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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于基板处理装置的气体供应装置-CN202280011150.5在审
发明人：陈世焕;卢载盛;尹弘旻;尹洪守;张允柱;赵炳夏;曹知铉 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明关于一种用于基板处理装置的气体供应装置，其包括连接于第一气体喷射部的第一供应管路、连接于所述第一供应管路的多个第一气体供应机构、用于测量所述第一供应管路的第一压力的第一测量机构、连接于第二气体喷射部的第二供应管路、连接于所述第二供应管路的多个第二气体供应机构以及用于测量所述第二供应管路的第二压力的第二测量机构，其中，所述第一测量机构确认所述第一压力是否偏离第一基准值，所述第二测量机构确认第二压力是否偏离第二基准值。
用于处理装置气体供应

[发明专利]用于分配气体的装置和用于处理基板的装置-CN201780045233.5有效
发明人：尹镐彬;辛昇澈;刘真赫;赵炳夏 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于基板处理设备的气体喷雾器及基板处理设备，其包括：等离子体产生部，用于产生等离子体，以便在由基板支撑部支撑的基板上执行处理工艺；接地体，接地体与等离子体产生部耦接；以及等离子体屏蔽部，用于屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体，其中，等离子体产生部包括：第一电极，用于产生等离子体；以及第二电极，第二电极在与第一电极间隔开的位置处耦接至接地体，以便在第二电极和第一电极之间的空间中形成用于喷射工艺气体的气体喷射空间，并且其中，等离子体屏蔽部从基板的内部和/或外部屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体。
用于分配气体装置处理

[发明专利]基板处理设备-CN201780015704.8有效
发明人：金世英;权秀泳;刘真赫;赵炳夏;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理设备，用于喷射源气体和反应气体，所述设备包括：第一排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第一废气；第二排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排出穿过捕获装置的第一废气和穿过第二排放管路的第二废气。
处理设备

[发明专利]基板处理方法-CN202180052618.0在审
发明人：陈世焕;卢载盛;孙淸;尹弘旻;尹洪守;张允柱;赵炳夏;曺知铉 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺。所述基板处理方法包含：在由支撑单元支撑的基板设置于第一处理区域中时，在第一处理区域中在基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成第一处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第二处理区域的步骤；以及在由支撑单元支撑的基板设置于第二处理区域时，在第二处理区域中在基板上进行第二处理工艺的步骤。
处理方法

[发明专利]基板处理设备-CN201810360542.8有效
发明人：郭在燦;赵炳夏;黃喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种基板处理设备，其能够改善在基板上沉积的薄膜的均匀度，并且还能够自由地调整生产率，其中，所述基板处理设备可以包括：用于提供处理空间的处理室；基板支撑体，其可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，用于将所述处理空间在空间上分隔为第一和第二反应空间，并且在相应的第一和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，在所述气体分配部分设置在所述室盖中。
处理设备

[发明专利]基板处理设备-CN201480043656.X有效
发明人：郭在燦;赵炳夏;黃喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种基板处理设备，其能够改善在基板上沉积的薄膜的均匀度，并且还能够自由地调整生产率，其中，所述基板处理设备可以包括：用于提供处理空间的处理室；基板支撑体，其可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，用于将所述处理空间在空间上分隔为第一和第二反应空间，并且在相应的第一和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，在所述气体分配部分设置在所述室盖中。
处理设备

[发明专利]电容器沉积装置及使用该电容器沉积装置的介电薄膜的沉积方法-CN201680049494.X在审
发明人：徐东源;郭在灿;赵炳夏 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种制造具有高介电常数的电容器的方法，该方法防止介电层的表面由于真空破坏而劣化，并且防止由于半导体基板被加载和卸载时产生的物理应力导致介电层的质量劣化。
电容器沉积装置使用薄膜方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201680024250.6在审
发明人：韩泰晟;姜大凤;郭在灿;金卡兰;金斗荣;徐东源;李相斗;李圣光;赵炳夏;千东硕;黃喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括腔室；设置于所述腔室底部的基座；设置于所述基座上的腔室盖；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体。所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。
处理装置方法

[发明专利]基板加工装置及方法-CN201380034858.3有效
发明人：郭在燦;姜成圭;郑勋;赵炳夏 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种基板加工装置和方法，实现在同一个加工空间内部顺次或分别执行薄膜沉积工艺和表面处理工艺，其中，所述基板加工装置包括加工腔室，用于提供加工空间；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，并且朝预定方向旋转被支撑的基板；腔室盖，所述腔室盖面对所述基板支撑器；以及气体分配器，所述气体分配器将用于在所述基板上沉积薄膜的工艺气与用于对所述薄膜进行表面处理的表面处理气在空间上分开，并且在原位将所述工艺气和所述表面处理气分配到所述基板支撑器上，其中，面对所述基板支撑器的所述气体分配器设置在所述腔室盖中。
加工装置方法

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