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[发明专利]多倍体转录组亚基因组分型方法及计算机可读存储介质-CN202310605118.6在审
发明人：黄子妍;邓操;郝兆楠 -专利权人：成都基因汇科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G16B30/10 文献下载
摘要：本发明涉及多倍体转录组亚基因组分型方法及计算机可读存储介质，涉及基因组学领域，包括如下步骤：(1)获取参考物种外群基因序列和待测样本转录组序列，将序列翻译成蛋白序列，进行比对，得到比对结果；(2)设定筛选条件，筛选所述比对结果，获得可信度高的比对结果；(3)将可信度大于预设值的所述比对结果进行连接、整合，得到整合结果；(4)设定过滤参数的阈值，筛选所述整合结果，获得大于等于所述阈值的整合结果并将所述阈值的整合结果按照总得分大小逆序排列；(5)保留总得分最高的一条记录。本发明通过将待测样本转录组序列的CDS序列或者转录本序列比对到参考物种外群基因，来对多倍体转录本进行同源基因簇的划分。
多倍体转录基因组分方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种提高麦草预湿均匀性的预湿工艺-CN202310268631.0有效
发明人：李丹丹;宋超;韦有水;张俊俊;张昊;韦子龙;陈锦河;刘玉明;邓操;郝贵军;谭戟 -专利权人：江苏裕灌现代农业科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A01G18/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高麦草预湿均匀性的预湿工艺，使用到的预湿装置包括输送壳体，所述输送壳体内部分布有水泡槽、分散腔、预湿腔，该水泡槽一侧端连接在分散腔的一侧，该分散腔一侧端连接在预湿腔的一侧，且水泡槽内部设置有输送机构，且分散腔内部设置有解包机构、分散机构、卡扣机构。首先，把捆绑的麦草块(该捆绑的麦草形状为方块形)放置在水泡槽内，在启动输送机构上的第一电机驱动第一转动轴转动(第一电机的转速较慢)，该第一转动轴利用第一带轮、连接带、第二带轮的传动配合，让第二转动轴同时与第一转动轴一起转动。
一种提高麦草均匀工艺

[发明专利]一种双孢蘑菇发酵料生产过程废气收集处理系统-CN202310279800.0在审
发明人：李丹丹;宋超;韦有水;张俊俊;张昊;韦子龙;陈锦河;刘玉明;邓操;郝贵军;谭戟 -专利权人：江苏裕灌现代农业科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01D45/14 文献下载
摘要：一种双孢蘑菇发酵料生产过程废气收集处理系统，包括收集废气用的抽风箱、设于抽风箱侧部的连通管件、及设于连通管件侧部的硫酸罐，所述连通管件一端与抽风箱连通，另一端通过导风方管连接有除尘桶，且导风方管贴着除尘桶的内侧壁设置，且导风方管的出风口倾斜向下设置；所述除尘桶内腔下方设为锥形结构，该除尘桶内壁设有刮除组件。废气通过倾斜设置的导风方管沿除尘桶侧壁切入，进而，废气会沿除尘桶侧壁旋转向下流动，且通过离心力的作用，使废气中的颗粒物由废气中脱离，并沿除尘桶侧壁旋转向下移动，最终落入除尘盒内。
一种蘑菇发酵生产过程废气收集处理系统

[发明专利]一种抗菌肽的鉴定处理方法和系统-CN202310036165.3在审
发明人：黄子妍;邓操;郝兆楠;刘晋芸;张婷婷 -专利权人：成都侣康科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G16B30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗菌肽的鉴定处理方法和系统，涉及抗菌肽识别领域。该方法包括：对输入的待鉴定序列进行抗菌肽鉴定处理，获得第一处理结果；对输入的待鉴定序列进行干扰剔除处理，获得第二处理结果；根据所述第一处理结果及第二处理结果，结合抗菌肽的应用需求，输出目标抗菌肽序列，通过抗菌肽鉴定结合干扰剔除处理，提高AMP鉴定结果的可靠性、全面性，还能同时能筛选出可以用于临床的AMP，本发明仅需通过一行命令即可完成，便捷高效。
一种抗菌鉴定处理方法系统

[发明专利]目标物种特有序列的获取方法及目标物种检测方法-CN202011120316.6有效
发明人：陈艳朋;邓操;刘梦佳;郝兆楠 -专利权人：成都基因坊科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16B30/00 文献下载
摘要：本发明涉及目标物种特有序列的获取方法及目标物种检测方法，目标物种特有序列的获取方法包括以下步骤：选择基因组数据库中目标物种的所有全基因组序列，并通过对目标物种的所有全基因组序列的比对，筛选出目标物种核心序列；过滤掉核酸数据库中的所述目标物种的所有核酸序列，得到非目标物种核酸序列数据库；将目标物种核心序列与非目标物种核酸序列数据库进行比对，过滤掉目标物种核心序列中比对到的核酸序列，最终得到目标物种特有序列。通过上述方法可获得目标物种特有序列，方法简单，且可靠性高，通过鉴定样本中是否有目标物种特有序列的存在，即可确定生物的目标物种及分类地位。因此只需扩增本发明目标物种特有序列的获取方法得到的目标物种特有序列，即可鉴定目标物种的存在或目标物种分类地位。
目标物种特有序列获取方法检测

[发明专利]一种渐渗区段鉴定方法及计算机可读存储介质-CN202210286306.2有效
发明人：邱俊辉;邓操;郝兆楠 -专利权人：成都基因汇科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G16B30/10 文献下载
摘要：本发明涉及基因组学领域，提供一种基因组渐渗区段鉴定方法，包括利用参考基因组和待检测样本的测序数据，计算基因组各个位点对应的测序深度值；对于同一样本的多个测序数据集，合并相同位点的测序深度值，得到实际深度值，并基于位于同一窗口内的所有位点实际深度值，获得样本全基因组的测序深度的可视化分布，或利用两个样本的可视化深度差值分布，最终通过识别分布中的显著差异区段确定样本基因组中的基因组渐渗区段。本发明通过将整个基因组划分为多个窗口，以窗口的深度值的可视化分布，较为快速且直观地反应哪些区段具有显著差异，从而能够快速对基因组中渐渗区段进行鉴定，并便于后续的基础研究和应用研究。
一种区段鉴定方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种3D打印镍基高温合金渗铝涂层渗铝剂及渗铝的方法-CN202011466333.5有效
发明人：李瑞迪;邓操 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C10/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印镍基高温合金渗铝涂层渗铝剂及渗铝的方法，按照质量百分比，由以下组份组成：硅粉4～11％，铬粉2～6％，辅助剂2～4％，余量为铝粉；其中：辅助剂由煤油、氯化铵和铜粉组成。为了提高粉末的流动性，本发明原料铝粉，铬粉，硅粉均采用气雾化制粉工艺制备，获得球形率高的粉末，可以更好的保证粉末的流动性；还采用了煤油作为辅助剂，可以起到润滑作用，进一步增加粉末的流动性。为了提高涂层的稳定性和结合性；本发明中采用了辅助剂煤油，煤油除了润滑作用之外，还有润湿作用，使得粉末与基体更加贴合，利于后续烧结时渗铝剂均匀地渗入基体，从而提高涂层的结合性能。
一种打印高温合金涂层渗铝剂方法

[发明专利]一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810954897.X有效
发明人：陈万军;谯彬;夏云;高吴昊;刘超;施宜军;石瑜;左慧玲;邓操 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体管的阴极区进行了改造，通过隔离氧化层将器件分为MOS区和传统LIGBT结构区，MOS区分为第一NMOS区和第二MOS区，第一NMOS区和第二MOS区共用一个P+源极短路区。传统LIGBT结构区的栅极与第一NMOS的栅极通过金属互联作为本发明器件栅极，第一NMOS的N+漏区通过金属互联与传统LIGBT的N+源区连接，传统LIGBT的P+源区通过金属互联与第二N型MOS的栅极和漏极相连，传统LIGBT的N+源区通过金属互联与第一N型MOS的N+漏区相连，第一和第二NMOS的N+源区及共用的P+源极短路区通过金属短接作为本发明器件的阴极，传统LIGBT结构区的阳极作为本发明器件阳极。
一种低导通功耗绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种低功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN201910185250.X有效
发明人：陈万军;夏云;谯彬;高吴昊;刘超;施宜军;信亚杰;王方洲;孙瑞泽;石瑜;左慧玲;邓操 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体管的阴极区进行了改造，将器件分为MOS区和传统LIGBT结构区，MOS区分为第一NMOS区和第二MOS区，第一NMOS区和第二MOS区共用一个P+源极短路区。传统LIGBT结构区的栅极与第一NMOS的栅极通过金属互联作为本发明器件栅极，第一NMOS的N+漏区通过金属互联与传统LIGBT的N+源区连接，传统LIGBT的P+源区通过金属互联与第二N型MOS的栅极和漏极相连，传统LIGBT的N+源区通过金属互联与第一N型MOS的N+漏区相连，第一和第二NMOS的N+源区及共用的P+源极短路区通过金属短接作为本发明器件的阴极，传统LIGBT结构区的阳极作为本发明器件阳极。
一种功耗绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种低导通电阻绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810954843.3有效
发明人：陈万军;夏云;谯彬;高吴昊;刘超;施宜军;石瑜;左慧玲;邓操 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低导通电阻绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体的阴极区进行了改造，通过隔离氧化层分隔成第一NMOS区、第二NMOS区和传统LIGBT区。第一NMOS的漏极通过金属互联与传统LIGBT的N+源区相连，第一NMOS的栅极通过金属互联与传统LIGBT的栅极相连作为本发明器件栅极，第二NMOS的漏极及栅极同时与传统LIGBT的P+源区相连，第一NMOS的源极通过金属互联与第二NMOS的源极连接在一起作为本发明器件的阴极。在线性工作区工作时，传统LIGBT区内发生了闩锁，漂移区中充满大量的电子空穴对，电导调制强烈，因此器件导通电阻极大地减小。另外，可以通过控制第二NMOS沟道的掺杂浓度来改变器件的饱和电流值，满足实际运用的需要。
一种通电阻绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种基因注释文件格式及针对该基因注释文件格式的解析工具-CN202011518041.1在审
发明人：黄子妍;邓操;郝兆楠;刘梦佳 -专利权人：成都基因坊科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G16B50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基因注释文件格式及针对该基因注释文件格式的解析工具。本发明的基因注释文件格式共9列，分别为：序列编号、起始、终止、链的方向、层级、特征类型、编号、父序列编号和属性。本发明的基因注释文件格式兼容了现有基因注释格式和新型基因注释格式。本发明的解析工具包含了各注释格式间的转化(GFF4、GTF、GFF3)、检索(如合并，提取，查询)、序列提取和位置转换多项功能，满足了生物信息下游分析的多样化需求。
一种基因注释文件格式针对解析工具

[发明专利]一种沟槽栅MOS控制晶闸管及其制作方法-CN201810977983.2有效
发明人：陈万军;左慧玲;刘超;夏云;邓操;高吴昊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，一种沟槽栅MOS控制晶闸管(Trench‑MCT)，其元胞结构包括自下而上依次层叠的阳极(1)、P+阳极区(2)、N型缓冲层(3)和漂移区(4)；所述漂移区(4)上层两侧有沟槽栅和P基区(5)，所述P基区(5)上层有N‑区(11)、N‑‑区(10)、N+区(6)和P+区(12)，P+区(12)和N+区(6)共同引出阴极(9)。相比于常规栅控晶闸管，本发明可在栅极零偏压时实现耐压，简化了栅极驱动电路。相比于沟槽栅IGBT，本发明的导通电阻更小，且没有饱和电流的限制，使得本发明的器件在脉冲应用下具有更大的峰值电流Ipeak和更大的电流上升率di/dt，全面提升了器件的脉冲特性，降低晶格温度。
一种沟槽 mos 控制晶闸管及其制作方法

[实用新型]利用模拟移动床提取L-异亮氨酸的系统-CN202021150769.9有效
发明人：薛锦文;戴超;邓操;郑炜;王孟华;蔡卫国;张国龙 -专利权人：宜昌三峡普诺丁生物制药有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C07C227/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用模拟移动床提取L‑异亮氨酸的系统，所述系统包括陶瓷膜过滤系统，陶瓷膜过滤系统通过管道与纳滤系统、顺序模拟移动床、反渗透膜系统、脱色吸附器和减压浓缩装置依次连通。本发明利用先进分离纯化技术，大幅提高了分离效率，成品质量明显提高；配套设备能替代传统脱色、浓缩过程，节约了大量能源，减少固废活性炭的产生；整个提取过程中未大量使用酸、碱、氨等化学试剂，大大降低提取成本，且很大程度减少高盐废水排放，符合绿色经济，适合工业化生产。
利用模拟移动提取异亮氨酸系统

[发明专利]一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管-CN201810563462.2有效
发明人：陈万军;邓操;刘超;魏东;高吴昊;左慧玲;夏云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发明的有益效果为，提供了一种挖槽埋氧阻挡层的光控晶闸管器件设计，解决了常规光控晶闸管器件因主阴极左侧电流集中而引起的失效、不能适用于脉冲功率应用领域的问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用功率半导体器件制作工艺，为生产提供了有利条件。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。
一种具有挖槽埋氧电流阻挡光控晶闸管

[发明专利]一种MOS栅控晶闸管及其制作方法-CN201710761364.5有效
发明人：陈万军;夏云;刘超;高吴昊;左慧玲;邓操 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种MOS控制晶闸管及其制作方法。本发明对常规MCT的阴极以及栅极区进行改造，通过在栅下增加薄的P型半导体层，使得器件在栅上不加电压器件正向阻断时，P+阳极注入空穴形成的空穴漏电流能通过P型短路结构抽走，使器件实现耐压。正向导通时，在栅上加正电压时，P型半导体层反型形成电子沟道，N型半导体源区和中的电子进漂移区内，由P+阳极、漂移区、P型基区和N型源区构成的左侧PNPN晶闸管与右侧P+阳极、漂移区、P型基区和N型源区构成的右侧PNPN晶闸管接连发生闩锁，器件获得低的导通电阻，以及导通时不存在snapback现象。本发明的阴极PN结两层结构使用双重扩散工艺，与传统MGT三层扩散工艺相比制作简单。
一种 mos 晶闸管及其制作方法

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