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[发明专利]聚焦环和具有该聚焦环的基板处理装置-CN201210003658.9有效
发明人：山涌纯;輿水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止在温度差大的两个部件的缝隙中堆积物附着到低温的部件的聚焦环。聚焦环(25)包围配置于基板处理装置(10)的腔室(11)内的晶片(W)的边缘，内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)构成聚焦环(25)，内侧聚焦环(25a)与晶片(W)邻接地配置且被冷却，外侧聚焦环(25b)包围内侧聚焦环(25a)且不被冷却，块部件(25c)配置于内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)之间。
聚焦具有处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201110225828.3有效
发明人： 輿水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供能够根据功率生成与RF天线一一对应的等离子体，并能够任意地控制处理室内的等离子体分布的等离子体处理装置。包括：对基板(G)实施等离子体处理的可排真空的腔室(11)；在腔室(11)内载置基板(G)的基座(12)；配置成隔着基座(12)与处理空间(S)相对的电介质窗(30)；在隔着电介质窗(30)与处理空间相邻的空间内设置的多个或多重RF天线(30a、30b)；将处理气体供给处理空间(S)的气体供给部(37、36)；和将高频(RFH)施加到多个或多重RF天线(30a、30b)通过感应耦合在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源，作为感应磁场合成机构，在与多个或多重RF天线相互间对应的电介质窗的下表面设置由电介质形成的突出部(34)。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体监测方法和等离子体监测装置-CN201010617590.4有效
发明人：松土龙夫;濑川澄江;輿水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G01N21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
等离子体监测方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201010525423.7有效
发明人：山泽阳平;齐藤昌司;传宝一树;輿水地盐;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，在电感耦合型的等离子体处理装置中，提高方位角方向乃至径向的等离子体密度分布的均匀性或控制性。在该电感耦合型等离子体蚀刻装置中，设置在腔室(10)的顶部的电介质壁(52)上的RF天线(54)，在天线室(56)内离开电介质窗(52)配置在其上方，具有与来自高频供电部(58)的RF供电线(60)、(68)连接的一次线圈(62)，和在能够通过电磁感应与一次线圈(62)耦合、且比该一次线圈(62)更靠近电介质窗(52)的下表面(与处理空间相对的面)的位置上配置的二次线圈(64)。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体监测方法和等离子体监测装置-CN200910142798.2有效
发明人：松本直树;山泽阳平;輿水地盐;松土龙夫;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
等离子体监测方法装置

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200810001388.1有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200810001389.6有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200410034165.7有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广濑润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

[发明专利]等离子体监测方法、等离子体监测装置和等离子体处理装置-CN200410034708.5有效
发明人：松本直树;山泽阳平;輿水地盐;松土龙夫;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部54中具备矢量式的网络分析器68。由该网络分析器68测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部74读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
等离子体监测方法装置处理

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