“连楠梓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]深沟式半导体装置的制造方法以及深沟式半导体装置-CN201510297120.7有效
发明人：杨大弘;连楠梓;魏安祺;张升原;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在一基板上形成交错的绝缘层以及导电层的起始堆叠、辨识用于起始堆叠的多个位线位置以及字线位置，其中包括一第一位线位置以及一第一字线位置、自起始堆叠形成第一位线位置中的位线的垂直排列，此位线的垂直排列具有相对的侧壁。此方法还包括通过形成一薄导电层于相对的侧壁的所选部分上，来形成一字线，相对的侧壁的所选部分位于第一字线位置中。在形成字线的步骤中还包括沉积邻近于各个薄导电层的导电材料，此沉积的导电材料直接与薄导电层接触。
深沟半导体装置制造方法以及

[发明专利]三维半导体元件及其制造方法-CN201510159727.9在审
发明人：杨大弘;洪士平;连楠梓;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明的实施例有关于半导体元件及制造半导体元件的方法。制造半导体元件的方法包括提供基板以及形成多层于基板之上。多层包括交替的多个第一组成材料层及多个第二组成材料层。所述方法还包括形成伸长支柱。此伸长支柱由基板的至少一顶面延伸。
三维半导体元件及其制造方法

[发明专利]高深宽比结构-CN201510108351.9在审
发明人：张升原;魏安祺;连楠梓;杨大弘;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高深宽比结构，包括基底、多个堆叠结构以及多个支撑结构。堆叠结构位于基底上，相邻两个堆叠结构之间具有沟渠。每一堆叠结构包括多个第一材料层及多个第二材料层。第二材料层与第一材料层相互交替。支撑结构分别位于基底与堆叠结构之间，其中每一支撑结构具有凹凸状表面。本发明所提供的高深宽比结构借由在基底与堆叠结构之间形成支撑结构，可以提升堆叠结构的强度以及抗倒塌性。
高深结构

[发明专利]制造一种记忆装置的方法-CN200910246263.X有效
发明人：李鸿志;连楠梓;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是有关于制造一种记忆装置的方法，包括提供一基板具有一绝缘层于该基板之上，形成一第一、一第二及一第三导电层于该绝缘层之上，形成一掩模于该第三导电层之上，使用该掩模蚀刻通过该第三导电层及一部分厚度的该第二导电层以提供一被蚀刻的该第三导电层的侧壁部分及一被蚀刻的该第二导电层的上表面，以及形成一衬垫层沿着被蚀刻的该侧壁部分及该上表面。
制造一种记忆装置方法

[发明专利]图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法-CN200310102322.9无效
发明人：黄政阳;李士敬;林佩筠;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法，该图案化金属层的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有数个元件结构，以及与这些元件结构所对应的数个内连线结构；之后，在基底上方形成介电层；接着，在介电层上形成金属材料层；然后对金属材料层进行电浆蚀刻制程，形成图案化的金属层，其中电浆蚀刻制程是以较低功率变压偶合式电浆进行，所以可解决现有技术中晶圆中心与晶圆边缘处的介电层其过度蚀刻程度不一致的问题。本发明可降低晶圆中心处与边缘处的介电层其过度蚀刻程度的差异性，另可使得晶圆中心处与边缘处的介电层被移除的厚度一致，还可使反应室的温度保持一致，而可提高晶圆中心处与晶圆边缘处的过度蚀刻速率的一致性。
图案金属方法连线制造

[发明专利]半导体用的扫瞄工具的校正方法及其标准校正片-CN03153591.7有效
发明人：马嘉淇;苏炎辉;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-18 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体用的扫瞄工具的校正方法及其用于校正扫瞄工具的标准校正片，该半导体用的扫瞄工具的校正方法，是首先提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状。之后利用一扫瞄工具扫瞄晶圆上的标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出标准图案的侧壁处的位置，利用讯号即能对扫瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。由于本发明的方法不但能对扫瞄工具作X方向与Y方向的校正，而且还能对Z方向作校正，因此，可以改善现有技术中因无法校正Z方向而使扫瞄工具仍有偏差的问题。
半导体工具校正方法及其标准

[发明专利]高密度电浆氧化沉积物的去除方法-CN02130423.8无效
发明人：李宏文;吴敬斌;张汉茂;马嘉淇;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其中，提供一基板并形成氮化硅层于其上，且以高密度电浆法(HDP)沉积氧化硅层于氮化硅层上，此去除方法包括步骤：(1)以内至外模式(in－side－out model)对氧化硅层进行蚀刻，基板中心的蚀刻速率比周边的蚀刻速率快；(2)以外至内模式(out－side－inmodel)对氧化硅层进行蚀刻，基板周边的蚀刻速率比中心的蚀刻速率快；及(3)以化学机械研磨法(CMP)移除残余的氧化硅层。本发明的两步骤回蚀可使残余的高密度电浆氧化物具有较佳的均匀度，且可完全地被平坦化。
高密度氧化沉积物去除方法

[发明专利]护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法-CN02130417.3无效
发明人：苏炎辉;吴敬斌;李宏文;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种护垫蚀刻程序后去除元件上氟化铝缺陷的方法，包括以下步骤：(a)应用EKC溶液，主要包括羟胺(hydroxylamine，HDA)，且应用的时间约为30分钟；(b)应用一中间清洗化学品(intermediate rinse chemical)，如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)或N－甲基－四氢咯酮(N－methylpyrrolidone，NMP)，且应用的时间范围约为0.5－3分钟，及(c)应用水于元件上。本发明的方法可有效地去除氟化铝缺陷而不会对铝层造成腐蚀和损坏，使原先有缺陷的芯片可被救回，而不需被报废，进而降低芯片的生产成本。
护垫蚀刻程序去除氟化缺陷方法

[发明专利]残余聚合物去除剂及其使用方法-CN02105270.0无效
发明人：吴敬斌;李宏文;洪宗裕;连楠梓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-25 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种残余聚合物去除剂，应用于后金属去除工艺中，以有效去除基材上的残余聚合物。本发明的残余聚合物去除剂主要由链烷醇胺(alkanolamine)、糖醇(sugaralcohol)、及20％的水所组成。使用方法是，将含有待去除的残余聚合物的基材浸置于温度约60℃～70℃的组合物中约5～15分钟。残余聚合物去除剂的最初含水量自15％增加至本发明的20％，可使残余聚合物去除剂的生命周期自12小时延长至48小时。
残余聚合物去除及其使用方法

[发明专利]去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法-CN01144814.8无效
发明人：吴敬斌;李宏文;黄司丞;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法，用来消除残留聚合物在晶片表面的回沾，造成品管检验时不良率过高及焊接工艺不良率过高的情况得以改善。该去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，包含：以湿式去除工艺，去除该保护层上形成的蚀刻后聚合物；以干式去除工艺，去除该保护层上的残留聚合物并降低焊垫表面的氟浓度；及清洗该晶片。经过多次实际测试，使用本发明的方法，可将此种残留聚合物的回沾情况完全消除。本发明是利用交换湿式及干式去除工艺的方法，使得干式去除工艺O2－ashing，不仅对焊垫金属进行保护，还去除了湿式蚀刻形成的残留聚合物，故可在不增加成本的情况下，提高产品的品质。
去除窗口蚀刻残留聚合物方法

1
共 10 条