;姜鹭 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提出了一种对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及执行该封装方法的封装设备。本发明的对基材表面进行脱气的方法，包括如下步骤：S1、打开脱气腔；S2、往所述脱气腔中送入多片基材；S3、关闭所述脱气腔；S4、在所述脱气腔内同时对多片所述基材进行脱气；S5、打开所述脱气腔；S6、将多片所述基材从所述脱气腔送出。根据本发明第一方面的对基材表面进行脱气的方法，能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。
基材表面进行脱气方法半导体器件封装以及设备

[实用新型]基板位置矫正装置-CN202223406784.7有效
发明人：张晓军;邵寿潜;胡小波;冯琳;张亮;罗敏 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基板位置矫正装置，包括真空腔室、取放片机构、位置检测机构，取放片机构包括升降组件、平移组件及转移载具，位置检测机构包括沿排布方向间隔设置的第一位置感应元件与第二位置感应元件，第一位置感应元件与第二位置感应元件分别用于检测基板在排布方向上的两个相对的侧边。本实用新型在基板取放过程中，若只有第一位置感应元件或第二位置感应元件感应到基板的侧边，取放片机构带动基板朝向未感应到基板的感应元件移动，直至第一位置感应元件与第二位置感应元件均感应到基板侧边时停止，实现对基板位置的检测以及自动矫正，提高基板取放过程中的位置精准度，避免基板在工艺过程中破片。
位置矫正装置

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN202211665192.9在审
发明人：张晓军;邵寿潜;李永杰;朱新华 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于等离子体处理技术领域，公开一种等离子体处理装置，包括腔体、第一电极及第二电极，第一电极与第二电极相对设置在腔体内；第一电极由内向外依次分割为第一分割电极、环形的第二分割电极以及第三分割电极，第三分割电极分为多个边缘分割电极，第一分割电极、第二分割电极及多个边缘分割电极彼此绝缘且通过阻抗调整部与接地端或射频电源连接，第一分割电极、第二分割电极及多个边缘分割电极靠近第二电极的一面上均设有预定深度的孔位或/和凹槽。本发明通过在分割后的电极上开设孔位或/和凹槽，减缓电极分割后电压的升高趋势，从而减弱带电离子对分割后电极的轰击，避免过强的离子轰击会对分割后的电极表面造成损伤。
一种等离子体处理装置

[发明专利]一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法-CN202211698030.5在审
发明人：张晓军;龚文志;杨洪生;邵寿潜;胡小波;夏慧 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。半导体加工装置包括第一、第二加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。本申请提高了膜层沉积的质量，提升半导体产品的生产效率。
一种双枚叶式半导体加工装置方法

[实用新型]支撑装置-CN202223529938.1有效
发明人：张晓军;邵寿潜;夏慧;罗敏 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种支撑装置，包括：基台，具有凹槽；支撑针，沿竖直方向，所述支撑针能够相对于所述基台升降，以使所述支撑针在支撑位置和初始位置之间切换，所述支撑针位于所述初始位置时，所述支撑针设置于所述凹槽中，且所述支撑针的顶端的端面高于所述基台的端面；其中，所述支撑针的至少部分由导电橡胶制成，所述导电橡胶具有弹性，基板放置于所述基台上时，所述支撑针抵持于所述基板，所述支撑针的顶端的端面与所述基台的端面齐平本实用新型的支撑装置，能够有效避免在支撑台上形成高阻抗区域，从而影响基板的成品效果。
支撑装置

[发明专利]支撑装置-CN202211663288.1在审
发明人：张晓军;邵寿潜;夏慧;罗敏 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种支撑装置，包括：基台，具有凹槽；支撑针，沿竖直方向，所述支撑针能够相对于所述基台升降，以使所述支撑针在支撑位置和初始位置之间切换，所述支撑针位于所述初始位置时，所述支撑针设置于所述凹槽中，且所述支撑针的顶端的端面高于所述基台的端面；其中，所述支撑针的至少部分由导电橡胶制成，所述导电橡胶具有弹性，基板放置于所述基台上时，所述支撑针抵持于所述基板，所述支撑针的顶端的端面与所述基台的端面齐平本发明的支撑装置，能够有效避免在支撑台上形成高阻抗区域，从而影响基板的成品效果。
支撑装置

[发明专利]用于均匀流量分布和有效净化的气流引导件设计-CN201980044401.8有效
发明人：高建德;杰弗里·A·霍;芮祥新;周建华;栗田真一;邵寿潜;孙光伟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
用于均匀流量分布有效净化气流引导设计

[发明专利]进行调谐以改善等离子稳定性的方法-CN201980099804.2在审
发明人： 邵寿潜;周建华;袁泰京 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。
进行调谐改善等离子稳定性方法

[发明专利]测试真空系统漏气的方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111328529.2在审
发明人：张晓军;陈志强;方安安;姜鹭;杨洪生;邵寿潜;柯常 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本申请属于真空系统密封性测试技术领域，本申请提供了一种测试真空系统漏气的方法、装置、电子设备及存储介质。该方法用于对真空系统是否漏气进行测试，方法包括以下步骤：获取真空系统放入工件后，从开始抽气至达到预定压力所需的时间，并记录为第一时间；根据第一时间与预设时间判断真空系统是否漏气；其中，预设时间为真空系统放入工件前，从开始抽气至达到预定压力所需的时间。本申请可以对真空系统是否漏气进行测试，当真空系统漏气时，及时提醒使用者进行维护，避免真空系统漏气影响制备出的工件的质量，从而提高良品率。
测试真空系统漏气方法装置电子设备存储介质

[发明专利]接地带组件-CN201980094654.6在审
发明人： 邵寿潜;苏宗辉;赵来;周建华;彭菲 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。
接地组件

[发明专利]用于吸附用于沉积工艺的掩模的基板支撑件-CN202080012402.7在审
发明人：陈志坚;桑杰伊·D·雅达夫;元泰景;李军;邵寿潜;S·K·塞蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于在沉积腔室中将掩模静电耦接到基板支撑件的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
用于吸附沉积工艺支撑

[发明专利]环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源-CN201110288983.X有效
发明人： W·M·霍尔伯;陈星;A·B·考韦;M·M·贝森;小R·W·柯林斯;S·C·特鲁利;邵寿潜 -专利权人： MKS仪器股份有限公司
申请日： 2004-04-12 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源，描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
环形活性气体具有绝缘真空容器等离子体

[发明专利]环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源-CN201110289004.2有效
发明人： W·M·霍尔伯;陈星;A·B·考韦;M·M·贝森;小R·W·柯林斯;S·C·特鲁利;邵寿潜 -专利权人： MKS仪器股份有限公司
申请日： 2004-04-12 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源，描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
环形活性气体具有绝缘真空容器等离子体

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