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[发明专利]热处理装置-CN202111368368.X在审
发明人： 近藤泰章;大森麻央 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减小气体供给相关要素的设置空间的热处理装置。本发明的热处理装置中，对半导体晶圆进行加热处理的腔室(10)连接有助燃性气体管线(31)、可燃性气体管线(41)及惰性气体管线(51)。在对腔室(10)供给可燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对助燃性气体管线(31)送入氮气，将助燃性气体管线(31)内置换为氮气。在对腔室(10)供给助燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对可燃性气体管线(41)送入氮气，将可燃性气体管线(41)内置换为氮气。助燃性气体管线(31)及可燃性气体管线(41)设有共通的1根惰性气体管线(51)，因此能够减小气体供给相关要素的设置空间。
热处理装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201710477838.3有效
发明人：青山敬幸;近藤泰章;宫胁真治;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭;上田晃颂;河原崎光;古川雅志 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
热处理方法装置