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[实用新型]八膜覆盖栽培棚-CN202021207558.4有效
发明人：孙建磊;焦自高;王兴刚;车亚莉;车振华;高超;王崇启;董玉梅;肖守华;杨猛;杨珊;刘钊 -专利权人：山东省农业科学院蔬菜花卉研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了八膜覆盖栽培棚，包括至少两组调节装置，每组调节装置包括至少四个固定调节座，所述固定调节座上设有伸缩支座，中间相邻的两个固定调节座之间自下而上依次设有拱杆一、拱杆二、拱杆三和拱杆四，两端的两个固定调节座之间自下而上依次设有拱杆五、拱杆六和拱杆七，所述拱杆五和拱杆六上分别设有两片覆盖半膜，两片覆盖半膜对应侧叠置呈可打开通气的开口，所述拱杆一、拱杆二、拱杆三、拱杆四和拱杆七上设有覆盖膜。该栽培棚可根据种植田的宽度和长度随意设置棚体尺寸，且通过八层覆盖膜可提高棚内温度，还能根据植株不同生长时期调节覆盖膜层数，促进植株的生长，缩短成熟周期，提高产量和收入。
覆盖栽培

[发明专利]平面可控硅器件及其制作方法-CN202010487333.7在审
发明人：邵长海;车振华;左建伟;孙传帮;刘向雨;隋伟;李铁男 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供平面可控硅器件及其制作方法，涉及半导体器件制作技术领域。采用环形结终端扩展区替换现有技术中的深阱环，环形结终端扩展区紧贴在第一基区的四周，环形结终端扩展区的结深低于第一基区的结深。环形结终端扩展区可以在第一电极和第三电极施加电压时降低电场，从而也能提高整个平面可控硅器件的耐受电压。环形结终端扩展区在制作时，只需要进行正常的离子(比如硼)注入扩散即可，不需要采用专业的注铝设备，可以降低平面可控硅器件的制作成本。同时，环形结终端扩展区的结深较浅，制作环形结终端扩展区的耗时较短，可以确保平面可控硅器件的制作效率。
平面可控硅器件及其制作方法

[发明专利]待贴膜芯片及其处理工艺-CN201811566290.0在审
发明人： 车振华;耿智蔷;汪金磊;李超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种待贴膜芯片及其处理工艺，涉及芯片制造技术领域，所述待贴膜芯片的处理工艺包括如下步骤：提供芯片，所述芯片包括相对设置的上表面和下表面，所述芯片的下表面设置有硅氧化物层，将所述芯片下表面分成多个第一子区域，所述第一子区域包括第一中间区域和第一边缘区域，去除所述第一中间区域的硅氧化物层，然后对第一中间区域进行硼掺杂、铝掺杂和铝层的去除，形成第一中间区域凹陷的第一子区域，再将第一中间区域进行腐蚀，腐蚀深度为3‑8μm，得到待贴膜芯片，解决了传统工艺方法划片后崩边率高、划透渗硅粉及封装后应用失效率高的技术问题，本发明提供的待贴膜芯片的处理工艺操作简便，设备简单，应用前景广泛。
贴膜芯片中间区域处理工艺下表面子区域芯片硅氧化物层去除腐蚀第一边缘区域芯片制造技术传统工艺相对设置铝掺杂硼掺杂上表面失效率凹陷崩边划片铝层渗硅封装应用

[发明专利]双面玻璃终端的半导体加工方法-CN201811528793.9在审
发明人：明笑平;车振华;邵长海;于雄飞 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种双面玻璃终端的半导体加工方法，包括在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层；在不透光介质层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行掩膜曝光；对不透光介质层进行腐蚀，以将玻璃层的待腐蚀位置裸露；对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀，以在玻璃层上形成划刻槽；剥离光刻胶层以及不透光介质层。本发明相比现有镭射机切割玻璃的方式，成本低、且效率大幅度提高。
玻璃层不透光介质层半导体加工腐蚀位置光刻胶层双面玻璃划刻芯片终端半导体加工技术腐蚀刻蚀工艺终端形成刻胶层镭射机涂覆掩膜切割剥离裸露玻璃曝光覆盖

[外观设计]捏手拔火罐-CN201730149594.7有效
发明人： 车振华 -专利权人： 车振华
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： 24-04 文献下载
摘要：1、名称捏手拔火罐。2、用途拔火罐。3、设计要点在于产品的形状。4、俯视图无设计要点，故省略。5、最能表明设计要点的图片是主视图。
拔火罐

[发明专利]硅片裂片崩边阻断方法-CN201610202363.2在审
发明人：季大君;张研;汪金磊;刘向雨;车振华;刘晶岩;魏洪松 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：硅片裂片崩边阻断方法，涉及半导体器件芯片制造技术领域，解决现有半导体芯片在制造过程中，容易出现崩边的问题，本发明采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；在刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形。本发明所述的方法在遇到增加的铝层后将停止向芯片的有效区内延伸。采用本发明所述的方法阻止了崩边直接延伸至芯粒内部与芯粒接触，进而造成的崩边出现废品的问题。
硅片裂片阻断方法

[实用新型]多屏幕智能联网运动显示装置-CN201520831078.8有效
发明人：吴季庭;邱垂昱;车振华 -专利权人：福建捷联电子有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多屏幕智能联网运动显示装置，包括一微控制单元以及与其相连的I/O接口单元、用以连接终端设备的通信单元、健身模块设定单元以及复数个用以检测人体运动状态的红外发射电路与红外接收电路；所述的I/O接口单元连接有键盘接口电路以及复数个用以显示不同内容的显示屏。本实用新型将多显示屏的概念应用延伸至运动健身器材，在观看多个显示屏中的健身内容时，能够增强一个人使用运动器材的信心，并且该装置能够配合物联网显示器进行使用。
屏幕智能联网运动显示装置

[实用新型]智能看诊显示系统-CN201520877665.0有效
发明人：吴季庭;邱垂昱;车振华 -专利权人：福建捷联电子有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能看诊显示系统，包括一主处理器，所述主处理器分别与一协处理器、一GPS模块、一音频编/解码器、一传感器融合模块、一用于读取身份卡的读卡器、一蓝牙模块、一WIFI模块、一液晶显示器、一压电传感器及一协处理器连接；所述WIFI模块、液晶显示器及压电传感器还分别与所述协处理器连接；所述传感器融合模块包括压力传感器、三轴陀螺仪、三轴加速计及三轴磁强计；还包括一智能穿戴装置，所述智能穿戴装置经蓝牙模块或WIFI模块与所述主处理器连接。本实用新型配合智能穿戴装置使用，为医生和患者带来了极大的便利。
智能显示系统

[实用新型]带有情境光源的联网运动显示系统-CN201520877519.8有效
发明人：吴季庭;邱垂昱;车振华 -专利权人：福建捷联电子有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有情境光源的联网运动显示系统，其特征在于：包括一微控制单元，所述微控制单元分别与一上位机、一健身模式设定单元、一显示单元、一键盘输入单元及一情境光源单元连接，所述情境光源单元包括若干LED灯条。本实用新型带给了使用者更好的健身体验。
带有情境光源联网运动显示系统

[实用新型]智能零售显示器-CN201520749822.X有效
发明人：吴季庭;邱垂昱;车振华 -专利权人：福建捷联电子有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G07F9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能零售显示器。包括处理器模块及与该处理器模块连接的图像处理模块、显示屏、用于采集消费者声音的声音传感器、用于感应是否有消费者靠近显示屏的红外传感器、为整个装置提供能源的电源模块，所述图像处理模块连接至一用于采集消费者人脸表情的3D摄像机；还包括一与所述处理器模块连接的存储器模块，用于存储消费者声纹信息、表情特征信息。本实用新型通过声音传感器、3D摄像机的采集信息自动判断消费者是否为熟客，以利于为消费者提供常用消费品，且通过3D摄像机能够判断消费者使用消费品后的表情，进而判断消费者对该消费品的喜恶。
智能零售显示器

[实用新型]触发电流对称的双向晶闸管-CN201220300404.9有效
发明人：邵长海;车振华;穆欣宇;王研 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：触发电流对称的双向晶闸管属于半导体器件制造技术领域。现有双向晶闸管触发电流对称性较差，对于有些对触发电流对称性要求较高的应用领域，这种器件不能满足其要求。本实用新型具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区上、N+区与门极G相邻处，由主电极MT1与P-区接触区域形成一个直接旁路短路区，该直接旁路短路区是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。本实用新型Ⅰ+触发的触发电流IGTⅠ与Ⅲ-触发的触发电流IGTⅢ相当，触发电流对称，实现电参数的最优化。
触发电流对称双向晶闸管

[发明专利]双正斜角槽终端半导体分立器件可控硅及其制造方法-CN200810051398.6无效
发明人：邵长海;于雄飞;车振华 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：双正斜角槽终端半导体分立器件可控硅及其制造方法属于半导体器件及半导体器件制造技术领域。现有器件是一种双面正斜角结构器件，其制作是将具有四层三端结构的芯片加工成圆片状，夹持该芯片并高速旋转，在V形磨具的研磨下，在芯片侧面形成V形槽，形成双面正斜角结构。只能逐片加工，产品都是大尺寸芯片。本发明在N型硅单晶片上扩散隔离区，将硅单晶片分割为若干矩形芯片，在芯片有N+区的端面四周分别有一条双正斜角槽，双正斜角槽的上端起始于隔离区与上P区的分界处，下端终止于N-区，双正斜角槽与上P区下表面的夹角θ、与所述弧形界面交点的切线的夹角β均为锐角。沿隔离区中线切割该N型硅单晶片获得若干矩形芯片。应用于半导体分立器件可控硅制造领域。
斜角终端半导体分立器件可控硅及其制造方法

[发明专利]下行模拟负载中信道码的分配方法-CN200510035006.3有效
发明人：刘威;车振华;张占全 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H04J13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种下行模拟负载中信道码的分配方法，其特征在于，将信道码中一段连续的码道分配给下行模拟负载信道，该方法有利于后续信道的建立，且容易建立SF较小信道的信道码分配方法。
下行模拟负载信道分配方法

[发明专利]实现快速拥塞控制的方法-CN200510070673.5有效
发明人： 车振华;刘威 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现快速拥塞控制的方法，当小区发射功率超过小区拥塞门限值时，选取下行专用信道中有业务数据为零的传输格式组合且优先级最低的信道，按照业务数据为零的传输格式组合指示进行信道处理；当小区发射功率小于小区拥塞门限值时，选取处于拥塞状态且优先级最高的信道进行解拥塞。这样可以通过减少下行业务数据流量来实现降低小区发射功率的目的，同时又不会影响小区的覆盖范围；待拥塞取消后可以立即恢复用户服务，因此被拥塞的用户也会保持不掉话，实现简单有效。相对于现有技术，本方法对整个小区及单个用户的影响最小，最大限度地保证了用户服务。
实现快速拥塞控制方法

[发明专利]一种针对基站本地小区的物理小区损坏的处理方法-CN200410102482.8无效
发明人：常玉辉;李强;刘威;车振华;曹海霞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H04Q7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对基站本地小区的物理小区损坏的处理方法，该方法通过将出现物理小区异常的本地小区的业务配置搬移到基站中预先设置的正常空闲物理小区上，从而使得该本地小区的资源配置继续处于可以利用的状态，避免了基站一旦出现本地小区的物理小区损坏时就向RNC上报本地小区不可用的资源状态指示，所导致的整个本地小区不可用问题，节省了系统资源，提高了系统的容错能力。
一种针对基站本地小区物理损坏处理方法

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