专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种温漂修调电路-CN201811582357.X有效
  • 邱旻韡;李娟;陈红;罗永波;宣志斌;肖培磊 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2018-12-24 - 2023-10-20 - G05F1/567
  • 本发明公开一种温漂修调电路,属于补偿电路技术领域。所述温漂修调电路包括:电阻R2a和电阻R2b,所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联;三极管Q4和三极管Q5,所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极相连接;所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联后电阻R2a连接至所述三极管Q4的集电极,电阻R2b连接至所述三极管Q4的发射极。该温漂修调电路仅需修调一组电阻即可实现修调,修调方式大大简化,避免了采用电阻修调矩阵网络带来的应用局限性;在进行电路版图设计时只需考虑R2a电阻的匹配性设计,版图设计难度降低。
  • 一种温漂修调电路
  • [发明专利]一种兼容TTL电平的高速CMOS端口电路-CN202210224368.0有效
  • 邱旻韡 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2022-03-07 - 2023-10-17 - H03K19/0185
  • 本发明公开一种兼容TTL电平的高速CMOS端口电路,属于CMOS电路领域,包括二极管D41和D42、电阻R41和R42、NMOS管MN41;所述二极管D41和所述二极管D42串联,所述二极管D42的正端连接所述电阻R41的第一端;所述NMOS管MN41的栅端连接所述二极管D42的正端,漏端连接所述电阻R42的第一端,源端接地;所述NMOS管MN41与所述电阻R42构成反相器。本发明主要应用于高速CMOS电路中,对于低速CMOS电路也可以适用。用于当输入为TTL电平信号时,可以将TTL电平转换成兼容的CMOS电平,成功驱动后级CMOS电路。克服了高速电路无法使用TTL电平信号驱动CMOS电路的问题。
  • 一种兼容ttl电平高速cmos端口电路
  • [发明专利]一种抗单粒子效应辐射加固带隙基准电路-CN202210394652.2有效
  • 邱旻韡;屈柯柯 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2022-04-15 - 2023-07-18 - G05F1/567
  • 本发明涉及一种抗单粒子效应辐射加固带隙基准电路,包括启动电路,为带隙基准电路提供偏置电流;运算放大器,所述的MP3、MP4通过电流镜镜像MP1的电流给运算放大器提供偏置,MP5也通过电流镜镜像给后续基准电压产生部分提供偏置,且运算放大器输入端对MP6、MP7的栅极电位分别连接R3和BP3发射极;所述的R4、R5、R3、BP1~BP3、D9、以及R6、C3构成带隙基准电压产生电路。本发明所述的带隙基准电路,通过较小的面积和功耗开销,实现良好的抗辐射能力,并降低电路最低工作电压,提高电路适用范围,利用在重要节点增加二极管和电容的技术来改善抗SET性能。
  • 一种粒子效应辐射加固基准电路
  • [发明专利]一种低功耗带隙基准电路-CN202210378271.5有效
  • 邱旻韡;屈柯柯 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2022-04-12 - 2023-07-14 - G05F1/56
  • 本发明公开一种低功耗带隙基准电路,属于集成电路技术领域,包括PMOS管MP1~MP2、电阻R1~R3和三极管Q1~Q2;PMOS管MP1的漏端接电阻R3的第一端,栅端接PMOS管MP2的栅端;PMOS管MP2的漏端接三极管Q2的集电极,栅端接自身漏端;三极管Q1的集电极接电阻R3的第二端,基极接电阻R3的第一端,发射极接电阻R1的第一端;三极管Q2的集电极接PMOS管MP2的漏端,基极连接三极管Q1的集电极,发射极连接电阻R2的第一端。电路复用三极管Q1、Q2与PMOS管MP2、MP1、电阻R3构成反馈环路以确定电路工作点,省去了额外的运放电路,大大减小了面积开销;由于省去了额外的运放模块,且电路到地只有两条电流通路,可以大大降低带隙基准模块的功耗。
  • 一种功耗基准电路
  • [发明专利]集成在从机芯片内部的总线整流桥后放电电路-CN201611251472.X有效
  • 邱旻韡;张天舜;罗先才;王磊;曾洁琼;周宇捷 - 华润微集成电路(无锡)有限公司
  • 2016-12-29 - 2021-10-15 - G06F13/40
  • 本发明涉及一种集成在从机芯片内部的总线整流桥后放电电路,包括数字控制模块,用于当比较器输出结果为总线电压跌落时,产生高电平且时间可配的脉宽以驱动放电电路对总线放电;放电电流源模块,用于通过数字模块使能对总线放电,并调节放电电流的大小;比较器,用于得出总线电压变化的情况;外围电路,用于监测总线电压的变化,为比较器提供反映总线分压跌落信息的电压信号并,并生成比较基准电压。采用该电路,仅在监测到总线通信下降沿时才会打开,不会额外增加整系统的功耗开销;放电电路与信号处理电路相对独立,不会把总线的噪声耦合到对噪声敏感的电路中;放电电路的各项参数可以配置,能满足不同系统对电性能的需求,提高产品的适应性。
  • 集成机芯内部总线整流放电电路
  • [发明专利]上电复位脉冲产生电路-CN201610971739.6有效
  • 周宇捷;曾洁琼;张天舜;邱旻韡 - 华润微集成电路(无锡)有限公司
  • 2016-11-07 - 2021-06-18 - H03K17/22
  • 本发明涉及一种上电复位脉冲产生电路,包括延迟产生电路模块和脉冲产生电路模块,延迟产生电路模块由一个电源驱动两个开关,通过两个开关打开的时间差,给电容先充电后放电,产生延迟信号;脉冲产生电路模块包含延迟电路单元,施密特触发器和反相器,延迟电路单元采用耗尽型NMOS管和PMOS管组成,对进一步延迟所述的延迟产生电路模块产生的延迟信号,当信号达到施密特触发器的逻辑电平翻转点,使施密特触发器产生一定脉冲宽度的脉冲信号。该结构用于产生一个延迟的具有一定宽度的脉冲,避免上电时由于模拟电路的内部节点与芯片引脚可能为高,为低或者处在中间电平而造成的电路上电时间、过程暂时被中断或干扰而带来电路启动的问题。
  • 复位脉冲产生电路
  • [发明专利]多传感器接口的处理芯片电路-CN201611082014.8有效
  • 周宇捷;曾洁琼;张天舜;邱旻韡;吴君磊 - 无锡华润矽科微电子有限公司
  • 2016-11-30 - 2019-02-19 - G05B19/042
  • 本发明涉及一种多传感器接口的处理芯片电路,其中包括传感器组合接口模块,用于为不同传感器供电,并接收不同传感器的输入信号;信号预处理模块,用于进行调零,并对分时传入的传感器信号进行降噪、放大和调制;微控制模块,用于对调制后的信号进行算法处理;处理信号输出接口模块,用于通过不同的接口协议输出处理完成的信号;存储模块,用于存储根据实际需要配置的项目。采用该结构的电路,可以应用于多传感器组合应用的场景,适应不同传感器的组合与扩展应用,针对不同的传感器信号,配合对应的信号处理算法,达到降低主控芯片功耗、自主化管理的效果,具有广泛的应用范围。
  • 传感器接口处理芯片电路

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